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公开(公告)号：CN112886544B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110054285.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于过负荷控制的功率选通电路及集成电路芯片。所述功率选通电路包括设置于供电源与负载之间的通道开关，还包括转换模块、过负荷比较模块以及功率选通控制模块；所述转换模块用于将所述供电源的电压转换为可以量化的通道电阻；所述过负荷比较模块用于基于所述通道电阻计算功率门限，在输出功率达到所述功率门限时触发所述通道开关；所述功率选通控制模块用于对触发所述通道开关的过程进行逻辑控制。本发明通过转换模块和过负荷比较模块实现负荷功率门槛值计算，使得可以直接按照功率限值来配置触发通道开关的过负荷门限，从而实现芯片过负荷保护和功率保护，提高了过负荷保护的安全性。
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公开(公告)号：CN112904931B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110055767.4
申请日：2021-01-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种电压电流转换电路及集成电路芯片。所述电压电流转换电路包括第一串联电阻、第二串联电阻、第一电流镜、第一负反馈环路以及第二负反馈环路，所述第一负反馈环路包括第一跨导放大器和第二电流镜，所述第二负反馈环路包括第二跨导放大器、第三电流镜以及第一二极管。本发明的电压电流转换电路，采用两条负反馈环路，使其有效输入电压可以高于电源电平，也可以低于地电平，即输入电压范围可以向正电源轨和负电源轨两个方向扩展，输入电压范围宽，动态范围大，且所述电压电流转换电路转换获得的电流也是双向的，可以有更广泛的电路应用，适应更多的系统条件。
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公开(公告)号：CN112886544A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110054285.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于过负荷控制的功率选通电路及集成电路芯片。所述功率选通电路包括设置于供电源与负载之间的通道开关，还包括转换模块、过负荷比较模块以及功率选通控制模块；所述转换模块用于将所述供电源的电压转换为可以量化的通道电阻；所述过负荷比较模块用于基于所述通道电阻计算功率门限，在输出功率达到所述功率门限时触发所述通道开关；所述功率选通控制模块用于对触发所述通道开关的过程进行逻辑控制。本发明通过转换模块和过负荷比较模块实现负荷功率门槛值计算，使得可以直接按照功率限值来配置触发通道开关的过负荷门限，从而实现芯片过负荷保护和功率保护，提高了过负荷保护的安全性。
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公开(公告)号：CN112904931A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110055767.4
申请日：2021-01-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种电压电流转换电路及集成电路芯片。所述电压电流转换电路包括第一串联电阻、第二串联电阻、第一电流镜、第一负反馈环路以及第二负反馈环路，所述第一负反馈环路包括第一跨导放大器和第二电流镜，所述第二负反馈环路包括第二跨导放大器、第三电流镜以及第一二极管。本发明的电压电流转换电路，采用两条负反馈环路，使其有效输入电压可以高于电源电平，也可以低于地电平，即输入电压范围可以向正电源轨和负电源轨两个方向扩展，输入电压范围宽，动态范围大，且所述电压电流转换电路转换获得的电流也是双向的，可以有更广泛的电路应用，适应更多的系统条件。
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公开(公告)号：CN114268310B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111331236.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种电平移位器和数字隔离器，该电平移位器还包括偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述输入信号端连接电平移位主体单元、偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述偏置电流瞬态增强单元的输出端与边沿快速响应单元的输入端连接，所述边沿快速响应单元的输出端与所述电平移位主体单元的输出端连接，所述电平移位主体单元的输出端作为所述输出信号端；所述偏置电流瞬态增强单元用于在输入信号跳变过程中为边沿快速响应单元提供瞬态增强后的偏置电流，所述边沿快速响应单元用于在所述偏置电流的作用下快速响应，以加快电平移位主体单元输出电平的转换速度。解决了传统电平移位器在输入信号电平突变时响应较慢的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113866690B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN114019220B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210014419.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电流检测器及电路，电流检测器包括：外壳及至少一组磁体，所述磁体位于所述外壳内，每组磁体包括：第一磁芯、第二磁芯、第一激励线圈、第二激励线圈及感应线圈；所述第一磁芯和第二磁芯对称耦合；所述第一激励线圈缠绕所述第一磁芯，用于产生第一激励磁场；所述第二激励线圈缠绕所述第二磁芯，用于产生第二激励磁场；所述第一激励线圈和第二激励线圈为反向串连连接；所述感应线圈缠绕于所述第一磁芯和第二磁芯的耦合中轴，用于感应待测导体产生感应磁场。所述电流检测器测量灵敏度高、抗干扰能力强，并且结构简单、加工难度较低，成本较低。
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公开(公告)号：CN110504185B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910798587.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护单元的测试及加固方法，ESD保护单元设置在待测试芯片中，包括：对待测试芯片施加ESD放电应力；对待测试芯片的管脚进行监测，根据监测结果判断是否为ESD失效；若判断结果为ESD失效，则对待测试芯片进行开封，通过结构分析确定待测试芯片的ESD保护单元中的失效点；对ESD保护单元中的失效点进行加固仿真测试；在测试结果满足要求时，对待测试芯片进行加固；对加固后的芯片重新施加ESD放电应力，并进行监测，直至结果判断为ESD有效为止。本实施例提供的ESD保护单元的测试及加固方法，通过EDA软件对ESD保护单元进行仿真测试，保证芯片通过ESD设计要求并在正常工作状态下具备较高的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN113990866A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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