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公开(公告)号：CN114415937B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202111480613.6
申请日：2021-12-06
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明公开了一种非易失存储的存储控制器及控制方法，针对应用场景及外界环境恶劣等场景通过应用非易失MRAM存储改善系统的可靠性、能效性和干抗扰性。微存储控制器的内部具有存储，主要存储当前小容量MRAM的空闲存储余量的地址信息和已存储容量的标记信息。当CPU通过控制线、地址线和数据线与微存储控制器交互读/写命令。微存储控制器再根据内部存储信息唤醒需要读/写的MRAM存储。当需要读取信息时将从MRAM中读取的数据进行重组传输给CPU。当需要写入信息时将数据分组写在不同的MRAM存储块内完成信息写入工作。该方式可以解决小容量非易失存储MRAM使用的管理问题。同时提升系统的可靠性、能效性和抗干扰性的问题。
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公开(公告)号：CN114442924B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111478123.2
申请日：2021-12-06
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种不规则控制器的控制方法及装置，通过应用不规则控制器在MRAM存储器中，增强MRAM存储的可靠性，采用不规则控制器可以优化外界对MRAM存储控制器的破坏带来的影响；采用主控制器和辅控制器共同监测和管理同一MRAM存储块，在恶劣环境中使用MRAM存储可以提升存储的可靠性；增加MRAM存储的主控制器和辅控制器之间的交互信号，当主控制器执行任务正常时会发送信号给辅控制器，辅控制器根据主控制器的反馈信号来判断是否需要辅助主控制器的工作；通过逻辑判断方式，若辅控制器超过三次没有接收到来自主控制器的信号，辅控制器将作为该MRAM存储块的主控制器完成接下来的工作。
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公开(公告)号：CN113791737B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111079679.4
申请日：2021-09-15
申请人： 北京航空航天大学 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明提供一种非易失性存储阵列的软错误检测方法及装置，所述方法包括：获取第一存储单元的存储状态和对应的第二存储单元的存储状态；若判断获知所述第一存储单元的存储状态与对应的第二存储单元的存储状态相同，则终止读取操作；其中，所述第一存储单元与对应的第二存储单元是物理隔离的。所述装置用于执行上述方法。本发明实施例提供的非易失性存储阵列的软错误检测方法及装置，避免读取错误数据，提高了非易失性存储阵列的可靠性。
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公开(公告)号：CN113778336B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111050031.4
申请日：2021-09-08
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种非易失性存储器及其数据处理方法，所述非易失性存储器包括控制器、译码器和存储器阵列，其中：控制器分别与所述译码器和所述存储器阵列相连；存储器阵列包括真随机数发生单元和物理不可克隆函数单元，真随机数发生单元用于产生随机数序列，控制器根据所述随机数序列和预设算法生成随机字符串，并将生成的随机字符串存储到物理不可克隆函数单元形成物理不可克隆函数。所述数据处理方法应用于上述非易失性存储器。本发明实施例提供的非易失性存储器及其数据处理方法，利用存储器阵列实现随机字符串的生成和存储，从而实现PUF与存储器的复用以及PUF的刷新，无需使用外部独立的TRNG，减少了硬件安全电路的体积。
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公开(公告)号：CN116844597A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210299223.7
申请日：2022-03-25
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本申请实施例提供一种基于自旋轨道矩的存储单元、阵列、电路、及方法，其中存储单元包括：一第一晶体管和一对第二晶体管；以及磁性隧道结，其包括依次层叠的自旋耦合层、自由层、势垒层以及固定层。本发明三个晶体管和一个三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器件组成一个存储单元，与传统的采用两个晶体管和一个三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器件组成一个存储单元的结构相比，提高了写入效率，并且没有增加面积，有利于提高集成度。
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公开(公告)号：CN116741217A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310817783.1
申请日：2023-07-05
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供了一种磁性随机存储单元，包括第一存储器、第二存储器、第一开关元件和第二开关元件；其中，所述第一存储器包括第一自旋轨道矩层以及设置在所述第一自旋轨道矩层上的第一磁隧道结；所述第二存储器包括第二自旋轨道矩层以及设置在所述第二自旋轨道矩层上的第二磁隧道结，所述第一自旋轨道矩层的第一输入端通过所述第一开关元件与第一信号线连接，所述第一自旋轨道矩层的第一输出端与所述第二自旋轨道矩层的第二输入端通过所述第二开关元件连接，所述第二自旋轨道矩层的第二输出端与第二信号线连接；本发明可解决现有多位数据存储的磁性随机存储单元的工艺复杂，数据读写性能差的问题。
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公开(公告)号：CN111596891B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010385623.0
申请日：2020-05-09
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： G06F7/58
摘要： 本发明提供了一种真随机数发生装置及发生方法。所述发生装置包括控制模块、随机数发生模块和随机数读取模块；所述随机数发生模块包括自旋轨道矩层以及设于所述自旋轨道矩层上的多个磁隧道结；所述控制模块用于基于用户的随机数生成指令形成随机数生成信号；所述随机数读取模块用于基于所述控制模块传输的随机数生成信号向两个所述磁隧道结输入预设信号，基于所述预设信号的放电情况得到随机数输出信号，本发明可解决现有技术中真随机数发生器硬件开销大、工作频率受限和高功耗的问题。
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公开(公告)号：CN116096211A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310061098.0
申请日：2023-01-20
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本申请提供了一种磁性存储单元及计算机设备，所述磁性存储单元包括自旋轨道耦合层以及设于所述自旋轨道耦合层上的多个磁隧道结；所述自旋轨道耦合层包括至少三个朝向不同方向设置的用于分别输入自旋轨道矩电流的支路；至少两个所述支路的每个支路上设置有至少一个磁隧道结，且所述多个磁隧道结的易磁方向相同。本申请可实现多个磁隧道结的一次性数据写入，并且降低多磁隧道结的磁性存储单元的工艺复杂度，优化数据写入方式。
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公开(公告)号：CN113450847B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202011115973.1
申请日：2020-10-19
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供了一种基于磁性存储器的逻辑计算单元、方法及全加器，所述逻辑计算单元包括加法电路；所述加法电路包括用于存储加数的第一磁性存储器、与所述第一磁性存储器连接的第一通路和第二通路；所述第一通路用于响应于被加数信号进行加数与被加数的或运算，所述第二通路用于响应于加数信号和被加数信号完成加数与被加数的异或运算得到存储于所述第一磁性存储器中的第一异或结果，本发明的逻辑计算单元无静态功耗，写入速度快。
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公开(公告)号：CN113380287B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010114888.7
申请日：2020-02-25
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供了一种磁性存储单元结构及其数据写入方法，磁性存储单元结构包括强自旋轨道耦合层以及设于所述强自旋轨道耦合层上的磁隧道结，强自旋轨道耦合层包括形成预设夹角的第一路径和第二路径，所述第一路径和所述第二路径分别包括设于所述磁隧道结两侧的两个输入端，所述方法包括：通过所述第一路径或第二路径的两个输入端中的其中一个向所述强自旋轨道耦合层输入第一段电流；通过与所述第一段电流不同的路径向所述强自旋轨道耦合层输入预设时间长度的第二段电流以使所述自由层的磁矩发生翻转，其中，输入所述第二段电流的输入端根据所述第一段电流的输入端、待写入数据和所述参考层的磁矩方向确定，本发明可保证磁隧道结磁矩的确定性翻转。
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