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公开(公告)号：CN103973225B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410216042.9
申请日：2014-05-21
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
摘要： 本发明一种高阻抗晶体谐振器串联振荡电路，包括C0补偿单元，与高阻抗晶体谐振器并联，用于实现对高阻抗晶体谐振器静态电容C0的补偿；I‑V转换电路，用于将流出高阻抗晶体谐振器的电流信号转换为电压信号；一个比较电路用于形成方波激励信号，反馈至高阻抗晶体谐振器一端，构成闭环回路；另一个比较电路用于形成方波输出信号，本发明可以方便而准确的实现对高阻抗晶体谐振器静态电容C0的补偿，对于高阻抗晶体谐振器的激振有很好的效果，同时电路调试方法简单，功耗较小，提供方波输出，方便与数字系统相连。
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公开(公告)号：CN103058126A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210512814.4
申请日：2012-11-30
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及石英微机械加工技术领域，具体是涉及一种三维石英微机械结构表面电极的加工方法。清洗三维石英微机械结构的金属膜表面；在清洗后的金属膜表面上喷胶得到光刻胶层，然后对光刻胶层进行曝光、显影，最后进行光刻胶层的坚膜；采用光刻胶层作掩膜，用化学腐蚀的方法对金属膜进行腐蚀，然后去除光刻胶层，完成三维微机械结构表面电极的加工。可对不同尺寸和形状的晶片进行喷胶，同时也可对大深宽比的三维石英微机械结构侧壁进行均匀涂胶；通过超声喷雾式喷胶，改善了三维微机械结构上光刻胶层的均匀性。通过在显影步骤中增加超声清洗环节，降低了光刻胶层对三维石英微机械结构基底材料的粘附性，杜绝了电极加工时的短路情况。
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公开(公告)号：CN107478862B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710567179.2
申请日：2017-07-12
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： G01P15/097
摘要： 一种基于金金键合的石英振梁加速度计敏感芯片，涉及石英振梁加速度计敏感芯片加工领域；每个敏感芯片包括敏感单元层、上防护单元层和下防护单元层；上防护单元层设置在敏感单元层的上表面，下防护单元层设置在敏感单元层的上表面；敏感单元层上表面安装有第一密封环，下表面固定安装有第二密封环；上防护单元层下表面固定安装有第三密封环；下防护单元层的上表面固定安装有第四密封环；上防护单元层的一侧对称设置有两个方孔；下防护单元层的上表面在对应位置对称设置有两个凸台；本发明有效解决了气密封装与内部电极引出难以兼容的矛盾；同时具有优良的可移植性，可推广至其他以石英、硅、玻璃等材料作为基材的MEMS器件制备工艺中。
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公开(公告)号：CN106568548A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610964608.5
申请日：2016-10-27
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： G01L9/12
CPC分类号： G01L9/12
摘要： 基于SOI‑MEMS技术的电容式绝压微压气压传感器，涉及一种电容式绝压微压气压传感器敏感芯片领域；包括SOI晶圆器件层、二氧化硅层、SOI晶圆衬底层和键合封装盖板玻璃；其中，SOI晶圆器件层为方形结构，且水平位于底部；二氧化硅层固定安装在SOI晶圆器件层的上表面；SOI晶圆衬底层固定安装在二氧化硅层的上表面；键合封装盖板玻璃固定安装在SOI晶圆衬底层的上表面；避免了电极引线贯穿真空腔封装键合界面，增加微压传感器的真空封装性能和可靠性，传感器的性能指标、一致性、成品率可以得到很好保证；所需微纳工艺简单、实现成本较低。
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公开(公告)号：CN103058126B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210512814.4
申请日：2012-11-30
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及石英微机械加工技术领域，具体是涉及一种三维石英微机械结构表面电极的加工方法。清洗三维石英微机械结构的金属膜表面；在清洗后的金属膜表面上喷胶得到光刻胶层，然后对光刻胶层进行曝光、显影，最后进行光刻胶层的坚膜；采用光刻胶层作掩膜，用化学腐蚀的方法对金属膜进行腐蚀，然后去除光刻胶层，完成三维微机械结构表面电极的加工。可对不同尺寸和形状的晶片进行喷胶，同时也可对大深宽比的三维石英微机械结构侧壁进行均匀涂胶；通过超声喷雾式喷胶，改善了三维微机械结构上光刻胶层的均匀性。通过在显影步骤中增加超声清洗环节，降低了光刻胶层对三维石英微机械结构基底材料的粘附性，杜绝了电极加工时的短路情况。
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公开(公告)号：CN103668054B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310611998.4
