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公开(公告)号：CN109638159A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811314114.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L51/4213 , H01L51/0077 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/305 , H01L2251/306
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备领域，并具体公开了可循环利用的钙钛矿太阳能电池及其制备与循环利用方法，其采用如下步骤制备：在预处理后的基底上从下至上依次制备N型半导体氧化物致密层、N型半导体氧化物多孔层、卤化铅薄膜层和多孔碳对电极层；将器件浸泡在钙钛矿反应溶液中制备钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液对器件进行清洗，烘干获得所需的可循环利用的钙钛矿太阳能电池。将需循环利用电池放入甲醇或乙醇溶液中，以溶解钙钛矿光敏层中的非铅有机卤化物；将处理后的电池浸泡在钙钛矿再生溶液中重新合成钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液清洗，烘干实现电池的循环利用。本发明的电池可反复循环利用，制备简单，可行性强，材料浪费少，无污染。
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公开(公告)号：CN109473550A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811196299.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备相关技术领域，其公开了一种大面积钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括基底、形成在所述基底的表面上的电子传输层、形成在所述电子传输层远离所述基底的表面上的钙钛矿光敏层、形成在所述钙钛矿光敏层远离所述电子传输层的表面上的空穴传输层及形成在所述空穴传输层远离所述钙钛矿光敏层的表面上的碳对电极；所述空穴传输层为酞菁铜空穴传输层；所述电子传输层为CdS电子传输层；所述基底为FTO基底或ITO基底。本发明可实现大面积制备，简单易行，能耗低。
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公开(公告)号：CN112186092B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010946073.5
申请日：2020-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳结构的制造领域，公开了一种基于超亲水结构的热电堆发电器件及其制备方法，该发电器件包括绝缘基底及位于该绝缘基底上的若干发电单元，每个发电单元包括第一悬浮热电偶电极、第二悬浮热电偶电极和超亲水层，这两个悬浮热电偶电极的一端分别位于第一热电偶电极冷端基座和第二热电偶电极冷端基座上，与冷端相连；另一端分别位于第一热电偶电极热端基座和第二热电偶电极热端基座上，与热端相连；所述热端为悬浮超亲水层，该悬浮超亲水层具有微纳结构。本发明通过利用超亲水结构作为热端配合热电偶电极形成热电堆发电器件，所形成的热电堆发电器件发电效率较高，结构稳定，且制备方法能够实现大规模热电堆阵列发电器件的制备。
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公开(公告)号：CN112186092A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010946073.5
申请日：2020-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳结构的制造领域，公开了一种基于超亲水结构的热电堆发电器件及其制备方法，该发电器件包括绝缘基底及位于该绝缘基底上的若干发电单元，每个发电单元包括第一悬浮热电偶电极、第二悬浮热电偶电极和超亲水层，这两个悬浮热电偶电极的一端分别位于第一热电偶电极冷端基座和第二热电偶电极冷端基座上，与冷端相连；另一端分别位于第一热电偶电极热端基座和第二热电偶电极热端基座上，与热端相连；所述热端为悬浮超亲水层，该悬浮超亲水层具有微纳结构。本发明通过利用超亲水结构作为热端配合热电偶电极形成热电堆发电器件，所形成的热电堆发电器件发电效率较高，结构稳定，且制备方法能够实现大规模热电堆阵列发电器件的制备。
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公开(公告)号：CN109402580B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201811208448.7
