一种双镀层金刚石粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN106756906B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201611195460.X

    申请日:2016-12-22

    摘要: 本发明属于粉末冶金技术领域,涉及一种双镀层金刚石粉末的制备方法,采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的WC用来改善金刚石与铜的润湿性,然后采用化学镀覆方法持续在WC层表面镀铜,通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度,从而制备出含铜体积分数为30~50vol.%的双镀层Cu‑WC‑Diamond粉末。该粉末可直接压制成形(Diamond/Cu)复合材料零部件,实现了复杂形状金属基复合材料零部件的近净成形。本发明的优点在于可通过控制镀铜层厚度制备Cu‑WC‑Diamond粉末,而制备的Cu‑WC‑Diamond粉末的镀铜量即为压制该粉末成形后的Diamond/Cu复合材料的含铜量,因此制备的复合材料金刚石分布均匀,结合强度高,性能优异。

    一种制备梯度多孔钨的方法

    公开(公告)号:CN107604188A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710845484.3

    申请日:2017-09-18

    IPC分类号: C22C1/08 C22C27/04

    摘要: 本发明提供了一种制备梯度多孔钨的方法,属于多孔材料制备技术领域。将高纯钨粉采用气流磨进行分散处理后,可将原始钨粉的团聚体打开,得到完全分散的钨粉,再经分级处理后,可获得不同粒径大小的窄粒度分布钨粉,通过选取处理后的不同粒度大小的钨粉进行搭配并采用铺粉-压制-烧结或叠层铺粉-热压烧结可制备梯度多孔钨。该方法所制备的梯度多孔钨孔隙特性可控、各层孔径大小及分布均匀,孔隙连通度好。通过选取两种或多种不同粒度的粉末进行搭配可灵活控制最终梯度多孔钨制品的层数及各层的孔隙特性。

    一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法

    公开(公告)号:CN114951607A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210649979.X

    申请日:2022-06-09

    IPC分类号: B22D18/06 B22D23/04 C04B41/89

    摘要: 本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法,属于电子封装功能材料领域,本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性,随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料,其中Cu在熔点以上进行熔渗,熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞,同时石墨泡沫作为增强体,具有复杂的三维结构,结构稳定,强度高,各项力学性能均较为优异,进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀,且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低,是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。

    一种双镀层金刚石粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN106756906A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611195460.X

    申请日:2016-12-22

    摘要: 本发明属于粉末冶金技术领域,涉及一种双镀层金刚石粉末的制备方法,采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的WC用来改善金刚石与铜的润湿性,然后采用化学镀覆方法持续在WC层表面镀铜,通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度,从而制备出含铜体积分数为30~50vol.%的双镀层Cu‑WC‑Diamond粉末。该粉末可直接压制成形(Diamond/Cu)复合材料零部件,实现了复杂形状金属基复合材料零部件的近净成形。本发明的优点在于可通过控制镀铜层厚度制备Cu‑WC‑Diamond粉末,而制备的Cu‑WC‑Diamond粉末的镀铜量即为压制该粉末成形后的Diamond/Cu复合材料的含铜量,因此制备的复合材料金刚石分布均匀,结合强度高,性能优异。

    一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法

    公开(公告)号:CN114951607B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202210649979.X

    申请日:2022-06-09

    IPC分类号: B22D18/06 B22D23/04 C04B41/89

    摘要: 本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法,属于电子封装功能材料领域,本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性,随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料,其中Cu在熔点以上进行熔渗,熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞,同时石墨泡沫作为增强体,具有复杂的三维结构,结构稳定,强度高,各项力学性能均较为优异,进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀,且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低,是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。

    一种制备梯度多孔钨的方法

    公开(公告)号:CN107604188B

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201710845484.3

    申请日:2017-09-18

    IPC分类号: C22C1/08 C22C27/04

    摘要: 本发明提供了一种制备梯度多孔钨的方法,属于多孔材料制备技术领域。将高纯钨粉采用气流磨进行分散处理后,可将原始钨粉的团聚体打开,得到完全分散的钨粉,再经分级处理后,可获得不同粒径大小的窄粒度分布钨粉,通过选取处理后的不同粒度大小的钨粉进行搭配并采用铺粉‑压制‑烧结或叠层铺粉‑热压烧结可制备梯度多孔钨。该方法所制备的梯度多孔钨孔隙特性可控、各层孔径大小及分布均匀,孔隙连通度好。通过选取两种或多种不同粒度的粉末进行搭配可灵活控制最终梯度多孔钨制品的层数及各层的孔隙特性。