基于H桥PWM双向PID无极调节的TEC温控电路

    公开(公告)号:CN116860040A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310938191.5

    申请日:2023-07-28

    IPC分类号: G05D23/20

    摘要: 本发明公开了一种基于H桥PWM双向PID无极调节的TEC温控电路,其采用国产低成本小体积直流有刷电机驱动芯片(集成H桥)驱动TEC半导体加热制冷片,并由低成本国产单片机输出PWM信号进行温度控制,单片机通过按键接收温度设定,通过负温度NTC传感器采集温度,由改进的双向冷热转换PID算法输出PWM信号驱动电机驱动芯片,并经过LC滤波电路接入TEC半导体加热制冷片,实现大电流小体积低成本的温控电路。

    一种热电微导的针灸针
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116459156A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202310447390.6

    申请日:2023-04-20

    IPC分类号: A61H39/08 A61H39/00 A61N1/36

    摘要: 本发明提供了一种热电微导的针灸针,涉及中医针灸技术领域,解决了现有技术中存在的电针仪需要接外部电源经毫针输出脉冲电流才能作用于人体穴位,以及电针和温针不能同时使用的技术问题。该热电微导的针灸针包括针主体部、连接部以及微电流产生部,针主体部通过连接部与微电流产生部相连接,微电流产生部的外围设置有艾灸热源,其中,微电流产生部包括热电材料件,热电材料件在艾灸热源作用下通过热电效应产生微电流,针灸针能通过热电材料件将其产生的微电流引入针主体部,针主体部上远离连接部的端部作用于人体内。本发明中的针灸针使用时无需外接电源,功能多样,使用方便。

    一种基于飞秒激光可控刻蚀的薄膜材料图案化加工方法

    公开(公告)号:CN112975142A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110229642.9

    申请日:2021-03-02

    IPC分类号: B23K26/362 B23K26/064

    摘要: 本发明涉及一种基于飞秒激光可控刻蚀的高精度薄膜材料快速图案化加工方法,通过先在基底上沉积一层薄膜材料,再利用飞秒激光在薄膜材料上进行刻蚀图案化,最后将图案化的材料置于酒精中进行超声清洗后烘干,即得图案化的薄膜材料。本发明所述图案化加工方法,加工精度高,图案尺寸误差可达±3%以内;工艺简单,加工效率高;利用紫外飞秒激光的冷加工特性,降低对薄膜的热损伤;精确控制激光能量,不会对基底材料产生损伤;不使用任何有毒试剂,环保安全。

    一种高集成度热电薄膜器件制备方法

    公开(公告)号:CN112768596B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202110160798.6

    申请日:2021-02-05

    IPC分类号: H10N10/01 H10N10/17

    摘要: 本发明公开了一种高集成度热电薄膜器件制备方法,属于热电薄膜材料与器件技术领域。本发明通过飞秒激光加工下电极掩模板、P型热电臂掩模板、N型热电臂掩模板和上电极掩模板;将下电极掩模板与器件基底贴合;采用磁控溅射方法在器件基底表面沉积出图案化的下电极;将P型热电臂掩模板与器件进行对准;采用磁控溅射方法沉积出P型热电臂;将N型热电臂掩模板与器件进行对准;采用磁控溅射方法沉积出N型热电臂;通过无掩模光刻的方法制备出绝缘层;将上电极掩模板与器件进行对准;采用磁控溅射或喷涂方法沉积出上电极,得到高集成度热电薄膜器件,单个热电臂的尺寸范围为150~300μm。本发明具有成本低、制备过程便捷快速的优点。

    一种骨科手术用激光设备及使用方法

    公开(公告)号:CN113231751B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202110545120.X

    申请日:2021-05-19

    摘要: 本发明提供了一种骨科手术用激光设备及使用方法,涉及医疗器械技术领域,解决了骨科手术用激光设备步骤繁琐,且散热效果差、热损伤难以抑制、清洁效果差的技术问题。该骨科手术用激光设备包括组合作用单元、激光单元、超声与测距单元、固定钉植入单元、负压抽气除尘单元和冷气单元,还包括三套伸缩机构;使用方法包括设备与待钻孔部位对齐、设备基本设置及固定、激光器参数设定、激光钻孔、超声与测距和负压清洁处理、固定钉植入。本发明利用负压吸引方式进行钻孔部位的抽气除尘,净化效果好,通过冷气单元,与激光一起进行边钻孔边降温,降温效果好,可使用大功率的激光器,适用范围更广。

    高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置

    公开(公告)号:CN112117230A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202011116538.0

