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公开(公告)号：CN114464614A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210015941.7
申请日：2022-01-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京大学 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件和芯片。SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。高压P阱区依次设置有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区。高压N阱区依次设置有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区与第一P+掺杂区之间的距离小于预设距离，预设距离为位于高压N阱区和高压P阱区共同形成的区域的最外侧的两个掺杂区之间的距离。本申请的SCR器件和芯片中，将高压P阱区中的第一P+掺杂区与高压N阱区中的第二N+掺杂区之间的距离设置为小于预设距离，当SCR器件被ESD激励并导通时，SCR器件能够分段导通，提高SCR器件的维持电压，实现了维持电压的大幅度提升。
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公开(公告)号：CN114361156A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111402639.9
申请日：2021-11-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本申请公开了一种DTSCR器件和电子设备。DTSCR器件包括依次层叠设置的基板、埋氧化层和P型衬底，在P型衬底上沿第一方向依次设置有预设P+掺杂区、预设N+掺杂区和多个N阱区，多个N阱区在第一方向上依次连接，预设N+掺杂区在第一方向的部分区域构成预设N阱区，预设N阱区在第二方向上相对预设N+掺杂区部分设置，预设N阱区的总体积与N阱区的数量相关联，其中，预设P+掺杂区和预设N+掺杂区均为源区。本申请通过在本征SCR的N+掺杂区引入N阱区，实现本征SCR的预设P+掺杂区的电阻的增加，进而降低本征SCR开启所需要的ESD电流，达到削弱寄生SCR电流泄放作用降低本征SCR的开启延迟，从而彻底抑制DTSCR的二次触发。
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公开(公告)号：CN114281145A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111342508.6
申请日：2021-11-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基准电流源电路、基准电流生成方法及芯片，其中基准电流源电路包括：调整电路、电流产生电路和输出电路，调整电路和输出电路分别与电流产生电路相连，调整电路用于生成调整电压；电流产生电路用于生成正温度系数电流和负温度系数电压，并基于负温度系数电压与调整电压之间的差值生成负温度系数电流，以及根据正温度系数电流和负温度系数电流生成零温度基准电流；输出电路用于输出零温度基准电流。该电路能够有效降低基准功耗且不会增加过多电路面积。
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公开(公告)号：CN114371758A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
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公开(公告)号：CN114371758B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
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公开(公告)号：CN114356014B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111386539.1
申请日：2021-11-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种低压基准电压产生电路及芯片，其中电路包括基准电流源模块、缓冲器模块和高阶温度补偿模块，其中，基准电流源模块用于分别向缓冲器模块和高阶温度补偿模块提供零温度电流，并向缓冲器模块提供负温度特性电压；缓冲器模块用于根据零温度电流生成具有正温度特性的失调电压，并将失调电压与负温度特性电压进行叠加，以输出第一带隙基准电压；高阶温度补偿模块用于根据零温度电流对第一带隙基准电压进行高阶温度补偿，以使缓冲器模块输出低温漂带隙基准电压。由此，不仅可以实现低温漂带隙基准电压的输出，还可以使低工作电压处于宽工作电压范围，同时还可以降低电路设计复杂度以及功耗消耗。
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公开(公告)号：CN114356014A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111386539.1
申请日：2021-11-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种低压基准电压产生电路及芯片，其中电路包括基准电流源模块、缓冲器模块和高阶温度补偿模块，其中，基准电流源模块用于分别向缓冲器模块和高阶温度补偿模块提供零温度电流，并向缓冲器模块提供负温度特性电压；缓冲器模块用于根据零温度电流生成具有正温度特性的失调电压，并将失调电压与负温度特性电压进行叠加，以输出第一带隙基准电压；高阶温度补偿模块用于根据零温度电流对第一带隙基准电压进行高阶温度补偿，以使缓冲器模块输出低温漂带隙基准电压。由此，不仅可以实现低温漂带隙基准电压的输出，还可以使低工作电压处于宽工作电压范围，同时还可以降低电路设计复杂度以及功耗消耗。
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公开(公告)号：CN114301461A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111363910.2
申请日：2021-11-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种DAC电路和模数转换器，属于集成电路技术领域。所述DAC电路包括：复位开关、第一开关，所述DAC电路比较器的输出端通过所述复位开关和所述第一开关连接的两端作为虚拟共模电平端；其中，在比较阶段，控制所述第一开关始终闭合，在每次比较开始之前，控制所述复位开关断开，在每次比较结束时，控制所述复位开关闭合，所述比较器的输出电平Vop和Von生成虚拟共模电平Vcm。本发明实施例在比较阶段，通过控制第一开关始终闭合，在每次比较完成后，控制复位开关的切换(断开和闭合)，均能产生虚拟共模电平Vcm，无需外端提供共模电平，以降低DAC电路功耗。
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公开(公告)号：CN112491405B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011166014.2
申请日：2020-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03K17/04
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于芯片的基于基准源的加速启动电路，包括：启动电路、偏置电流产生电路、基准电压产生电路，还包括加速启动电路；所述加速启动电路设于偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间，用于将偏置电流产生电路的上电过程与基准电压产生电路的上电过程相隔离，在偏置电流产生电路上电完成后开启基准电压产生电路的上电过程，以阻断在上电过程中偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间的相互干扰。本发明一方面减小电路中参与充电的节点数，避免芯片中整体电路参与启动过程而拖慢启动时间；另一方面阻断上电过程中的过冲对基准电压产生电路的影响，极大的加速了芯片中整体电路的启动速度。
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公开(公告)号：CN112491405A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011166014.2
申请日：2020-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03K17/04
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于芯片的基于基准源的加速启动电路，包括：启动电路、偏置电流产生电路、基准电压产生电路，还包括加速启动电路；所述加速启动电路设于偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间，用于将偏置电流产生电路的上电过程与基准电压产生电路的上电过程相隔离，在偏置电流产生电路上电完成后开启基准电压产生电路的上电过程，以阻断在上电过程中偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间的相互干扰。本发明一方面减小电路中参与充电的节点数，避免芯片中整体电路参与启动过程而拖慢启动时间；另一方面阻断上电过程中的过冲对基准电压产生电路的影响，极大的加速了芯片中整体电路的启动速度。
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