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公开(公告)号：CN116880654A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310694091.2
申请日：2023-06-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片。所述电路包括：采样电路，用于对轨到轨运放的输入级中的NPN输入管与PNP输入管的输入偏置电流进行采样；控制电路，用于控制在第一共模输入电平范围内导通所述NPN输入管的输入偏置电流并截止所述PNP输入管的输入偏置电流，以及控制在第二共模输入电平范围内截止所述NPN输入管的输入偏置电流并导通所述PNP输入管的输入偏置电流；以及镜像电路，用于提供所述NPN输入管的输入偏置电流的NPN镜像电流与所述PNP输入管的输入偏置电流的PNP镜像电，并输出所述NPN镜像电流与所述PNP镜像电流的叠加电流。本发明通过分段补偿来适应不同共模输入范围产生的输入偏置电流变化。
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公开(公告)号：CN118550352A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410698006.4
申请日：2024-05-31
申请人： 福州大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种应用于微处理器DVFS技术的类比运放LDO设计，采用开关式架构，通过将环路控制信号从电压域转换到时域，以类运放结构产生15相脉冲宽度调制信号和有源电压定位，实现将开关式LDO的开关频率等效增大和在约束输出电压纹波的基础上将负载电容减小；为了保持LDO的环路稳定，采用双环路的结构使环路产生一个额外的零点，对LDO轻载时前移的输出极点进行补偿，以实现LDO在全负载范围内保持稳定输出。
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公开(公告)号：CN116915234A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310694090.8
申请日：2023-06-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/094 , H03F1/30 , H03F1/56
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开一种动态偏置电路、输出级偏置补偿电路、轨到轨运放及芯片。所述动态偏置电路包括：差分共源输入级，其输入与前级输出相连，以及其输出与轨到轨运放的CLASS‑AB输出级的栅极相连，其中，响应于所述前级输出的变化，所述差分共源输入级的电流变化，以引发所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化；辅助放大级，用于放大所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化；以及反馈级，用于将经放大的所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化反馈至所述CLASS‑AB输出级的栅极，以通过引发所述CLASS‑AB输出级的栅极处的阻抗变化来动态调整所述CLASS‑AB输出级的偏置电压。本发明可动态调整CLASS‑AB输出级的偏置电压和控制路径上的尾电流，从而可同时增强压摆率及负载驱动能力。
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公开(公告)号：CN118554743A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410698100.X
申请日：2024-05-31
申请人： 福州大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种利用运放微分电路的固定斜率软起动电路，通过由运放构成的微分电路对输出电压的斜率进行采样，以确定输出电压的斜率；采用负反馈的方式控制内部软起电压实现不同的斜率，从而保证输出电压斜率在芯片外部分压电阻比例不同的情况下，按照同样的斜率进行启动。软起动结束后，电路能够通过软起结束信号关闭起动电路的偏置电流，实现零静态功耗。
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公开(公告)号：CN116915188A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310721590.6
申请日：2023-06-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明实施例提供一种电流放大器、传感器读出电路和传感器，属于集成电路技术领域。所述电流放大器包括输入斩波器、输入级电路、压控电流放大单元和输出斩波单元，其中：所述输入级电路的输入端通过所述输入斩波器接入差分电压信号VIN，其输出端连接所述压控电流放大单元，用于将所述差分电压信号转换成差分电流信号；所述压控电流放大单元被配置为提供针对所述差分电流信号的增益，且所述压控电流放大单元的输出端通过所述输出斩波单元来输出最终的电流信号IOUT。本发明实施例一方面能够利用输入输出端的斩波器来优化噪声和失调，另一方面还能够利用压控电流放大单元调节放大增益，可以适应于低功耗、低失调、低噪声的场景。