    申请日:2020-10-19

    IPC分类号: H01L21/683 H01L21/68

    摘要: 本申请涉及一种高密度图案化加工的衬底‑掩模板原位保持装置,包括真空连接台、底座、衬底保持器和掩模板保持器,所述真空连接台设置第一快速插口和气口;所述底座的上端面设置有第一凸台和第一气孔,所述底座连接在所述真空连接台的上端面、且所述第一气孔与所述气口连通;衬底保持器设置保持槽、连接孔和紧固组件;掩模板保持器设置有镂空孔和悬臂,所述悬臂的上端面设置有第二快速插口、下端面设置有第二气孔。如此设置,本装置结构简单,便于操作,在对准操作后即可将衬底和掩模板保持固定,有利于实现高密度阵列结构薄膜器件的高效制备,并在薄膜器件制备各个工艺之间样品的快速转移。

    高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置

    公开(公告)号:CN111710639A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010701252.2

    申请日:2020-07-20

    IPC分类号: H01L21/68

    摘要: 本申请涉及一种高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置,包括有支撑装置、位于支撑装置上方基片保持器、连接支撑装置与基片保持器并用于带动基片保持器相对于支撑装置水平位移的水平移动单元、位于基片保持器上方的载荷夹具、连接支撑装置和载荷夹具并用于带动载荷夹具相对于支撑装置竖直位移的竖直移动单元、位于载荷夹具上方的光学观测单元和连接支撑装置和光学观测单元并用于带动光学观测单元相对于支撑装置水平或竖直位移的支架移动单元,载荷夹具中部设置有观测孔。如此设置,本设备简单,成本低,可以实现非硅基基片与各种掩模板的对准,以及多层图案连续多次对准,有利于提升非硅基薄膜器件的制备效率。

    一种探脉手环装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117860222A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311854985.X

    申请日:2023-12-29

    IPC分类号: A61B5/024 A61B5/00

    摘要: 本发明公开了一种探脉手环装置,该装置将加压元件作为支点,通过加压元件作用在主机壳体底部或腕带底部,基于杠杆原理使得脉搏传感器受到的压力发生改变,并通过独立控制器单独调控脉搏传感器压力变化的程度,从而实现了对单个脉象的精准调压。又由于所述脉搏传感器的位置分别对应寸关尺三脉位置,从而能够实现对寸关尺脉象的精准定位。并且本发明公开的探脉手环结构简单,具有较高的实用性和灵活性。

    一种可定深度冷/热理疗的设备及方法

    公开(公告)号:CN116392313A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310270871.4

    申请日:2023-03-20

    IPC分类号: A61F7/00 A61F7/03 A61N1/18

    摘要: 本发明公开了一种可定深度冷/热理疗的设备,包括第一热能理疗单元、第二热能理疗单元和控制单元,所述第一热能理疗单元包括第一冷热发生体以及包覆于所述第一冷热发生体上的第一理疗面,所述第二热能理疗单元包括第二冷热发生体以及包覆于所述第二冷热发生体上的第二理疗面;所述第一理疗面与第二理疗面之间通过具有热阻的热桥相连;所述第一热能理疗单元和第二热能理疗单元上均设置有用于将自身热/冷排出的热沉;所述控制单元用于控制所述第一热能理疗单元、第二热能理疗单元和热沉的工作;本发明还公开了一种理疗方法。本发明能有效避免定深度冷/热理疗过程中浅表组织受附带性热/冻伤。

    一种高集成度热电薄膜器件制备方法

    公开(公告)号:CN112768596A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202110160798.6

    申请日:2021-02-05

    IPC分类号: H01L35/34 H01L35/32

    摘要: 本发明公开了一种高集成度热电薄膜器件制备方法,属于热电薄膜材料与器件技术领域。本发明通过飞秒激光加工下电极掩模板、P型热电臂掩模板、N型热电臂掩模板和上电极掩模板;将下电极掩模板与器件基底贴合;采用磁控溅射方法在器件基底表面沉积出图案化的下电极;将P型热电臂掩模板与器件进行对准;采用磁控溅射方法沉积出P型热电臂;将N型热电臂掩模板与器件进行对准;采用磁控溅射方法沉积出N型热电臂;通过无掩模光刻的方法制备出绝缘层;将上电极掩模板与器件进行对准;采用磁控溅射或喷涂方法沉积出上电极,得到高集成度热电薄膜器件,单个热电臂的尺寸范围为150~300μm。本发明具有成本低、制备过程便捷快速的优点。