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公开(公告)号：CN102290480A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110151861.6
申请日：2007-06-19
申请人： 半南实验室公司
发明人： 迈克尔·S·马佐拉
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/11 , H01L31/0312 , H03K17/78
CPC分类号： H01L31/028 , H01L31/0312 , H01L31/09 , H01L31/1105 , H03K17/78 , Y10S438/917 , Y10S438/931
摘要： 一种用于制造功率器件和电路的光活性材料，其与影响功率电子器件和电路的光学控制的传统方法相比具有显著的性能优势。碳化硅光活性材料通过与硼相关的D中心补偿浅施主而形成。由此产生的材料可为n型或p型，但其与其他材料的区别在于，当其被光子能量超过从D中心激发光电子至接近于导带边缘所允许的状态所需的阈值能量的电磁辐射照射时，可在其中导致持续的光电导性，其由多型变化为多型。
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公开(公告)号：CN102239563A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148435.8
申请日：2009-11-05
申请人： 半南实验室公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L21/047 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66068
摘要： 本发明描述了一种半导体器件和制造该器件的方法。所述器件可以是结型场效应晶体管(JFET)。所述器件具有带有向内渐缩的倾斜侧壁的凸起区。所述侧壁可以与垂直于基板表面的方向形成5°以上的角。所述器件可以具有二重倾斜侧壁，其中，所述侧壁的下部与垂直方向形成5°以上的角，并且所述侧壁的上部与垂直方向形成＜5°的角。可以利用法向(即，0°)或接近法向入射的离子注入制造所述器件。器件具有相对均匀的侧壁掺杂，并且可以不使用有角度的注入而制得。
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公开(公告)号：CN102136501A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110043935.4
申请日：2005-11-16
IPC分类号： H01L29/808 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/337
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/66909
摘要： 本发明描述了半导体器件和制造器件的方法，涉及具有埋栅的垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)以及制造这些器件的方法。器件可以在SiC中实现并且可以包括外延生长n型漂移层和p型开槽栅区、以及位于开槽p型栅区顶上的外延再生长n型平整沟道区。源区可以被外延再生长于沟道区顶上或选择性注入到沟道区中。然后可以形成对源区、栅区和漏区的欧姆接触。器件可以包括边缘终端结构诸如保护环、结终端扩展(JTE)、或其它合适的p-n阻断结构。器件可以被制造为具有不同的阈值电压，并且对于相同的沟道掺杂可以被实现为耗尽型和增强型工作模式。器件可被用于分立功率晶体管以及用在数字、模拟、和单片微波集成电路中。
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公开(公告)号：CN101772881A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880025677.3
申请日：2008-05-21
申请人： 半南实验室公司
CPC分类号： H03K17/164 , H02M1/08 , H03K17/08122 , H03K17/08128 , H03K17/162 , H03K17/6871 , H03K2017/6875 , H03K2217/0036 , Y02B70/1483
摘要： 本发明描述了一种用于使包含诸如结型场效应晶体管(JFET)的常通开关的半桥电路固有安全、免受不受控制电流的影响的方法。这些开关可以由碳化硅或硅制成。这里描述的方法允许在集成电源模块中利用性能更好的常通开关取代常断开关，由此改善集成电源模块的效率、尺寸、重量和成本。如这里所描述的，可以向栅极驱动器电路添加电源。该电源可以是自启动和自振荡的，同时能够通过该栅极驱动器从向常通开关供应电势的端子获取其所有源能量。然后该常通开关的端子特性可以与该电源的输入输出特性协调。
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公开(公告)号：CN101416319A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580051663.5
申请日：2005-11-16
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/80 , H01L31/111 , H01L31/112
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/66909
摘要： 本发明描述了半导体器件和制造器件的方法。器件可以在SiC中实现并且可以包括外延生长n型漂移层和p型开槽栅区、以及位于开槽p型栅区顶上的外延再生长n型平整沟道区。源区可以被外延再生长于沟道区顶上或选择性注入到沟道区中。然后可以形成对源区、栅区和漏区的欧姆接触。器件可以包括边缘终端结构诸如保护环、结终端扩展(JTE)、或其它合适的p－n阻断结构。器件可以被制造为具有不同的阈值电压，并且对于相同的沟道掺杂可以被实现为耗尽型和增强型工作模式。器件可被用于分立功率晶体管以及用在数字、模拟、和单片微波集成电路中。
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公开(公告)号：CN101317271A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200580046793.X
申请日：2005-11-30
申请人： 半南实验室公司
发明人： 伊格尔·桑金 , 杰弗里·B.·卡萨德 , 约瑟夫·N.·梅里特
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/423 , H01L31/111
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L27/098 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/808 , H01L29/8122
摘要： 描述了一种结型场效应晶体管。该晶体管由宽能带隙半导体材料制成。该器件包括源极、沟道、漂移和漏极半导体层，以及p型注入的或肖特基栅极区。源极、沟道、漂移和漏极层可以外延生长。与源极、栅极和漏极区之间的欧姆触点可以形成在晶片的同一侧。该器件根据垂直沟道宽度可以具有不同的阈值电压，并且对相同的沟道掺杂可以实现为既用于耗尽模式操作又用于增强模式操作。该器件可用于数字、模拟和单片微波集成电路。还描述了制造包含该器件的晶体管和集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN101449385A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780016015.5
申请日：2007-05-01
申请人： 半南实验室公司
发明人： 伊格尔·桑金 , 约瑟夫·尼尔·梅里特
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/868
摘要： 本发明提供了一种具有浪涌电流保护的宽带隙半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通过等离子体蚀刻穿过在重掺杂n－型衬底上生长的第一外延层而形成的轻掺杂n－型区，还包括通过等离子体蚀刻穿过在第一外延层上生长的第二外延层而形成的多个重掺杂p－型区。在p－型区上以及在n－型衬底的背面上形成欧姆接触。在n－型区的上表面上形成肖特基接触。在正常工作条件下，器件中的电流流过肖特基接触。然而，由于来自于p－型区的少数载流子注入而导致的电导调制，使得该器件能够承受非常高的电流密度。
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公开(公告)号：CN102150275A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135026.4
申请日：2009-07-09
申请人： 半南实验室公司
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/337
CPC分类号： H01L29/1058 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/475 , H01L29/7832 , H01L29/8083 , H01L29/8122
摘要： 本发明描述了如下的半导体器件，其中将所述器件中的电流流动约束在整流结(例如，p-n结或金属-半导体结)之间。所述器件提供了非穿通型性能和改进的导电能力。所述器件可以是功率半导体器件，如结型场效应晶体管(VJFET)、静电感应晶体管(SIT)、结型场效应晶闸管或JFET限流器。可以以诸如碳化硅(SiC)等宽带隙半导体制造所述器件。根据一些实施方式，所述器件可以是常关闭型SiC垂直结型场效应晶体管。本发明还描述了制造所述器件和包括所述器件的电路的方法。
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