申请日：2018-10-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造技术领域，并公开了一种超致密Cu(OH)2纳米线的制备方法及产品。该方法包括，S1、ZnO种子层制备：在基底上沉积一层ZnO薄膜；S2、ZnO催化纳米棒的制备：在所述沉积有ZnO的基底置于Zn(NO3)2·6(H2O)和C6H12N4混合生长液中；S3、Cu种子层制备：在所述ZnO催化纳米棒表面沉积一层Cu种子层；S4、生长纳米线：将沉积有Cu种子层的基底置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，以生长超致密Cu(OH)2纳米线。本发明还公开以一种超致密Cu(OH)2纳米线。本发明制备形成的Cu(OH)2纳米线的形貌具有质量更高、更加致密、比表面积大的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110376253A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910681492.8
申请日：2019-07-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于开关触发器领域，并公开了一种湿度传感器、制备方法及湿敏型开关触发器。湿度传感器包括基体和功能层，基体优选为石英晶体微天平，所述功能层为GO/Cu(OH)2复合层，该GO/Cu(OH)2复合层中包括Cu(OH)2纳米线和粘附在该Cu(OH)2纳米线之间的GO，GO用于提高Cu(OH)2纳米线的亲水性。本发明还公开了湿度传感器的制备方法和一种非接触式湿敏型开关触发器，湿度传感器用于吸收待测对象的水分，使得其自身的谐振频率发生变化；差频电路与振荡电路连接，用于判断是否有待测对象靠近。通过本发明，开关触发器具备灵敏度高、耐用性强、制造工艺简单、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN108104078A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711365351.2
申请日：2017-12-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于平面流体流道设计领域，并公开了一种基于楔形分形的树形自发定向运输收集流道结构，其具有多级楔形枝干，第i级楔形枝干的纵截面的下底等效长度为Di、梯度角为、整体高度为Li及上底长度为Di′，并且其上底长度小于下底等效长度，梯度角为与上底相连的两斜边的夹角；第j级楔形枝干的下底附在第j‑1级楔形枝干的斜边上，第j级楔形枝干的下底等效长度与第j‑1级楔形枝干的上底长度的关系如下：Dj≤Dj′‑1,第j级楔形枝干与第j‑1级楔形枝干中心线夹角为。本发明利用楔形基本单元具有梯度结构，使流体在流道上产生拉普拉斯压力差，自发驱动流体在流道上定向运输，并且沿着连续性的分形结构运输收集，可提高流体的定向运输收集效率和实现大面积制作。
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公开(公告)号：CN107389987A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710618121.6
申请日：2017-07-26
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G01R1/0416 , G01R31/00
Abstract: 本发明属于微互连可靠性测试领域，并公开了一种简易电迁移测试系统。该系统包括芯片夹持装置、反应腔、电化学工作站和信号采集站，芯片夹持装置用于固定待测试芯片，且设置在反应腔内，反应腔用于为待测试芯片提供高温和无氧环境；电化学工作站与信号引出线连接，用于为待测试芯片提供电流，同时测试该待测试芯片的电压；信号采集站用于设置电化学工作站的参数，并实时采集电化学工作站测试的电压并对该电压进行处理。通过本发明，实现在实验室有效地测试电迁移过程，制作简单，成本低廉，体积小，节省测试时间，对于研究微互连结构的电迁移研究具有重要意义，有效推动芯片可靠性的研究。
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公开(公告)号：CN103996542B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410162535.9
申请日：2014-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层SiO2薄膜、2)在有SiO2层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的SiO2，将光刻的图形转移到SiO2层、4)镀Cu膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu、6)生长Si微米线阵列、7)在Si微米线表面镀一层ZnO膜、8)在Si微米线表面生长ZnO纳米线、9)在ZnO纳米线表面制备一层CdS薄膜、10)在ZnO/CdS结构表面沉积一层CdSe薄膜、11)在ZnO/CdS/CdSe结构表面沉积IrOx量子点。本发明提供的这种微纳分级结构制造工艺用在光电化学太阳能电池光阳极的应用中，有利于光吸收和光生载流子的分离、收集和传输，为光电化学太阳能电池光阳极微纳结构的设计与制造提供一种解决方案。
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公开(公告)号：CN102956548B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210445356.7
申请日：2012-11-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形；（2）镀上银膜或金膜；（3）在电场之中，采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微纳米尺度通孔结构。
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