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公开(公告)号：CN113887734B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111482824.3
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率，在自由层端增设一个奥斯特场，基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层，从而造成势垒层寿命降低的问题。
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公开(公告)号：CN113887734A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111482824.3
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率，在自由层端增设一个奥斯特场，基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层，从而造成势垒层寿命降低的问题。
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公开(公告)号：CN111785828B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010631131.5
申请日：2020-07-03
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种基于斯格明子的人工突触器件，包括：由下至上依次设置的底电极层、重金属层、斯格明子层、隧穿势垒层、参考层以及顶电极层；其中，该底电极层、该重金属层、该斯格明子层的底面均为圆形，直径为第一直径，该隧穿势垒层、该参考层以及该顶电极层的底面均为圆形，直径为第二直径，该第一直径大于该第二直径。由于斯格明子在能量上具有拓扑不连续性，因而具有更高的稳定性、更低的系统功耗及面积，并且斯格明子具有容易移动、不受晶格钉扎影响的特性，使得基于斯格明子的人工突触器件的速度更高、能耗低、密度高。
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公开(公告)号：CN111785828A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010631131.5
申请日：2020-07-03
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种基于斯格明子的人工突触器件，包括：由下至上依次设置的底电极层、重金属层、斯格明子层、隧穿势垒层、参考层以及顶电极层；其中，该底电极层、该重金属层、该斯格明子层的底面均为圆形，直径为第一直径，该隧穿势垒层、该参考层以及该顶电极层的底面均为圆形，直径为第二直径，该第一直径大于该第二直径。由于斯格明子在能量上具有拓扑不连续性，因而具有更高的稳定性、更低的系统功耗及面积，并且斯格明子具有容易移动、不受晶格钉扎影响的特性，使得基于斯格明子的人工突触器件的速度更高、能耗低、密度高。
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公开(公告)号：CN118678691A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310268159.0
申请日：2023-03-14
摘要： 本申请涉及一种热辅助SOT‑MRAM器件、存储阵列以及存储芯片。器件包括：顶电极、至少一个磁隧道结、写电流通道层、隔热层和衬底，所述磁隧道结包括依次堆叠的参考层、隧穿层和磁性自由层，所述写电流通道层位于所述衬底上方，所述磁隧道结位于所述写电流通道层上方，所述顶电极位于所述磁隧道结上方，所述隔热层位于以下至少一个部位：所述写电流通道层下方、处于所述写电流通道层与所述衬底之间；所述写电流通道层上方且至少处于所述磁隧道结的两侧。能够降低SOT‑MRAM的写电流和功耗，并且写电流的减小可以减小写入晶体管的面积，增大存储密度。
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