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公开(公告)号：CN118218821A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410148420.8
申请日：2024-02-02
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: B23K31/02 , B23K103/14
Abstract: 本发明提供了一种熔化扩散梯度过渡连接方法，该熔化扩散梯度过渡连接方法包括以下步骤：取多个待连接件，并将所述多个待连接件的对接面紧密对接；利用定向能量束连续扫描加热相对接的两个所述对接面以形成连接区域；其中，所述连接区域由靠近所述定向能量束的区域至远离所述定向能量束的区域产生梯度温度场，使得靠近所述定向能量束的区域发生熔化以形成熔化连接区，而远离所述定向能量束的区域保持固相状态并发生扩散连接。本发明中的连接方法可实现异型、含内流道等复杂结构的快速连接，且与传统扩散焊相比，连接时间大幅缩短。
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公开(公告)号：CN115275551B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210924721.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请公开了一种低损耗共面波导键合结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该低损耗共面波导键合结构包括：位于第一基底上的第一共面波导；位于第二基底上且与第一共面波导结构相同的第二共面波导；以及将第一共面波导和第二共面波导的导体一一对应连接的多个二维异质结构；所述二维异质结构包括用于传输信号的二维导电材料层，以及位于二维导电材料层下方的二维介电材料层。本申请通过使用二维导电材料键合共面波导，利用其高电导率的特性减小趋肤效应损耗。二维导电材料均匀覆盖在需要连接的导体表面，提高了键合部分传输线的均匀性，减少高频传输反射，保证传输带宽；且二维导电材料和金属之间无需形成焊点，避免造成金属电极损伤。
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公开(公告)号：CN115275551A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210924721.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请公开了一种低损耗共面波导键合结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该低损耗共面波导键合结构包括：位于第一基底上的第一共面波导；位于第二基底上且与第一共面波导结构相同的第二共面波导；以及将第一共面波导和第二共面波导的导体一一对应连接的多个二维异质结构；所述二维异质结构包括用于传输信号的二维导电材料层，以及位于二维导电材料层下方的二维介电材料层。本申请通过使用二维导电材料键合共面波导，利用其高电导率的特性减小趋肤效应损耗。二维导电材料均匀覆盖在需要连接的导体表面，提高了键合部分传输线的均匀性，减少高频传输反射，保证传输带宽；且二维导电材料和金属之间无需形成焊点，避免造成金属电极损伤。
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