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公开(公告)号：CN119110667A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310681326.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请提供一种基于电场调控交换偏置场的磁存储器，涉及磁存储器领域，包括：自下而上依次贴合的反铁磁层、绝缘插入层、自由层、势垒层及固定层；其中，所述绝缘插入层保持所述反铁磁层与所述自由层之间产生的交换偏置场；当所述绝缘插入层被施加纵向电压时，所述自由层与所述反铁磁层之间形成纵向电场，所述交换偏置场发生翻转，所述自由层磁矩翻转，实现信息写入。本申请能够通过电场调控绝缘插入层上下界面的原子或离子的状态，改变磁近邻效应，从而使得交换偏置场发生大小变化及方向变化，带动自由层实现信息写入。
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公开(公告)号：CN115275551B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210924721.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请公开了一种低损耗共面波导键合结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该低损耗共面波导键合结构包括：位于第一基底上的第一共面波导；位于第二基底上且与第一共面波导结构相同的第二共面波导；以及将第一共面波导和第二共面波导的导体一一对应连接的多个二维异质结构；所述二维异质结构包括用于传输信号的二维导电材料层，以及位于二维导电材料层下方的二维介电材料层。本申请通过使用二维导电材料键合共面波导，利用其高电导率的特性减小趋肤效应损耗。二维导电材料均匀覆盖在需要连接的导体表面，提高了键合部分传输线的均匀性，减少高频传输反射，保证传输带宽；且二维导电材料和金属之间无需形成焊点，避免造成金属电极损伤。
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公开(公告)号：CN115701271A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110873391.8
申请日：2021-07-30
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性随机存储器及装置，所述磁性随机存储器包括：种子层，具有第一晶向；自旋轨道矩配线层，设于所述种子层上，所述自旋轨道矩配线层的晶格结构受到所述种子层的作用而具有第二晶向，当向自旋轨道矩配线层输入自旋轨道矩电流时，所述自旋轨道矩配线层形成面外方向的类阻尼矩；磁隧道结，设于所述自旋轨道矩配线层上，本发明可使自旋轨道矩配线层具有面外方向类阻尼矩的自旋轨道矩，且具有较大的电流‑自旋流转化效率(自旋霍尔角)既能提高翻转效率，也能够在翻转垂直磁各向异性磁矩时避免额外打破对称性的外加磁场。
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公开(公告)号：CN115275551A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210924721.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请公开了一种低损耗共面波导键合结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该低损耗共面波导键合结构包括：位于第一基底上的第一共面波导；位于第二基底上且与第一共面波导结构相同的第二共面波导；以及将第一共面波导和第二共面波导的导体一一对应连接的多个二维异质结构；所述二维异质结构包括用于传输信号的二维导电材料层，以及位于二维导电材料层下方的二维介电材料层。本申请通过使用二维导电材料键合共面波导，利用其高电导率的特性减小趋肤效应损耗。二维导电材料均匀覆盖在需要连接的导体表面，提高了键合部分传输线的均匀性，减少高频传输反射，保证传输带宽；且二维导电材料和金属之间无需形成焊点，避免造成金属电极损伤。
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公开(公告)号：CN110660425B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201910850941.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本申请提供一种自旋随机存储器及使用方法，包括：存储分区阵列，包括多个存储分区；温度传感器，用于检测每个存储分区的温度；控制器，基于每个存储分区的温度，输出读写控制信号，以控制每个所述存储分区各自的数据读写的电压和/或频率。本申请的自旋随机存储器，当温度过高时，可以控制降低读写电压或者频率，当温度过低时，提供读写电压或者频率，维持存储器的温度，进而解决了自旋随机存储器的在低温区的写操作失败以及高温区的读错误问题，加大自旋随机存储器的可靠性工作范围，提高自旋随机存储器的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113176427A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110436616.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R1/073
Abstract: 本发明提供一种射频桥接探针，包括：微波传输结构以及分别对称连接于所述微波传输结构两端的两个探针组件；两个所述探针组件分别连接微带传输线；所述微波传输结构包括信号通道、屏蔽层以及中间介质；所述探针组件包括一第一探针和一第二探针；所述第一探针与所述微波传输结构的信号通道连接，所述第二探针与所述微波传输结构的屏蔽层连接。射频桥接探针，可用于连接两侧的微带传输线或共面波导结构，其极限带宽可以保证DC‑hGHz信号传输的完整性。
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公开(公告)号：CN110660424B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910850870.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本申请提供的自旋随机存储器及方法，通过在每个存储分区中设置第二磁性隧道结，第二磁性隧道结通过电流控制保持反平行态，进而可以检测每个存储分区的温度，然后传输给控制电路，从而控制电路基于接收的温度输出写入控制信号，控制写入的频率，从而当温度过低时，可以控制降低写入频率，反之亦然，进而解决了自旋随机存储器的在低温区的写操作失败问题，加大自旋随机存储器的可靠性工作范围，提高自旋随机存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN105206945A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510608146.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: H01Q21/00
Abstract: 一种基于毫米波线性天线阵列摆向设计的性能优化方法，该方法有三大步骤：步骤一：测定信号角；步骤二：调整天线角度；步骤三：波束成型传输信号。本发明在城市环境中通过测量选择能量最大的两条信号路径，判断他们在发送(接收)天线阵列的发送角(到达角)以及其夹角关系，调整发送(接收)天线阵列的最优摆向，并利用波束成型技术在这两径上均匀分配功率传输信号的方法。它相较于传统注水策略波束成型技术，通信速率的减少少于0.6bit/s/Hz，且在高信噪比的情况下，通信速率的减小将可忽略不计。
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公开(公告)号：CN117529214A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311537749.5
申请日：2023-11-17
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供了一种可高密度集成的磁隧道结、磁随机存储器及其写入方法，磁隧道结由下至上分别包括：自旋轨道矩产生层、自由层、势垒层、参考层和钉扎层，所述自由层包括反铁磁层和人工合成反铁磁层，所述反铁磁层设置在所述自旋轨道矩产生层之上，所述人工合成反铁磁层包括依次设置的铁磁层、间隔层和铁磁层。本发明反铁磁层与自由层之间的交换偏置场可控制自由层的磁矩方向，从而使得反铁磁层磁序与铁磁层磁序相关联，由于反铁磁层的高稳定性，使得自由层磁矩的稳定性大大提高；调控人工合成反铁磁层的膜层材料及厚度，可以实现几乎为零的杂散场，降低器件之间的相互影响，从而缩近器件间距，提高存储密度。
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公开(公告)号：CN113176427B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110436616.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R1/073
Abstract: 本发明提供一种射频桥接探针，包括：微波传输结构以及分别对称连接于所述微波传输结构两端的两个探针组件；两个所述探针组件分别连接微带传输线；所述微波传输结构包括信号通道、屏蔽层以及中间介质；所述探针组件包括一第一探针和一第二探针；所述第一探针与所述微波传输结构的信号通道连接，所述第二探针与所述微波传输结构的屏蔽层连接。射频桥接探针，可用于连接两侧的微带传输线或共面波导结构，其极限带宽可以保证DC‑hGHz信号传输的完整性。
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