申请日：2013-11-26
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： C23C14/04
摘要： 本发明公开了一种石英微机械传感器电极蒸镀用的掩膜工装，包括上掩膜板（10）、下掩膜板（30）和固定夹具（40）；上掩膜板（10）包括第一框架（1）和第一薄板（3）；下掩膜板（30）包括第二框架（5）和第二薄板（8）；第二薄板（8）通过激光焊接方式固定在第二框架（5）的上表面；在第二框架（5）横向上形成吸气孔（4）；在第二框架（5）上靠近所述第二薄板（8）的外边缘的圆周方向上形成吸气槽（7），且吸气槽（7）与吸气孔（4）相通；通过所述固定夹具（40）依次将上掩膜板（10）、待加工基片（20）和下掩膜板（30）固定。本发明的掩膜工装结构简单、便于机加制作，同时能够很好地实现对电极的双面掩膜蒸镀。
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公开(公告)号：CN103668054A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310611998.4
申请日：2013-11-26
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： C23C14/04
摘要： 本发明公开了一种石英微机械传感器电极蒸镀用的掩膜工装，包括上掩膜板（10）、下掩膜板（30）和固定夹具（40）；上掩膜板（10）包括第一框架（1）和第一薄板（3）；下掩膜板（30）包括第二框架（5）和第二薄板（8）；第二薄板（8）通过激光焊接方式固定在第二框架（5）的上表面；在第二框架（5）横向上形成吸气孔（4）；在第二框架（5）上靠近所述第二薄板（8）的外边缘的圆周方向上形成吸气槽（7），且吸气槽（7）与吸气孔（4）相通；通过所述固定夹具（40）依次将上掩膜板（10）、待加工基片（20）和下掩膜板（30）固定。本发明的掩膜工装结构简单、便于机加制作，同时能够很好地实现对电极的双面掩膜蒸镀。
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公开(公告)号：CN102644058B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201210120266.0
申请日：2012-04-23
申请人： 北京遥测技术研究所
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明涉及一种真空镀膜机用基片翻转装置，包括转盘、基片工架、角度止挡块、指针、波叉、窗口压盖、波纹管、波纹管接口和拨叉杆，基片工架、角度止挡块、指针装配在一起安装在转盘上，窗口压盖、窗口玻璃、波纹管、波纹管接口、拨叉和拨叉杆装配在一起通过窗口压盖与镀膜机相连，通过操作拨叉杆、波纹管与指针完成真空状态下基片旋转角度的更改和基片晶面的翻转，该装置为手动操作装置，可用于溅射、热蒸发等物理气相沉积方法对基片进行镀膜，当基片需要进行确定角度的多次镀膜时，利用此装置可以对基片进行精确的角度更改，使基片只需进行一次抽真空便能完成对基片的多方向镀膜，不仅提高生产效率，减少工序时间，而且提高膜层质量。
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公开(公告)号：CN102644058A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210120266.0
申请日：2012-04-23
申请人： 北京遥测技术研究所
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明涉及一种真空镀膜机用基片翻转装置，包括转盘、基片工架、角度止挡块、指针、波叉、窗口压盖、波纹管、波纹管接口和拨叉杆，基片工架、角度止挡块、指针装配在一起安装在转盘上，窗口压盖、窗口玻璃、波纹管、波纹管接口、拨叉和拨叉杆装配在一起通过窗口压盖与镀膜机相连，通过操作拨叉杆、波纹管与指针完成真空状态下基片旋转角度的更改和基片晶面的翻转，该装置为手动操作装置，可用于溅射、热蒸发等物理气相沉积方法对基片进行镀膜，当基片需要进行确定角度的多次镀膜时，利用此装置可以对基片进行精确的角度更改，使基片只需进行一次抽真空便能完成对基片的多方向镀膜，不仅提高生产效率，减少工序时间，而且提高膜层质量。
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公开(公告)号：CN107478862A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710567179.2
申请日：2017-07-12
申请人： 北京遥测技术研究所 , 航天长征火箭技术有限公司
IPC分类号： G01P15/097
摘要： 一种基于金金键合的石英振梁加速度计敏感芯片，涉及石英振梁加速度计敏感芯片加工领域；每个敏感芯片包括敏感单元层、上防护单元层和下防护单元层；上防护单元层设置在敏感单元层的上表面，下防护单元层设置在敏感单元层的上表面；敏感单元层上表面安装有第一密封环，下表面固定安装有第二密封环；上防护单元层下表面固定安装有第三密封环；下防护单元层的上表面固定安装有第四密封环；上防护单元层的一侧对称设置有两个方孔；下防护单元层的上表面在对应位置对称设置有两个凸台；本发明有效解决了气密封装与内部电极引出难以兼容的矛盾；同时具有优良的可移植性，可推广至其他以石英、硅、玻璃等材料作为基材的MEMS器件制备工艺中。
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