公开(公告)号：CN113257942A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110449838.9

申请日：2021-04-25

申请人： 北京邮电大学

发明人： 段晓峰 ,  袁纬方 ,  黄永清 ,  刘凯 ,  李珂 ,  李玉 ,  蔡世伟

IPC分类号： H01L31/102 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种基于双吸收层结构的光探测器及其制备方法，所述光探测器包括：由下至上依次形成的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、刻蚀停止层、N接触层、收集层、第一带隙渐变的间隔层、第二带隙渐变的间隔层、双吸收层、第一组分与浓度渐变的电子阻挡层、第二组分与浓度渐变的电子阻挡层、P接触层、形成在所述刻蚀停止层上的n型接触电极以及形成在所述P接触层上的P型接触电极；所述双吸收层的厚度大于1μm，所述双吸收层为本征的光吸收层和P型光吸收层；本发明提供的光探测器具有高响应度、高带宽和低结电容等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。

公开(公告)号：CN115421230B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202211216915.7

申请日：2022-09-30

申请人： 北京邮电大学

发明人： 段晓峰 ,  杨晓伟 ,  袁纬方 ,  李玉 ,  董晓雯 ,  蔡世伟 ,  刘凯 ,  黄永清

IPC分类号： G02B3/00 ,  G02B7/02 ,  H01L31/0232

摘要： 本发明涉及一种具有支撑结构的集成微透镜及其制备方法，方法包括准备衬底、大孔径光刻版和微透镜直径的光刻版，在衬底上生长掩膜；在掩膜表面匀胶，用大孔径光刻版进行曝光，对衬底进行显影；对显影后的衬底进行掩膜开孔处理，进行高温ICP刻蚀；对高温ICP刻蚀后的衬底进行第二次匀胶，用微透镜直径的光刻版对第二次匀胶的衬底进行第二次曝光，对衬底进行第二次显影；对第二次显影后的衬底进行光刻胶热熔，形成微透镜形貌的胶型；对热熔后的衬底进行低温ICP刻蚀，将光刻胶的微透镜形貌复制到衬底上。本发明实现了受周围支撑的集成微透镜结构，制备过程周围支撑结构无需采取特殊防护处理，提高光探测器的光敏面积，有利于集成和封装。

公开(公告)号：CN113257942B

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202110449838.9

申请日：2021-04-25

申请人： 北京邮电大学

发明人： 段晓峰 ,  袁纬方 ,  黄永清 ,  刘凯 ,  李珂 ,  李玉 ,  蔡世伟

IPC分类号： H01L31/102 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种基于双吸收层结构的光探测器及其制备方法，所述光探测器包括：由下至上依次形成的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、刻蚀停止层、N接触层、收集层、第一带隙渐变的间隔层、第二带隙渐变的间隔层、双吸收层、第一组分与浓度渐变的电子阻挡层、第二组分与浓度渐变的电子阻挡层、P接触层、形成在所述刻蚀停止层上的n型接触电极以及形成在所述P接触层上的P型接触电极；所述双吸收层的厚度大于1μm，所述双吸收层为本征的光吸收层和P型光吸收层；本发明提供的光探测器具有高响应度、高带宽和低结电容等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。

公开(公告)号：CN115421230A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211216915.7

申请日：2022-09-30

申请人： 北京邮电大学

发明人： 段晓峰 ,  杨晓伟 ,  袁纬方 ,  李玉 ,  董晓雯 ,  蔡世伟 ,  刘凯 ,  黄永清

IPC分类号： G02B3/00 ,  G02B7/02 ,  H01L31/0232

摘要： 本发明涉及一种具有支撑结构的集成微透镜及其制备方法，方法包括准备衬底、大孔径光刻版和微透镜直径的光刻版，在衬底上生长掩膜；在掩膜表面匀胶，用大孔径光刻版进行曝光，对衬底进行显影；对显影后的衬底进行掩膜开孔处理，进行高温ICP刻蚀；对高温ICP刻蚀后的衬底进行第二次匀胶，用微透镜直径的光刻版对第二次匀胶的衬底进行第二次曝光，对衬底进行第二次显影；对第二次显影后的衬底进行光刻胶热熔，形成微透镜形貌的胶型；对热熔后的衬底进行低温ICP刻蚀，将光刻胶的微透镜形貌复制到衬底上。本发明实现了受周围支撑的集成微透镜结构，制备过程周围支撑结构无需采取特殊防护处理，提高光探测器的光敏面积，有利于集成和封装。