公开(公告)号：CN118588764A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202411082425.1

申请日：2024-08-08

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  朱松超 ,  李君健 ,  章明瑞 ,  吴祖谋 ,  张俊江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法。所述器件包括：衬底以及形成于衬底上的体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构。源区包括横向源区及纵向源区，横向源区埋入体区的底部，纵向源区延伸至体区的底部与横向源区相接。栅极结构包括横向栅、纵向栅、第一氧化层及第二氧化层，横向栅及第二氧化层位于体区及漂移区的上方，横向栅与第二氧化层相接构成横向栅极结构，横向栅极结构同时作为场板结构；纵向栅与横向栅连接，纵向栅及第一氧化层嵌入体区内，第一氧化层与纵向源区相接，纵向栅与第一氧化层相接构成纵向栅极结构。本发明的LDMOSFET器件提高了击穿电压，降低导通电阻。

公开(公告)号：CN118588764B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411082425.1

申请日：2024-08-08

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  朱松超 ,  李君健 ,  章明瑞 ,  吴祖谋 ,  张俊江

IPC: H10D30/65 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法。所述器件包括：衬底以及形成于衬底上的体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构。源区包括横向源区及纵向源区，横向源区埋入体区的底部，纵向源区延伸至体区的底部与横向源区相接。栅极结构包括横向栅、纵向栅、第一氧化层及第二氧化层，横向栅及第二氧化层位于体区及漂移区的上方，横向栅与第二氧化层相接构成横向栅极结构，横向栅极结构同时作为场板结构；纵向栅与横向栅连接，纵向栅及第一氧化层嵌入体区内，第一氧化层与纵向源区相接，纵向栅与第一氧化层相接构成纵向栅极结构。本发明的LDMOSFET器件提高了击穿电压，降低导通电阻。

公开(公告)号：CN118475231A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410935595.3

申请日：2024-07-12

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 郁文 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  李君建 ,  刘芳 ,  陈燕宁 ,  张俊江 ,  曹永万 ,  陆珊珊 ,  罗宗兰

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58

Abstract: 本申请提供一种隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆，属于半导体集成电路技术领域。所述器件包括衬底，以及第一金属层，设置于所述衬底上；介质层，设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；第二金属层，设置于所述介质层远离所述第一金属层的一侧；且所述第二金属层的中心在衬底上的正投影与第一金属层的中心在衬底上的正投影重合，所述第二金属层的电位高于所述第一金属层的电位；至少两个器件金属环组，所述至少两个器件金属环组在衬底上的正投影与第一金属层之间的间距沿第一金属层到第二金属层方向递增，所述器件金属环组通过金属通孔连接后接地，以形成法拉第笼隔离屏蔽所述隔离电容器件受到的外部干扰。