公开(公告)号：CN101853795B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201010165253.6

申请日：2010-05-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈明祥 ,  蔡明先 ,  彭聪 ,  刘胜

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供了一种低温热压键合方法。首先在衬底上制作一层合金薄膜，然后通过选择性腐蚀工艺去除合金中的部分组分，使合金薄膜变成一层多孔纳米结构。利用该多孔纳米结构作为键合层，由于纳米尺度效应，可以在较低的温度和压力下实现热压键合。本发明工艺简单，操作方便，特别是较低的温度和压力显著降低了键合过程中的热应力与热变形，在光电集成、三维封装、系统封装等领域具有广泛应用。

公开(公告)号：CN102403217A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110357375.X

申请日：2011-11-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  蔡明先

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。

公开(公告)号：CN102403217B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110357375.X

申请日：2011-11-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  蔡明先

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。

公开(公告)号：CN101853795A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010165253.6

申请日：2010-05-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈明祥 ,  蔡明先 ,  彭聪 ,  刘胜

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供了一种低温热压键合方法。首先在衬底上制作一层合金薄膜，然后通过选择性腐蚀工艺去除合金中的部分组分，使合金薄膜变成一层多孔纳米结构。利用该多孔纳米结构作为键合层，由于纳米尺度效应，可以在较低的温度和压力下实现热压键合。本发明工艺简单，操作方便，特别是较低的温度和压力显著降低了键合过程中的热应力与热变形，在光电集成、三维封装、系统封装等领域具有广泛应用。