公开(公告)号：CN116844619A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310700392.1

申请日：2023-06-13

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 周世聪 ,  刘晓艳 ,  金荣 ,  许玉洁 ,  陈雨新

IPC分类号： G11C29/10 ,  G11C29/50 ,  G11C8/10

摘要： 本申请实施例提供一种存储器的光攻击检测方法、装置、存储介质及终端设备，属于半导体技术领域。方法包括：响应于检测指令，获取预设的指定地址信息；依据指定地址信息确定存储器的目标字线；若指定地址信息有效，选通目标字线，获取与目标字线连接的至少一个存储单元的第一当前存储数据，若第一当前存储数据与对应存储单元的第一预设存储数据不匹配，确定存储器受到光攻击，生成报警信号。本申请通过读取该目标字线上对应存储单元的当前存储数据，并将读取到的当前存储数据与预先配置的预设存储数据进行匹配，根据匹配结果即可识别存储器是否受到光攻击，从而无须在存储器中额外增加光敏检测电路对光攻击进行识别。

公开(公告)号：CN116779605A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310777035.5

申请日：2023-06-28

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 周世聪 ,  朱信宇 ,  原义栋 ,  赵天挺 ,  沈红伟 ,  董树荣 ,  苗清 ,  张萌

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8222

摘要： 本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该器件包括：衬底；第一阱区；第二阱区、第一注入区和第三阱区，沿衬底长度方向形成在第一阱区内；第二注入区和第三注入区，分别形成于第二阱区和第三阱区内；第四注入区和第五注入区，分别形成于第二注入区和第三注入区内；第一多晶硅层和第二多晶硅层，分别形成于第一注入区两侧的衬底表面；第一隔离槽和第二隔离槽，分别形成于第一注入区两侧；第四注入区和第一多晶硅层通过金属连线接入电学阳极，第五注入区和第二多晶硅层通过金属连线接入电学阴极。通过本发明提供的器件，能够提供更高的ESD保护能力，电流走向更为均匀，提高器件响应速度。

公开(公告)号：CN115588969A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211326659.7

申请日：2022-10-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 金荣 ,  周世聪 ,  刘晓艳 ,  沈红伟 ,  原义栋 ,  申爱华 ,  杨巍 ,  宋一炜 ,  李睿 ,  王旭

IPC分类号： H02H7/20 ,  H03K17/687

摘要： 本公开实施例公开了一种防止场效应晶体管漏电的电路、芯片及电子装置，该电路包括：MOSFET模块和衬底电压生成模块，MOSFET模块包括：第一电阻、第一开关和第一MOSFET，衬底电压生成模块的第一输入端与第一电压源连接、第二输入端与第二电压源连接、且输出端与第一MOSFET的衬底连接；第一MOSFET的源极与第一电压源连接、漏极与第二电压源连接、且栅极与第一电阻的第一端连接，第一电阻的第一端与第一开关的第一端连接，第一开关的第二端与电流源的一端连接，第一电阻的第二端与第一MOSFET的衬底连接。通过该电路结构，有效避免MOSFET的沟道漏电。

公开(公告)号：CN118330305A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410304533.2

申请日：2024-03-18

申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 金荣 ,  杨巍 ,  伍苹 ,  孙婧 ,  周世聪 ,  沈红伟 ,  赵天挺 ,  原义栋 ,  吴顺珉 ,  杜鹏程 ,  李凌文

IPC分类号： G01R19/175 ,  G01R1/30 ,  G01R15/14 ,  G01R15/16 ,  G01R15/18

摘要： 本发明提供一种过零检测电路和一种芯片，属于电子技术领域，过零检测电路包括：第一比较器，用于将输入的交流电信号与第一预设电压进行比较，得到脉冲信号；信号耦合器件，用于将输入的所述脉冲信号的电压变化耦合到输出端；过零脉冲检测器件，用于检测出所述信号耦合器件的输出端输出的过零脉冲。本发明通过信号耦合器件将输入的脉冲信号的电压变化耦合到输出端，以便过零脉冲检测器件检测出所述信号耦合器件的输出端输出的过零脉冲。本发明实施例通过信号耦合器件实现了输出信号和交流电信号的隔离，并且本发明实施例不使用光耦进行隔离，不会因为光耦的光衰问题导致隔离功能失效。

公开(公告)号：CN116978903A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310762020.1

申请日：2023-06-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 周世聪 ,  陈奕鹏 ,  原义栋 ,  赵天挺 ,  沈红伟 ,  董树荣 ,  张萌 ,  李梦姣

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该可控硅器件包括：衬底；第一阱区；第一注入区～第六注入区，沿衬底长度方向依次形成于第一阱区内；第一多晶硅区和第二多晶硅区；第二阱区和第三阱区沿衬底宽度方向形成于第一阱区内，且位于第三注入区与第四注入区之间；第七注入区，形成于第二阱区内；第八注入区，形成于第三阱区内；隔离结构，形成于衬底内；第三注入区和第八注入区接入第一电极；第四注入区和第七注入区接入第二电极；第一注入区、第二注入区、第一多晶硅区、第二多晶硅区、第五注入区和第六注入区相连。通过本发明提供的可控硅器件，能够削弱SCR路径的正反馈效应，提高维持电压。

公开(公告)号：CN115603557A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211327221.0

申请日：2022-10-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司(CN)

发明人： 刘晓艳 ,  周世聪 ,  金荣 ,  沈红伟 ,  原义栋 ,  申爱华 ,  杨巍 ,  宋一炜 ,  李睿 ,  王旭 ,  施景超

IPC分类号： H02M1/32 ,  H02M3/07

摘要： 本公开涉及电路技术领域，具体涉及一种芯片的短路保护电路，包括：电荷泵模块、电压比较模块、可编程时钟产生模块和短路保护控制模块；电荷泵模块用于通过电荷泵模块的第一输出端输出正电荷泵电压信号，且通过电荷泵模块的第二输出端输出负电荷泵电压信号；短路保护控制模块用于响应于第一数字检测信号和第二数字检测信号中至少一项的逻辑值为1的时间大于或等于预设时长，通过短路保护控制模块的输出端输出第一控制信号，第一控制信号用于控制可编程时钟产生模块将时钟信号的信号频率设置为第一目标频率。当芯片的输出端发生短路时，为电荷泵提供较低的工作频率使得电荷泵的输出电流减小，如此减小了芯片短路时热效应，提高了芯片可靠性。

公开(公告)号：CN115598501A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211275898.4

申请日：2022-10-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司(CN)

发明人： 周世聪 ,  原义栋 ,  沈红伟 ,  金荣 ,  刘晓艳 ,  伍苹 ,  施景超

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种集成电路版本确定方法、电路、电子设备和芯片，所述集成电路版本确定方法包括在所述晶圆中的第一模拟集成电路的第一输入端口设置包括第一上拉电阻或第一下拉电阻的第一电阻，在所述晶圆中的第一模拟集成电路的第二输入端口设置包括第二上拉电阻或第二下拉电阻的第二电阻，获取所述第一电阻和第二电阻的阻值比；根据所述第一电阻和第二电阻的阻值比确定所述第一模拟集成电路的版本，从而无需额外设置测试引脚，也无需用显微镜观察模拟集成电路的芯片表面的标识来进行版本识别，提高了封装可操作性。