公开(公告)号：CN102239563A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148435.8

申请日：2009-11-05

申请人： 半南实验室公司

发明人： 大卫·C·谢里登 ,  A·P·里特诺尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/8083 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66068

摘要： 本发明描述了一种半导体器件和制造该器件的方法。所述器件可以是结型场效应晶体管(JFET)。所述器件具有带有向内渐缩的倾斜侧壁的凸起区。所述侧壁可以与垂直于基板表面的方向形成5°以上的角。所述器件可以具有二重倾斜侧壁，其中，所述侧壁的下部与垂直方向形成5°以上的角，并且所述侧壁的上部与垂直方向形成＜5°的角。可以利用法向(即，0°)或接近法向入射的离子注入制造所述器件。器件具有相对均匀的侧壁掺杂，并且可以不使用有角度的注入而制得。