公开(公告)号：CN102531575A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110415952.6

申请日：2011-12-14

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  傅邱云 ,  郑志平 ,  赵俊 ,  胡云香 ,  刘欢 ,  程绪信

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了提供一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的结构式为：(Bay-xSmx)TiO3+mSiO2+nMn(NO3)2+pBN，式中x=0.2~0.8mol%，y=1.014~1.029，m=0.05~0.6mol%，n=0.005~0.02mol%，p=0~4.4mol%。本发明采用流延成型方法，利用Sm2O3掺杂BaTiO3基PTCR粉体制得的流延浆料制备坯体，叠层压片和切片；在还原气氛中烧结，在空气中再氧化，再在表面上涂电极。本发明克服了高Ba/Ti比的半导化陶瓷材料电阻率高的不足，PTCR陶瓷材料具有晶粒尺寸小、室温电阻率低和PTC效应大的特点。