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公开(公告)号：CN118554758A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410687069.X
申请日：2024-05-30
申请人： 福州大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路，利用开关电源开关节点同时包含了过零信息与死区时间信息这一特点，将两个电路中的检测电路相结合的电路，在具有良好自适应过零检测与自适应死区时间控制的基础上实现了更小的电路面积与功耗。
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公开(公告)号：CN116915239A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310701608.6
申请日：2023-06-13
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
IPC分类号： H03K19/094 , H03F1/52 , H03K19/003 , H03K19/00
摘要： 本发明实施例提供一种抗高压的轨到轨输入级电路及运算放大器，属于集成电路技术领域。所述轨到轨输入级电路包括：轨到轨输入模块，其通过多组N/P型低压器件互补差分对形成为恒跨导结构，用于接入并处理差分输入信号；抗高压模块，其包括设置在所述轨到轨输入模块的差分输出路径上的N/P型高压器件互补差分对，用于对所述轨到轨输入模块中的各个N/P型低压器件进行限压；以及共模反馈模块，连接所述抗高压模块中的各个N/P型高压器件的控制端，以向相应N/P型高压器件提供控制电压。据此，抗高压模块中的高压器件被共模反馈模块提供的控制电压所控制，进而改变相应高压器件的端口间电压，以实现对轨到轨输入模块中的低压器件的限压，避免低压器件被击穿。
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公开(公告)号：CN118275508A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410193825.3
申请日：2024-02-21
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 厦门大学
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本申请公开一种湿度传感器和湿度传感器的制备方法。湿度传感器包括晶圆及湿敏膜。晶圆包括基底和设置在基底上的电极。湿敏膜位于电极的表面，湿敏膜包括第一湿敏膜和第二湿敏膜，第一湿敏膜由未完全亚胺化的聚酰亚胺制成，第二湿敏膜由氟化聚酰亚胺制成，第二湿敏膜位于电极与第一湿敏膜之间。一方面使得在低湿度的情况下，可利用第一湿敏膜实现对水分敏感，实现低湿度感知。另一方面利用第二湿敏膜中的含氟官能团来提高第二湿敏膜的高湿稳定性和降低第二湿敏膜的迟滞性。如此，基于第一湿敏膜和第二湿敏膜的湿度传感器可在全湿度范围内完成检测，即实现宽量程，且在全湿度范围内可实现低迟滞性和高湿稳定性，从而减少湿度传感器的使用限制。
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公开(公告)号：CN116577633A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310354362.X
申请日：2023-04-04
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28 , H03L7/24 , G01R31/317
摘要： 本发明实施例提供一种芯片的输出频率的自修调方法和装置及芯片，属于芯片测试领域。该自修调方法包括：获取在预设计数时间内所述芯片内的振荡器产生的时钟信号的第一个数；获取在所述预设计数时间内与所述芯片对应的测试机提供的时钟信号的第二个数；比较第一个数和第二个数，以确定初始比较结果；以及在第一个数与第二个数的差值的绝对值满足第一预设要求的情况下，修调所述振荡器产生所述时钟信号的振荡器频率，以使得所述芯片的所述输出频率与预设目标输出频率的差值满足第二预设要求。籍此，实现了自修调芯片的输出频率。
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公开(公告)号：CN116405031A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310226260.X
申请日：2023-03-03
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 复旦大学
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，公开一种模数转换器及芯片，所述模数转换器包括：第一、第二无源开关电容积分器；两个电容性模数转换阵列；控制逻辑电路，用于在所述阵列中的电容复位时，闭合第一无源开关电容积分器中的第一、第二开关组以输出第一残差电压，以及闭合第二无源开关电容积分器中的第三、第四开关组以使输出第二残差电压；以及双差分输入比较器，用于接收第一残差电压与当前预设周期的输入电压之和作为第一差分输入信号，接收第二残差电压作为第二差分输入信号，以及输出比较结果，所述控制逻辑电路还用于根据比较结果，输出多个开关控制信号至电容性模数转换阵列，以输出当前预设周期的数字数据，由此可有效抑制信号带内的量化噪声。
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