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公开(公告)号：CN104282340B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410522792.9
申请日：2014-09-30
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本发明公开了一种固态盘内部闪存芯片阈值电压感知优化方法，主要用于多层单元闪存芯片使用低密度奇偶校验码纠错时的一种优化方法。该系统结构主要由LDPC编码模块、闪存芯片存储模块、非均匀阈值电压感知模块、对数似然比计算模块和LDPC译码模块组成。LDPC编码模块主要对原始数据利用LDPC生成矩阵编码生成码字；闪存芯片存储模块主要存储数据；非均匀阈值电压感知模块主要对闪存芯片进行非均匀阈值电压感知；对数似然比计算模块主要由阈值电压值得到对数似然比值；LDPC译码模块主要根据对数似然比值和校验矩阵进行解码纠错。本发明适用于固态盘纠错领域，提高存储数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN106601305A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611025081.6
申请日：2016-11-18
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： G11C29/42 , H03M13/1111
摘要： 本发明公开了一种使用检错码和纠错码相结合的固态盘纠错方法，该方法包括如下步骤：(1)固态盘写入数据前，对闪存页的原始数据进行编码，并保存到所述固态盘的存储单元中；(2)使用检错码译码操作检查所述存储单元中闪存页的错误状态，对不存在错误的闪存页直接读取，对存在错误的所述闪存页则使用低密度奇偶校验码译码操作进行纠错。本发明的方法，能够在固态盘使用的早期阶段，在闪存页出错率很低的情况下，先使用检错码CRC对闪存页进行检错，对于检出的无错页无需进行LDPC译码过程直接读取，而对于检出的有错页则进行LDPC译码纠错。
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公开(公告)号：CN104835535B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510247332.4
申请日：2015-05-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G11C29/42
摘要： 本发明公开了一种固态盘内部自适应LDPC纠错方法，包括(1)初始化：固态盘在输入数据前，进行块擦除操作，并初始化所有擦除块的纠错码标识符；(2)固态盘自适应纠错编码：对写入的原始数据进行编码生成码字；(3)固态盘译码过程，包括：(3.1)判断是否有读操作，如果有读操作则转向(3.2)，否则结束；(3.2)判断读取页所在块i的纠错码标识符Bi是否为0；(3.3)如果Bi为0，则块i内所有页采用弱LDPC码进行纠错；(3.4)固态盘自适应纠错码切换操作；(3.5)如果Bi为1，则块i内所有页采用强LDPC码进行纠错。本发明适用于固态盘纠错领域，提升LDPC纠错性能充分发挥和存储数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN104835535A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510247332.4
申请日：2015-05-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G11C29/42
摘要： 本发明公开了一种固态盘内部自适应LDPC纠错方法，包括(1)初始化：固态盘在输入数据前，进行块擦除操作，并初始化所有擦除块的纠错码标识符；(2)固态盘自适应纠错编码：对写入的原始数据进行编码生成码字；(3)固态盘译码过程，包括：(3.1)判断是否有读操作，如果有读操作则转向(3.2)，否则结束；(3.2)判断读取页所在块i的纠错码标识符Bi是否为0；(3.3)如果Bi为0，则块i内所有页采用弱LDPC码进行纠错；(3.4)固态盘自适应纠错码切换操作；(3.5)如果Bi为1，则块i内所有页采用强LDPC码进行纠错。本发明适用于固态盘纠错领域，提升LDPC纠错性能充分发挥和存储数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN104282340A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410522792.9
申请日：2014-09-30
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本发明公开了一种固态盘内部闪存芯片阈值电压感知优化方法，主要用于多层单元闪存芯片使用低密度奇偶校验码纠错时的一种优化方法。该系统结构主要由LDPC编码模块、闪存芯片存储模块、非均匀阈值电压感知模块、对数似然比计算模块和LDPC译码模块组成。LDPC编码模块主要对原始数据利用LDPC生成矩阵编码生成码字；闪存芯片存储模块主要存储数据；非均匀阈值电压感知模块主要对闪存芯片进行非均匀阈值电压感知；对数似然比计算模块主要由阈值电压值得到对数似然比值；LDPC译码模块主要根据对数似然比值和校验矩阵进行解码纠错。本发明适用于固态盘纠错领域，提高存储数据的可靠性。
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