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公开(公告)号：CN102956548B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210445356.7
申请日：2012-11-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形；（2）镀上银膜或金膜；（3）在电场之中，采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微纳米尺度通孔结构。
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公开(公告)号：CN102732885B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210192208.9
申请日：2012-06-12
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种磁场辅助的硅微纳加工工艺，具体为：在单晶硅片上旋涂光刻胶，由光刻得到所需微纳尺度图案；在所得样品表面依次镀上金属膜A、B和A，金属膜A为金或银，金属膜B为铁；采用HF和H2O2的混合溶液作为刻蚀剂对单晶硅片进行金属催化刻蚀，反应处于强度和方向可调的磁场环境中；去除光刻胶和残留的金属膜，并清洗干净。本发明还提供了实现上述工艺的装备，包括储液装置、溶液流量控制装置、反应密封腔、电磁场控制系统以及计算机控制系统。本发明在刻蚀反应中引入磁场，通过磁场对铁膜的吸引作用诱导金属膜沿磁场方向运动，刻蚀反应沿着磁场方向进行，从而实现了刻蚀方向的可控。
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公开(公告)号：CN102951591A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210471771.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于捕获循环肿瘤细胞的微流道结构及其制造方法，该方法包括：（1）在单晶硅片表面匀胶、光刻得到光刻胶掩膜；（2）基于光刻胶掩膜，使用感应耦合等离子体反应刻蚀技术ICP在单晶硅片上刻蚀出微米级别的凹槽及槽内均匀分布的硅微米柱阵列；（3）在微米柱表面制备纳米线阵列；（4）对凹槽进行封装。按照本发明，可以获得一种用于循环肿瘤细胞检测的微纳复合微流道结构，这种检测结构具有灵敏度高、效率高等特点。
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公开(公告)号：CN102956548A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210445356.7
申请日：2012-11-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形；（2）镀上银膜或金膜；（3）在电场之中，采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微纳米尺度通孔结构。
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公开(公告)号：CN102738298A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210179386.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳能电池光阳极的微纳复合结构及其制备方法，包括：S1：在硅片上匀胶并进行光刻，制作微尺度光刻胶圆盘图形；S2：以光刻胶为掩膜，使用ICP干法刻蚀出微米级硅柱阵列；S3：将带有微米级硅柱阵列的硅片采用SPM工艺清洗并去除微米级硅柱表面的氧化层；S4：进行电化学镀在微米级硅柱表面镀一层银；S5：采用刻蚀剂进行金属催化刻蚀，在微米级硅柱表面制作纳米线并形成微纳复合结构；S6：去除微米级硅柱表面残留的银，并对微纳复合结构进行掺杂使纳米线整体及微米级硅柱表面为N型。本发明提供的微纳复合结构中纳米线垂直于微米柱表面，表面积大，陷光能力强，载流子收集效率高，适合制备高效率的太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104865311A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510220868.7
申请日：2015-05-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/90
Abstract: 一种脉冲涡流探头及检测装置以及其检测方法，属于脉冲涡流无损检测装置及其检测方法，用于解决现有脉冲涡流探头激励线圈产生热量，影响实际检测精度的问题。所述脉冲涡流探头包括外壳、接线端头、温度传感组件、霍尔传感器、线圈骨架、激励线圈和端盖；所述检测装置包括信号发生器、功率放大器、信号调理电路、脉冲涡流探头、数据采集卡、主控制器和稳压电源；所述检测方法，包括传感器标定步骤、建立三维曲面步骤和测量计算步骤。主控制器实时采集温度传感组件的温度模拟信号及霍尔传感器的电压模拟信号，对脉冲涡流探头输出信号进行二次修正，从而大幅消除温度漂移因素对探头的影响，提升检测效果。
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公开(公告)号：CN104569155B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510003638.5
申请日：2015-01-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种表面缺陷电磁超声检测方法，属于无损检测技术，解决现有电磁超声检测方法中提离距离的变化影响检测准确度的问题。本发明通过改变电磁超声传感器检测探头的提离距离，测量不同提离距离下标准试样的信号，并进行信号处理，得到提离斜率，利用不同缺陷深度下提离斜率与缺陷深度的关系，建立相应的拟合函数；将检测待测缺陷所得到的提离斜率代入所述拟合函数，达到定量检测缺陷的目的。本发明简单易行，与现有的采用峰峰值强度和透射系数定量检测缺陷的方法相比，本发明可以减少检测探头提离距离的影响，而且不用在检测过程中测量相同提离距离下的无缺陷的检测信号。
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公开(公告)号：CN102951591B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210471771.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于捕获循环肿瘤细胞的微流道结构及其制造方法，该方法包括：（1）在单晶硅片表面匀胶、光刻得到光刻胶掩膜；（2）基于光刻胶掩膜，使用感应耦合等离子体反应刻蚀技术ICP在单晶硅片上刻蚀出微米级别的凹槽及槽内均匀分布的硅微米柱阵列；（3）在微米柱表面制备纳米线阵列；（4）对凹槽进行封装。按照本发明，可以获得一种用于循环肿瘤细胞检测的微纳复合微流道结构，这种检测结构具有灵敏度高、效率高等特点。
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公开(公告)号：CN104569155A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510003638.5
申请日：2015-01-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种表面缺陷电磁超声检测方法，属于无损检测技术，解决现有电磁超声检测方法中提离距离的变化影响检测准确度的问题。本发明通过改变电磁超声传感器检测探头的提离距离，测量不同提离距离下标准试样的信号，并进行信号处理，得到提离斜率，利用不同缺陷深度下提离斜率与缺陷深度的关系，建立相应的拟合函数；将检测待测缺陷所得到的提离斜率代入所述拟合函数，达到定量检测缺陷的目的。本发明简单易行，与现有的采用峰峰值强度和透射系数定量检测缺陷的方法相比，本发明可以减少检测探头提离距离的影响，而且不用在检测过程中测量相同提离距离下的无缺陷的检测信号。
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公开(公告)号：CN102738298B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210179386.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳能电池光阳极的微纳复合结构及其制备方法，包括：S1：在硅片上匀胶并进行光刻，制作微尺度光刻胶圆盘图形；S2：以光刻胶为掩膜，使用ICP干法刻蚀出微米级硅柱阵列；S3：将带有微米级硅柱阵列的硅片采用SPM工艺清洗并去除微米级硅柱表面的氧化层；S4：进行电化学镀在微米级硅柱表面镀一层银；S5：采用刻蚀剂进行金属催化刻蚀，在微米级硅柱表面制作纳米线并形成微纳复合结构；S6：去除微米级硅柱表面残留的银，并对微纳复合结构进行掺杂使纳米线整体及微米级硅柱表面为N型。本发明提供的微纳复合结构中纳米线垂直于微米柱表面，表面积大，陷光能力强，载流子收集效率高，适合制备高效率的太阳能电池。
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