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公开(公告)号：CN114065674A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F30/33
摘要： 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN114062740A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111189327.4
申请日：2021-10-12
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R1/18
摘要： 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。
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公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F30/33
摘要： 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN117590206B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410078761.2
申请日：2024-01-19
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本公开涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种可调节芯片测试板和芯片测试方法，所述可调节芯片测试板包括：母板，包括至少一个测试位，所述测试位连接到多条引线，所述引线用于连接待测芯片的相应管脚；跳线区，设置于所述母板；所述跳线区包括至少一个跳线电路，所述跳线电路包括拉偏电阻和拉偏电阻开关；所述引线通过所述跳线电路连接到预设电平。本公开的技术方案通过在芯片测试板上设置跳线区，解决了无法根据测试时芯片的表现对芯片测试板的拉偏状态进行调整的技术问题，达到根据芯片测试需求，灵活设置待测芯片各个管脚的拉偏状态，无需更换新的芯片测试板的技术效果。
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公开(公告)号：CN117590206A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202410078761.2
申请日：2024-01-19
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本公开涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种可调节芯片测试板和芯片测试方法，所述可调节芯片测试板包括：母板，包括至少一个测试位，所述测试位连接到多条引线，所述引线用于连接待测芯片的相应管脚；跳线区，设置于所述母板；所述跳线区包括至少一个跳线电路，所述跳线电路包括拉偏电阻和拉偏电阻开关；所述引线通过所述跳线电路连接到预设电平。本公开的技术方案通过在芯片测试板上设置跳线区，解决了无法根据测试时芯片的表现对芯片测试板的拉偏状态进行调整的技术问题，达到根据芯片测试需求，灵活设置待测芯片各个管脚的拉偏状态，无需更换新的芯片测试板的技术效果。
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公开(公告)号：CN115356606A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210929159.6
申请日：2022-08-03
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及电力技术领域，具体涉及一种隔离器件耐压测试的装置、制造方法及耐压测试的方法，所述装置包括：一对夹具、PCB板、金属和底座；所述一对夹具固定于所述底座上；每个夹具包括上夹板和下夹板，所述下夹板上设置所述PCB板，所述PCB板上设置所述金属；其中，当隔离器的两侧端子分别接触所述金属短接时，所述隔离器与所述底座之间为空气隔开。本公开提供的装置，隔离器与底座之间由空气隔开，利用空气绝缘性较好的原理，可以大大提高隔离器耐压测试的上限，防止在隔离器测试过程当中，因测试工装自身耐压不足产生闪络、火花等击穿现象，从而可以在较高的测试电压下测试隔离器，能够更加全面的评估隔离器的性能指标。
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公开(公告)号：CN217156734U
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202221594855.8
申请日：2022-06-24
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及硬件测试技术领域，具体涉及公开了一种HAST测试板及测试设备，该HAST测试板包括：至少一个测试座，每个测试座用于放置一个待测芯片，所述测试座包括多个插口，各测试座中的同一个插口相连至同一端口，针对用于插入信号类管脚的任一信号类插口，所述信号类插口连接至对应的信号类端口，所述信号类端口通过可拆卸连接件连接第一电源端口或接地端口；所述可拆卸连接件连接所述信号类端口和所述第一电源端口时，所述信号类端口连接第一电源端口；所述可拆卸连接件连接所述信号类端口和所述接地端口时，所述信号类端口连接接地端口。该技术方案可以提高测试的灵活性，主要用于对芯片进行HAST测试。
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公开(公告)号：CN217387104U
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202221014267.2
申请日：2022-04-27
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/66
摘要： 本实用新型实施例提供一种用于芯片在非工作状态下可靠性测试的装载用具，属于电子元器件测试领域。所述装载用具包括基板，所述基板上开设有多个流通孔，所述流通孔均匀分布在所述基板上，所述流通孔用于流通空气；所述基板的其中三条侧边上设置有板边，三条侧边上的板边围合形成门字形，所述板边的外边沿与所述基板的外边沿齐平。该基板上开设多个流通孔，便于测试箱内部气体与放置在基板上的芯片充分接触，门字形板边能够在移动过程中防止芯片从侧边滑落；门字形板边的开口侧便于倒出芯片。
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公开(公告)号：CN118965818A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411427801.6
申请日：2024-10-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司营销服务中心
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/04
摘要： 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质，所述方法包括：通过参数预测试获取半导体器件的参数信息；根据半导体器件的参数信息构造测试条件用于对半导体器件进行寿命预测试，以获取半导体器件在不同测试条件下的寿命预测试数据，根据寿命预测试数据确定多个目标参数中的最快退化参数和不同测试条件中的最快退化测试条件；寿命测试数据是使用最快退化参数和最快退化测试条件对半导体器件进行正式寿命测试得到的；基于寿命测试数据，采用插值计算或者数学模型拟合计算半导体器件寿命。本公开可以解决如何准确预测某些退化曲线容易饱和的半导体器件的寿命的问题。
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