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公开(公告)号：CN118863098A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411332916.7
申请日：2024-09-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于人工智能相关技术领域，其公开了跨知识领域的大模型组合系统，包括定义智能体、选择智能体、主级大模型、至少两个次级大模型以及检查智能体，定义智能体管理当前所有大模型的领域关键字并调用主级大模型审查是否存在与问题适配的领域并将审查结果传送给选择智能体；选择智能体根据审查结果选择大模型：当不存在适配的领域时，调用主级大模型处理用户输入的问题并生成答案；当存在适配领域时，调用所适配领域的大模型处理用户的问题并生成答案；检查智能体检查大模型所生成答案的正误并当答案不符合要求时，调用对应的大模型重新生成结果。基于以上系统，可以低成本，低功耗，高质量地完成跨知识领域推理任务。
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公开(公告)号：CN116432725A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310310736.8
申请日：2023-03-24
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06N3/063 , G06N3/0464 , G06V10/82
摘要： 本发明公开了一种嵌入式设备及神经网络运算器，属于嵌入式设备卷积运算技术领域，运算器包括运算控制模块、卷积运算模块、全局平均池化模块和全连接计算模块，卷积运算模块包括多通道卷积计算电路，用于依次执行第二层至最后一层卷积计算；其中，每层卷积计算中执行卷积核{cij}m*m与各通道位于卷积核滑窗下的图像数据{pij}m*m的卷积计算的过程包括：运算控制模块控制中间结果计算电路在相邻时序连续执行滑窗内不同像素的子流程并连续输出不同的中间结果，累加电路在每个时序对新输入的中间结果进行累加，得到卷积结果中对应滑窗位置的像素，该框架能够在嵌入式设备上实现卷积神经网络运算，且在降低电路复杂度的同时提高运行速度。
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公开(公告)号：CN115867119A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211484488.0
申请日：2022-11-24
IPC分类号： H10N70/20
摘要： 本发明公开了一种神经突触仿生器件及其仿生控制方法，属于微电子器件技术领域，包括由下至上依次分布的下电极、阻变层、阻挡层和上电极；其中，阻变层为具有能级缺陷的阻变层，能够自发的捕获和释放载流子，且无需预先进行forming操作产生软击穿即可具有稳定的阻变特性，并不会对器件内部结构产生严重破坏，能够更加精确的模拟神经突触的功能。同时还可抑制神经信号之间的干扰，减小忆阻阵列中神经网络训练和推理运算过程中忆阻器件非理想因素的影响。
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公开(公告)号：CN115621259A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211236273.7
申请日：2022-10-10
IPC分类号： H01L23/64
摘要： 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种利用硬电极在低温退火条件下提高铁电器件性能方法，该方法针对的铁电器件自上而下包括上电极、铁电材料功能层、下电极和衬底，其中上电极所采用电极材料的硬度大于下电极所采用的电极材料的硬度；通过将该铁电器件在目标退火温度满足大于350℃且小于500℃的低温条件下进行低温退火，能够提高器件的铁电性能。本发明通过对铁电器件的电极材料进行改进，通过采用硬度较大的电极材料构建上电极、使上电极的硬度大于下电极，能够实现在较低的退火温度下提升铁电器件的铁电性能。
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公开(公告)号：CN110911559B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911090016.5
申请日：2019-11-08
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种模拟型HfOx/HfOy同质结忆阻器及其调控方法，该同质结忆阻器包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层，其中，所述功能层是由HfOx层与HfOy层自下而上堆叠形成的HfOx/HfOy同质结功能层；对于该HfOx/HfOy同质结功能层，1.6
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公开(公告)号：CN110911559A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911090016.5
申请日：2019-11-08
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种模拟型HfOx/HfOy同质结忆阻器及其调控方法，该同质结忆阻器包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层，其中，所述功能层是由HfOx层与HfOy层自下而上堆叠形成的HfOx/HfOy同质结功能层；对于该HfOx/HfOy同质结功能层，1.6
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公开(公告)号：CN106301284B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610580212.0
申请日：2016-07-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H03H11/12
摘要： 本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其操作方法，该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性，将忆阻器的工作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式，通过改变忆阻器的阻值改变滤波电路的带宽。编程电路由忆阻器、四个NMOS管以及四个PMOS管构成，一阶有源滤波电路则由忆阻器、电容以及运算放大器构成。本发明还公开了一种基于忆阻器的带宽可调的高通滤波电路及其操作方法，均具备有源滤波电路输入阻抗低、输出阻抗高的优势同时编程电路具备占用体积小、集成度高、功耗低以及操作简单的优势，适用于对信号的滤波处理。
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公开(公告)号：CN104702264B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510127484.0
申请日：2015-03-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H03K19/00
摘要： 本发明公开了一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法，可编程模拟电路包括：阻变元件、第一电阻、第二电阻、N型MOS管和P型MOS管；第一电阻的一端作为可编程模拟电路的第一端口，阻变元件的一端与第一电阻的另一端连接，阻变元件的另一端作为可编程模拟电路的第二端口；N型MOS管的漏极和P型MOS管的漏极均连接至阻变元件的另一端，N型MOS管的源极和P型MOS管的源极均接地；第二电阻的一端与第一电阻的另一端连接，第二电阻的另一端、N型MOS管的栅极和P型MOS管的栅极连接后作为可编程模拟电路的脉冲输入端。本发明通过改变阻变元件的阻值来改变电路的性能，可应用于多种现有模拟电路之中，并且使用器件数较少，操作简单，节省功耗和时间，提高电路工作效率。
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公开(公告)号：CN107293642A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710421114.7
申请日：2017-06-07
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/145 , H01L45/16
摘要： 本发明公开了一种基于HfO2-x的二值和多值忆阻器、制备方法及其应用，忆阻器包括上电极、功能层和下电极，通过控制氩气和氧气的比例，制得具有不同原生氧空位的HfO2-x材料；在直流扫描模式下，低原子比的HfO2-x忆阻器表现出了无须预处理，低操作电压和渐变电阻过渡的特点，而高原子比的HfO2-x忆阻器窗口更大，电阻过渡更加尖锐；不同电阻过渡形态的忆阻器采用连续高速脉冲和连续多窗口脉冲测试方法验证了二值和多值模式；该类忆阻器展现的电阻过渡差异对不同模式应用场合的原子配比具有指导意义；本发明可分别地应用于逻辑计算和神经形态存储；在同一个材料工艺下微调沉积气氛的比例，可将计算和存储模块集成于同一芯片，进一步加速计算存储融合芯片的发展。
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公开(公告)号：CN106301284A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610580212.0
申请日：2016-07-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H03H11/12
CPC分类号： H03H11/1217 , H03H11/1221
摘要： 本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其操作方法，该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性，将忆阻器的工作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式，通过改变忆阻器的阻值改变滤波电路的带宽。编程电路由忆阻器、四个NMOS管以及四个PMOS管构成，一阶有源滤波电路则由忆阻器、电容以及运算放大器构成。本发明还公开了一种基于忆阻器的带宽可调的高通滤波电路及其操作方法，均具备有源滤波电路输入阻抗低、输出阻抗高的优势同时编程电路具备占用体积小、集成度高、功耗低以及操作简单的优势，适用于对信号的滤波处理。
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