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公开(公告)号:CN107228979B
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN201710399996.1
申请日:2017-05-31
申请人: 北京航天控制仪器研究所
摘要: 一种基于时钟移相的全数字频率测量系统,包括参考时钟模块、计数器模块、触发器模块、时分复用模块、寄存器模块、状态解码模块以及计算模块。参考时钟模块提供多路频率相同,但存在相位差的高频时钟信号,计数器模块对输入信号和一路高频时钟信号进行脉冲值计数。触发器模块、时分复用模块以及寄存器模块,用于锁定、存储在对输入信号进行计数的起始时刻、结束时刻时各路高频时钟的状态向量。状态解码模块对多路高频时钟的状态向量解码,再通过计算模块得到输入信号频率测量值。本发明避免了传统频率测量单纯追求提高时钟频率,来提高频率分辨率的技术方案,将提高时钟频率转换为存在相位差的多路时钟,实现时钟细分,提高频率测量分辨率。
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公开(公告)号:CN109188022A
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201811141817.5
申请日:2018-09-28
申请人: 北京航天控制仪器研究所
IPC分类号: G01P15/097
摘要: 本发明涉及一种用于石英振梁加速度计输出误差补偿的方法,建立温度模型P(x),并通过温度重复性实验标定该模型;建立输出温时漂移模型Q(Ti,t),并通过稳定性实验标定该模型;最终获得石英振梁加速度计的补偿模型,对该石英振梁加速度计测量获得的频率值进行补偿。使用该补偿方法可以对高精度石英振梁加速度计由温度带来的频率输出误差进行补偿,得到更为精确的频率输出,提高仪表的性能指标,满足全温域下仪表正常工作,并保持较高精度。
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公开(公告)号:CN109188022B
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN201811141817.5
申请日:2018-09-28
申请人: 北京航天控制仪器研究所
IPC分类号: G01P15/097
摘要: 本发明涉及一种用于石英振梁加速度计输出误差补偿的方法,建立温度模型P(x),并通过温度重复性实验标定该模型;建立输出温时漂移模型Q(Ti,t),并通过稳定性实验标定该模型;最终获得石英振梁加速度计的补偿模型,对该石英振梁加速度计测量获得的频率值进行补偿。使用该补偿方法可以对高精度石英振梁加速度计由温度带来的频率输出误差进行补偿,得到更为精确的频率输出,提高仪表的性能指标,满足全温域下仪表正常工作,并保持较高精度。
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公开(公告)号:CN107228979A
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201710399996.1
申请日:2017-05-31
申请人: 北京航天控制仪器研究所
摘要: 一种基于时钟移相的全数字频率测量系统,包括参考时钟模块、计数器模块、触发器模块、时分复用模块、寄存器模块、状态解码模块以及计算模块。参考时钟模块提供多路频率相同,但存在相位差的高频时钟信号,计数器模块对输入信号和一路高频时钟信号进行脉冲值计数。触发器模块、时分复用模块以及寄存器模块,用于锁定、存储在对输入信号进行计数的起始时刻、结束时刻时各路高频时钟的状态向量。状态解码模块对多路高频时钟的状态向量解码,再通过计算模块得到输入信号频率测量值。本发明避免了传统频率测量单纯追求提高时钟频率,来提高频率分辨率的技术方案,将提高时钟频率转换为存在相位差的多路时钟,实现时钟细分,提高频率测量分辨率。
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公开(公告)号:CN107299318B
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201710399984.9
申请日:2017-05-31
申请人: 北京航天控制仪器研究所
摘要: 本发明涉及一种耐BOE腐蚀的金属掩膜制备方法,特别是在石英晶体上镀制耐BOE腐蚀的金属掩膜层的制备方法。本发明具体包括清洗步骤和镀膜步骤。本发明的显著效果是:①实现了用单层Cr/Au掩膜层进行耐BOE腐蚀工艺;②解决了现有Cr/Au掩膜层腐蚀后出现表面钻蚀,鼓包,甚至脱落等问题;③单层Cr/Au掩膜层转移光刻图形精度高,可以控制在1um以内;④制备工艺过程简单,易于控制,制备成本低廉,适合批量生产。
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公开(公告)号:CN107299318A
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201710399984.9
申请日:2017-05-31
申请人: 北京航天控制仪器研究所
CPC分类号: C23C14/185 , C03C17/40 , C03C2217/255 , C03C2217/26 , C03C2218/156 , C03C2218/31 , C23C14/021 , C23C14/352
摘要: 本发明涉及一种耐BOE腐蚀的金属掩膜制备方法,特别是在石英晶体上镀制耐BOE腐蚀的金属掩膜层的制备方法。本发明具体包括清洗步骤和镀膜步骤。本发明的显著效果是:①实现了用单层Cr/Au掩膜层进行耐BOE腐蚀工艺;②解决了现有Cr/Au掩膜层腐蚀后出现表面钻蚀,鼓包,甚至脱落等问题;③单层Cr/Au掩膜层转移光刻图形精度高,可以控制在1um以内;④制备工艺过程简单,易于控制,制备成本低廉,适合批量生产。
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