一种控制释放系统及其制备方法

    公开(公告)号:CN103463639B

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201210189505.8

    申请日:2012-06-08

    摘要: 本发明涉及一种基于介孔氧化硅纳米粒子的控制释放系统及其制备方法。本发明所述的控制释放系统是基于酶、抑制剂和底物三者之间的竞争性结合原理,通过介孔氧化硅材料表面的改性和修饰,制备一种刺激响应型的控制释放系统。在没有底物存在下,本发明所述的介孔氧化硅纳米粒子可达到“零提前释放”;当环境中有相应的底物时,介孔被打开,控制性地释放负载分子,并对相应的底物有较好的选择性。该方法具有材料合成简单,选择性好,“零提前释放”及可于相应底物存在下控制性释放负载分子的优点。

    一种控制释放系统及其制备方法

    公开(公告)号:CN103463639A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201210189505.8

    申请日:2012-06-08

    摘要: 本发明涉及一种基于介孔氧化硅纳米粒子的控制释放系统及其制备方法。本发明所述的控制释放系统是基于酶、抑制剂和底物三者之间的竞争性结合原理,通过介孔氧化硅材料表面的改性和修饰,制备一种刺激响应型的控制释放系统。在没有底物存在下,本发明所述的介孔氧化硅纳米粒子可达到“零提前释放”;当环境中有相应的底物时,介孔被打开,控制性地释放负载分子,并对相应的底物有较好的选择性。该方法具有材料合成简单,选择性好,“零提前释放”及可于相应底物存在下控制性释放负载分子的优点。

    荧光硅胶粒子及其用途
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101343538B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200810042028.6

    申请日:2008-08-25

    IPC分类号: C07F7/02

    摘要: 本发明涉及一种荧光硅胶粒子及其用途。所述的荧光硅胶粒子由式I或式II所示化合物通过“共价嫁接”至纳米级二氧化硅粒子表面而得到。本发明所述的荧光硅胶粒子可用于环境中痕量汞离子的检测和分离。本发明所述的荧光硅胶粒子具有稳定的物理、化学及光化学性能,且制备简单。

    荧光硅胶粒子及其用途
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101343538A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810042028.6

    申请日:2008-08-25

    IPC分类号: C09K11/06 G01N21/64

    摘要: 本发明涉及一种荧光硅胶粒子及其用途。所述的荧光硅胶粒子由式I或式II所示化合物通过“共价嫁接”至纳米级二氧化硅粒子表面而得到。本发明所述的荧光硅胶粒子可用于环境中痕量汞离子的检测和分离。本发明所述的荧光硅胶粒子具有稳定的物理、化学及光化学性能,且制备简单。