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公开(公告)号：CN103050622B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210558819.0
申请日：2012-12-20
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , H01L45/06 , H01L45/1233
摘要： 本发明公开了一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器，该忆阻器包括上电极层、下电极层以及位于上下电极层之间的功能材料层，其中所述功能材料层由譬如Ag5In5Sb60Te30、Ag5.5In6.5Sb59Te29、Ag7In3Sb60Te30、Ag3In4Sb76Te17、Ag12.4In3.8Sb55.2Te28.6、Ag3.4In3.7Sb76.4Te16.5、AgSbTe2和AgInTe等分子式结构的硫系合金化合物制成。本发明还公开了相应的制备方法。通过本发明，能够以低成本、便于操控的方式来制备忆阻器元件，而且所制得的产品可提供非易失性的中间阻态，并能实现对电阻的多级连续可调。
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公开(公告)号：CN103247756A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310122638.8
申请日：2013-04-10
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及了一种忆阻器及其制备方法，属于微电子材料与半导体器件领域。该忆阻器从上往下依次包括上电极、存储介质层、下电极和下电极引导层，导电性良好的下电极引导层起到直接引出下电极的作用。制备忆阻器时首先制备下电极引导层，然后在同一次淀积工艺中依次将下电极和存储介质层淀积在下电极引导层上，避免了制备两层薄膜间的清洗、光刻等其他工艺步骤，起到保护存储介质层和下电极界面的作用。本发明解决了现有忆阻器制作成本高、工艺步骤复杂可重复性差的问题，满足大规模量产的需求。
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公开(公告)号：CN103050622A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210558819.0
申请日：2012-12-20
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , H01L45/06 , H01L45/1233
摘要： 本发明公开了一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器，该忆阻器包括上电极层、下电极层以及位于上下电极层之间的功能材料层，其中所述功能材料层由譬如Ag5In5Sb60Te30、Ag5.5In6.5Sb59Te29、Ag7In3Sb60Te30、Ag3In4Sb76Te17、Ag12.4In3.8Sb55.2Te28.6、Ag3.4In3.7Sb76.4Te16.5、AgSbTe2和AgInTe等分子式结构的硫系合金化合物制成。本发明还公开了相应的制备方法。通过本发明，能够以低成本、便于操控的方式来制备忆阻器元件，而且所制得的产品可提供非易失性的中间阻态，并能实现对电阻的多级连续可调。
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公开(公告)号：CN102570976A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110430863.9
申请日：2011-12-20
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于脉冲技术领域，为一种基于忆阻器的范德波尔振荡器电路，其结构为：电阻和电感串联后与电容并联构成谐振电路，激励电源和忆阻器串联构成负阻电路；谐振电路与负阻电路串联。本发明利用忆阻器的负阻特性和电阻、电容和电感并联谐振电路相连构成范德波尔振荡器回路。利用忆阻器的伏安特性曲线，将忆阻器在负阻状态时的工作点的电压作为整个振荡器的激励电源的电压。由于电阻电容电感处于并联谐振状态。这种基于忆阻器的范德波尔振荡器是把呈负阻特性的忆阻器直接与谐振回路相接，以抵消回路中的正阻损耗，产生自激振荡的振荡器。总之，本发明对温度变化、核辐射均不敏感，电路简单，体积小，成本低，容易做成集成电路芯片。
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公开(公告)号：CN103050623B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210572363.3
申请日：2012-12-25
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/144
摘要： 本发明公开了一种具备多阻态特性的二阶忆阻器，该忆阻器的器件单元包括上电极、下电极以及位于上下电极之间的功能材料层，其中所述功能材料层由分子式结构为Ge2Sb2Te5、Sb2Te3或GeTe的硫系化合物制成，所述上、下电极中的至少一个由Ag或Cu制成。本发明还公开了相应的调制方法。通过本发明，能够获得具有多个内部状态变量以产生多重忆阻效应的二阶忆阻器，同时具备结构简单、尺寸可至纳米级和易于制备等优点。
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公开(公告)号：CN103050623A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210572363.3
申请日：2012-12-25
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/144
摘要： 本发明公开了一种具备多阻态特性的二阶忆阻器，该忆阻器的器件单元包括上电极、下电极以及位于上下电极之间的功能材料层，其中所述功能材料层由分子式结构为Ge2Sb2Te5、Sb2Te3或GeTe的硫系化合物制成，所述上、下电极中的至少一个由Ag或Cu制成。本发明还公开了相应的调制方法。通过本发明，能够获得具有多个内部状态变量以产生多重忆阻效应的二阶忆阻器，同时具备结构简单、尺寸可至纳米级和易于制备等优点。
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公开(公告)号：CN103063950B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210553579.5
申请日：2012-12-19
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种忆阻器器件单元的电学特性测试系统，包括探针台、脉冲发生器、脉冲发生模块、源测量单元、示波器以及中央控制单元，其中：探针台的探针用于电接触测试样品的电极以便执行相关测试；脉冲发生器用于产生电压脉冲信号，并通过源测量单元对测试样品的相应阻值状态进行测量；脉冲发生模块用于产生交流信号，并通过示波器对测试样品的响应情况进行处理；源测量单元除了执行以上对交流特征的测量之外，还用于执行直流I-V特性测试和保持力测试测试指令。本发明还公开了相应的测试方法。通过本发明，能够以更高效率、便于操作的方式获得更为全面的忆阻器电学特性，提高测量精度和自动化程度，同时具备较强的测试扩展能力。
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公开(公告)号：CN103063950A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210553579.5
申请日：2012-12-19
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种忆阻器器件单元的电学特性测试系统，包括探针台、脉冲发生器、脉冲发生模块、源测量单元、示波器以及中央控制单元，其中：探针台的探针用于电接触测试样品的电极以便执行相关测试；脉冲发生器用于产生电压脉冲信号，并通过源测量单元对测试样品的相应阻值状态进行测量；脉冲发生模块用于产生交流信号，并通过示波器对测试样品的响应情况进行处理；源测量单元除了执行以上对交流特征的测量之外，还用于执行直流I-V特性测试和保持力测试测试指令。本发明还公开了相应的测试方法。通过本发明，能够以更高效率、便于操作的方式获得更为全面的忆阻器电学特性，提高测量精度和自动化程度，同时具备较强的测试扩展能力。
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