公开(公告)号：CN114879002B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210494290.4

申请日：2022-05-07

申请人： 北京科技大学

发明人： 张跃 ,  王玉南 ,  张铮 ,  张先坤 ,  于慧慧 ,  陈匡磊 ,  黄银洁 ,  张彦哲 ,  曹志宏 ,  何晓宇 ,  赵航

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/28

摘要： 本发明涉及一种基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统，包括：图像显微定位模块、范德华光电探测器、激光发射模块、图像移动模块、信号采集模块、图像处理模块；所述图像显微定位模块与所述激光发射模块连接，所述范德华光电探测器与所述信号采集模块连接，所述图像处理模块，分别与所述图像移动模块和所述信号采集模块连接。本发明通过设定像素块大小和控制图像移动，实现范德华光电探测器的成像功能，在重复多次的测试过程中，有限评估范德华光电探测器在实际应用时的稳定性和可重复性。

公开(公告)号：CN114551632A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210177350.X

申请日：2022-02-25

申请人： 北京科技大学

发明人： 张跃 ,  于慧慧 ,  张铮 ,  张先坤 ,  王玉南 ,  曹志宏 ,  高丽 ,  洪孟羽 ,  汤文辉 ,  卫孝福

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种二维碲和过渡金属硫化物的PN结型自驱动光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述PN结型自驱动光电探测器包括：二维P型半导体层碲，漏极，二维N型半导体层过渡金属硫化物，源极，绝缘衬底；其中二维P型半导体层碲位于绝缘衬底一侧的上端，漏极位于二维P型半导体层碲的上端且与所述二维N型半导体层过渡金属硫化物不相连，二维N型半导体层过渡金属硫化物位于二维P型半导体层碲的上方并向绝缘衬底的另一侧上端延伸，源极位于二维N型半导体层过渡金属硫化物与绝缘衬底直接接触部分的上端。制备的二维碲和过渡金属硫化物的PN结型自驱动光电探测器的响应时间短，灵敏度高，暗电流小。

公开(公告)号：CN114879002A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210494290.4

申请日：2022-05-07

申请人： 北京科技大学

发明人： 张跃 ,  王玉南 ,  张铮 ,  张先坤 ,  于慧慧 ,  陈匡磊 ,  黄银洁 ,  张彦哲 ,  曹志宏 ,  何晓宇 ,  赵航

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/28

摘要： 本发明涉及一种基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统，包括：图像显微定位模块、范德华光电探测器、激光发射模块、图像移动模块、信号采集模块、图像处理模块；所述图像显微定位模块与所述激光发射模块连接，所述范德华光电探测器与所述信号采集模块连接，所述图像处理模块，分别与所述图像移动模块和所述信号采集模块连接。本发明通过设定像素块大小和控制图像移动，实现范德华光电探测器的成像功能，在重复多次的测试过程中，有限评估范德华光电探测器在实际应用时的稳定性和可重复性。