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公开(公告)号：CN117629470A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311405032.5
申请日：2023-10-27
申请人： 北京遥测技术研究所
IPC分类号： G01L1/22
摘要： 本发明提供一种薄膜应变式摩阻传感器，包括受力浮动单元、应力传递杆、应变十字架、绝缘介质膜层、温度补偿金属电路、惠斯通电路、金属焊盘、印制板和金属引线。本发明中，浮动单元、应力传递杆、十字架由机加成型，通过焊接、螺纹连接、粘接的方式互连，应变电路通过MEMS薄膜沉积、微纳图形光刻刻蚀等工艺制备；灵敏度高，对高温环境耐受性强；该结构设计的薄膜电路远离浮动单元，温度耐受性更强，且由MEMS工艺加工制备的微电路图形一致性更好，传感器的性能指标更高，且应变电路上集成了温度补偿电路，提升了传感器的耐温性能。
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公开(公告)号：CN115411476A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210996964.0
申请日：2022-08-19
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明提供一种小型化全金属结构的微同轴微波滤波器芯片，包括：滤波器外导体、微同轴内导体和射频端口。本发明使用微同轴工艺分层制备，通过在硅晶圆衬底上多次反复运用旋涂光刻胶、匀胶、烘干、曝光、显影、电铸、研磨、抛光等微加工工艺，在完成各层制备后利用研磨工艺去除硅晶圆衬底，最后去除光刻胶从而完成滤波器的加工。本发明基于微同轴制备工艺，通过采用准封闭的微同轴多腔耦合谐振结构，结合内外导体多点连通设计，从而实现滤波器的小型化、轻量化、高制备精度、电磁内部封闭、静电屏蔽、高带外抑制的同时，避免采用微同轴内导体介质支撑结构，实现了滤波器的全金属化、低损耗、高功率容量和强环境适应能力。
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公开(公告)号：CN118763374A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410809996.4
申请日：2024-06-21
申请人： 北京遥测技术研究所
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明提供一种小型化微同轴宽带不等分功分器芯片，包括不等功分外导体、不等功分内导体、支撑介质、输入端口、第一输出端口和第二输出端口。本发明采用高度小于1mm的矩形微同轴传输线结构作为微同轴腔体枝节，结合腔体枝节的折叠设计，实现了不等分功分器的小型化、低损耗和电磁内部封闭；利用微同轴传输线的双导体、准封闭结构，通过少量使用介质支撑，使得设计的不等分功分器芯片还具备低损耗的优点。相比常见微带T型结功分器，几乎全金属化的微同轴不等分功分器芯片具有损耗更低、重量更轻、工作频率更高、功率容量更大的优势，采用微同轴系列工艺进行制备，精度达微米量级，因此可用于制备毫米波甚至太赫兹频段微同轴宽带不等分功分器芯片。
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公开(公告)号：CN112563132A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011267262.6
申请日：2020-11-13
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种表面异质结构的快速减薄抛光方法，减薄抛光过程中利用化学试剂改变金属材质的表面状态和性质，降低其分离时所需要的磨削力，控制金属和光刻胶的去除速率在同一水平。该工艺方法摒弃了铸铁盘的纯机械研磨，避免纯粹的物理磨削作用导致的金属结构拉伸变形，有效控制图形尺寸精度以及平面平整度，且其减薄抛光的速率可达2‑3μm/min。
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公开(公告)号：CN110625460A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910882311.8
申请日：2019-09-18
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： B24B7/22 , B24B49/03 , B24B29/02 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法，实现基片表面为异种材质，非单一材质，特别是由金属材质和胶类材质的组成的表面结构的减薄抛光。减薄抛光的主要步骤有机械减薄、机械抛光、化学机械抛光。本发明解决了由于异质结构的硬度、密度不同，造成在平坦化过程中异质结构的切削速率不同，导致晶圆基片表面异质结构的高度差较大问题。采用本发明工艺方法，平坦化后的晶圆基片表面整体平整度可控制在(3～10)μm以内，其表面异质结构间高度差在1μm以内，表面金属材质区域的粗糙度小于1nm。
