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公开(公告)号：CN116915234A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310694090.8
申请日：2023-06-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/094 , H03F1/30 , H03F1/56
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开一种动态偏置电路、输出级偏置补偿电路、轨到轨运放及芯片。所述动态偏置电路包括：差分共源输入级，其输入与前级输出相连，以及其输出与轨到轨运放的CLASS‑AB输出级的栅极相连，其中，响应于所述前级输出的变化，所述差分共源输入级的电流变化，以引发所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化；辅助放大级，用于放大所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化；以及反馈级，用于将经放大的所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化反馈至所述CLASS‑AB输出级的栅极，以通过引发所述CLASS‑AB输出级的栅极处的阻抗变化来动态调整所述CLASS‑AB输出级的偏置电压。本发明可动态调整CLASS‑AB输出级的偏置电压和控制路径上的尾电流，从而可同时增强压摆率及负载驱动能力。
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公开(公告)号：CN116915239A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310701608.6
申请日：2023-06-13
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
IPC分类号： H03K19/094 , H03F1/52 , H03K19/003 , H03K19/00
摘要： 本发明实施例提供一种抗高压的轨到轨输入级电路及运算放大器，属于集成电路技术领域。所述轨到轨输入级电路包括：轨到轨输入模块，其通过多组N/P型低压器件互补差分对形成为恒跨导结构，用于接入并处理差分输入信号；抗高压模块，其包括设置在所述轨到轨输入模块的差分输出路径上的N/P型高压器件互补差分对，用于对所述轨到轨输入模块中的各个N/P型低压器件进行限压；以及共模反馈模块，连接所述抗高压模块中的各个N/P型高压器件的控制端，以向相应N/P型高压器件提供控制电压。据此，抗高压模块中的高压器件被共模反馈模块提供的控制电压所控制，进而改变相应高压器件的端口间电压，以实现对轨到轨输入模块中的低压器件的限压，避免低压器件被击穿。
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公开(公告)号：CN116880654A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310694091.2
申请日：2023-06-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片。所述电路包括：采样电路，用于对轨到轨运放的输入级中的NPN输入管与PNP输入管的输入偏置电流进行采样；控制电路，用于控制在第一共模输入电平范围内导通所述NPN输入管的输入偏置电流并截止所述PNP输入管的输入偏置电流，以及控制在第二共模输入电平范围内截止所述NPN输入管的输入偏置电流并导通所述PNP输入管的输入偏置电流；以及镜像电路，用于提供所述NPN输入管的输入偏置电流的NPN镜像电流与所述PNP输入管的输入偏置电流的PNP镜像电，并输出所述NPN镜像电流与所述PNP镜像电流的叠加电流。本发明通过分段补偿来适应不同共模输入范围产生的输入偏置电流变化。
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公开(公告)号：CN116915188A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310721590.6
申请日：2023-06-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明实施例提供一种电流放大器、传感器读出电路和传感器，属于集成电路技术领域。所述电流放大器包括输入斩波器、输入级电路、压控电流放大单元和输出斩波单元，其中：所述输入级电路的输入端通过所述输入斩波器接入差分电压信号VIN，其输出端连接所述压控电流放大单元，用于将所述差分电压信号转换成差分电流信号；所述压控电流放大单元被配置为提供针对所述差分电流信号的增益，且所述压控电流放大单元的输出端通过所述输出斩波单元来输出最终的电流信号IOUT。本发明实施例一方面能够利用输入输出端的斩波器来优化噪声和失调，另一方面还能够利用压控电流放大单元调节放大增益，可以适应于低功耗、低失调、低噪声的场景。
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公开(公告)号：CN118444736A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410626733.X
申请日：2024-05-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本公开涉及模拟集成电路技术领域，具体涉及一种低噪声带隙基准电路、芯片、电子设备和生成低噪声基准电压的方法，所述低噪声带隙基准电路包括带隙基准电路、斩波电路和低通滤波单元。带隙基准电路包括运算放大器，其中带隙基准电路用于输出基准电压，运算放大器用于对所述带隙基准电路中的第一节点和第二节点进行电压钳位。斩波电路连接到所述运算放大器，用于将所述运算放大器产生的噪声调制到高频。低通滤波单元连接到所述带隙基准电路，用于滤除所述基准电压中的高频噪声。此低噪声带隙基准电路极大地减小了运算放大器的输出噪声，提高了芯片的噪声性能。
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公开(公告)号：CN117544119A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311311004.7
申请日：2023-10-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
摘要： 本发明实施例提供一种级联浮动反相放大器、芯片、噪声抑制方法和装置，属于电子技术领域。级联浮动反相放大器包括：放大器电路，放大器电路包括用于稳定共模电压的第一电容和第二电容；自归零电路，自归零电路与放大器电路电连接，用于在放大器电路的第一阶段，复用第一电容和第二电容，以存储放大器电路中的失调电压和/或噪声；以及用于在放大器电路的第二阶段，对失调电压和/或噪声进行抑制。本发明实施例通过自归零电路将第一电容和第二电容复用为采样噪声的电容，从而减少使用的电容数量，实现减小面积。
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公开(公告)号：CN118466673A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410542140.5
申请日：2024-04-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案，该带隙基准电路包括：通过带隙基准核心电路模块产生经一阶温度补偿的带隙基准电压，通过参考电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成参考电流，通过正温度系数电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成与温度成正比的正温度系数电流，通过高阶温度补偿模块根据参考电流和正温度系数电流生成高阶温度补偿电流，最后通过带隙基准核心电路模块根据高阶温度补偿电流对带隙基准电压进行高阶温度补偿，得到经高阶温度补偿的带隙基准电压，从而提高了带隙基准电压的精度和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN116978903A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310762020.1
申请日：2023-06-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8249 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该可控硅器件包括：衬底；第一阱区；第一注入区～第六注入区，沿衬底长度方向依次形成于第一阱区内；第一多晶硅区和第二多晶硅区；第二阱区和第三阱区沿衬底宽度方向形成于第一阱区内，且位于第三注入区与第四注入区之间；第七注入区，形成于第二阱区内；第八注入区，形成于第三阱区内；隔离结构，形成于衬底内；第三注入区和第八注入区接入第一电极；第四注入区和第七注入区接入第二电极；第一注入区、第二注入区、第一多晶硅区、第二多晶硅区、第五注入区和第六注入区相连。通过本发明提供的可控硅器件，能够削弱SCR路径的正反馈效应，提高维持电压。
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