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公开(公告)号：CN117890010A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311668530.9
申请日：2023-12-07
申请人： 北京遥测技术研究所
IPC分类号： G01L19/04
摘要： 本发明提供一种MEMS高精度谐振式压力传感器全温区补偿方法，包括以下步骤：采集被测谐振压力传感器在不同的工作温度点Ti，及其对应的量程范围内不同压力点Pj下的测压频率数据Xij与测温电压数据Yij；将谐振压力传感器的测压频率数据Xij与测温电压数据Yij分别进行归一化处理，得到xij与yij；将被测谐振压力传感器所处环境的标准压力源输出压力Pj、与Pj对应的xij和yij制作三维数据矩阵表，带入全温区补偿算法模型，进行三维曲面拟合计算得到全温区补偿算法模型所有系数Kmn。与传统补偿算法相比，本发明对谐振压力传感器原始输出数据进行归一化处理后，降低了补偿算法中数据计算的复杂性，提高了补偿算法数据计算精度，在谐振压力传感器整个工作温度区间内都具有更好的补偿效果。
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公开(公告)号：CN115411476B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210996964.0
申请日：2022-08-19
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明提供一种小型化全金属结构的微同轴微波滤波器芯片，包括：滤波器外导体、微同轴内导体和射频端口。本发明使用微同轴工艺分层制备，通过在硅晶圆衬底上多次反复运用旋涂光刻胶、匀胶、烘干、曝光、显影、电铸、研磨、抛光等微加工工艺，在完成各层制备后利用研磨工艺去除硅晶圆衬底，最后去除光刻胶从而完成滤波器的加工。本发明基于微同轴制备工艺，通过采用准封闭的微同轴多腔耦合谐振结构，结合内外导体多点连通设计，从而实现滤波器的小型化、轻量化、高制备精度、电磁内部封闭、静电屏蔽、高带外抑制的同时，避免采用微同轴内导体介质支撑结构，实现了滤波器的全金属化、低损耗、高功率容量和强环境适应能力。
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公开(公告)号：CN110625460B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910882311.8
申请日：2019-09-18
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： B24B7/22 , B24B49/03 , B24B29/02 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法，实现基片表面为异种材质，非单一材质，特别是由金属材质和胶类材质的组成的表面结构的减薄抛光。减薄抛光的主要步骤有机械减薄、机械抛光、化学机械抛光。本发明解决了由于异质结构的硬度、密度不同，造成在平坦化过程中异质结构的切削速率不同，导致晶圆基片表面异质结构的高度差较大问题。采用本发明工艺方法，平坦化后的晶圆基片表面整体平整度可控制在(3～10)μm以内，其表面异质结构间高度差在1μm以内，表面金属材质区域的粗糙度小于1nm。
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公开(公告)号：CN118630479A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410774490.4
申请日：2024-06-17
申请人： 北京遥测技术研究所
摘要： 本发明提供一种超轻薄全金属结构的微同轴滤波线阵天线，包括微同轴滤波结构和微同轴缝隙线阵天线，其中，微同轴滤波结构由纵向矩形内导体和横向矩形内导体组成，微同轴缝隙线阵天线由辐射缝隙、耦合腔、调谐块、馈电缝隙和微同轴传输线组成。本发明基于微同轴制备工艺，通过一体化设计和制备微同轴滤波结构和微同轴缝隙线阵的方法，在实现微同轴滤波线阵天线超轻量化、低馈电损耗、高带外抑制、高辐射效率的同时，减小了辐射缝隙之间的间距，实现了微同轴滤波线阵天线的全金属化。本发明可作为单天线使用，也可组阵后用作超表面相控阵天线近场耦合馈电。
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公开(公告)号：CN112563132B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202011267262.6
申请日：2020-11-13
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种表面异质结构的快速减薄抛光方法，减薄抛光过程中利用化学试剂改变金属材质的表面状态和性质，降低其分离时所需要的磨削力，控制金属和光刻胶的去除速率在同一水平。该工艺方法摒弃了铸铁盘的纯机械研磨，避免纯粹的物理磨削作用导致的金属结构拉伸变形，有效控制图形尺寸精度以及平面平整度，且其减薄抛光的速率可达2‑3μm/min。
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