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公开(公告)号：CN103615982B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310585762.8
申请日：2013-11-19
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电测量技术领域，公开了一种光斑大小的测量装置和方法，利用螺旋线与任意同心圆交点唯一的规律，配合光敏材料形成光斑大小测量装置；所述光斑大小的测量装置包括：双螺旋电极；所述双螺旋包括：呈螺旋线圈状的独立正电极和负电极；所述双螺旋电极采用光敏电导材料；所述双螺旋电极的正电极和负电极相间铺设，呈中心对称；所述螺旋电极的尾端连接电阻测量装置。本发明通过两个光敏材料构成的螺旋电极在待测光斑的照射下阻值变化，来表征待测光斑的大小，操作简单高效。
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公开(公告)号：CN105247691A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480000097.4
申请日：2014-02-12
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1075 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , G02B6/131 , G02B6/4295 , G02B2006/12061 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547
摘要： 一种雪崩光电二极管及其制造方法，涉及通信领域，能够解决现有雪崩光电二极管暗电流较大的问题，该雪崩光电二极管包括：绝缘体上锗GeOI衬底；本征锗I-Ge吸收层(31)，用于吸收光信号，产生光生载流子；第一p型锗硅SiGe层(23)、第二p型锗硅SiGe层(24)，第一锗硅SiGe层(21)、第二锗硅SiGe层(22)，其中，锗硅SiGe层中Si的含量小于等于20％；第一二氧化硅SiO2氧化层(72)，第二二氧化硅SiO2氧化层(73)；第一Taper型硅Si波导层(11)、第二Taper型硅Si波导层(12)；n型重掺杂硅Si倍增层(13)；阳极电极(61)和阴极电极(62)。
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公开(公告)号：CN103091568A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310021677.9
申请日：2013-01-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01R29/26
摘要： 本发明公开了一种雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode，APD）过剩噪声因子测量系统，涉及半导体光电子器件的测试技术领域。本系统包括：光源、光耦合组件以及检测单元；所述检测单元包括：芯片测试工装夹具、偏置器、数字源表、放大器、噪声功率测试设备；光源通过光耦合组件照射在待测APD样品上，样品APD通过测试探针夹具与偏置器相连，数字源表与偏置器直流端口相连，偏置器交流端口连接放大器输入端，噪声功率测试设备连接放大器输出端。本发明通过同步测量APD噪声功率以及增益，实时，快速，精确的得出APD的过剩噪声因子。
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公开(公告)号：CN101488551B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910060799.2
申请日：2009-02-20
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基LED的制备方法，该方法包括半导体外延层的生长、在P型GaN层表面上制备CNT薄膜透明导电电极、二维CNT薄膜光子晶体的制备、N型金属电极的形成和P型电极的制备步骤。本发明可以有效提高LED正面的出光效率，并同时解决透明导电电极与P-GaN的欧姆接触问题；在工艺上，电极选材合理，采用了纳米压印技术，具有制作成本低，生产效率高及光栅分辨率高的特点。
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公开(公告)号：CN101777596A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010031383.0
申请日：2010-01-19
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/052
摘要： 本发明属于太阳能光伏发电领域，一种采用光子晶体的色散型太阳能电池包括：聚光单元、分光单元、环状光伏电池组，其分光单元实际是一种色散装置，它具有双锥形的圆对称结构，可以将广谱太阳光中不同频率分量分开，且不同频率的出射角度不相同；环状光伏电池组是一系列单结光伏电池，且为环状结构的外观，各个电池的最大吸收峰波长不同。本发明引入光子晶体结构来提高光电转换效率，从而进一步提高整个太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN101320682B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810048015.X
申请日：2008-06-13
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明属于半导体器件制造技术，为一种改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法。其过程为：①先合成和提纯纳米碳管；②在P型半导体上制备纳米碳管薄膜；③在纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜；再沉积一层光刻胶；然后利用半导体微纳制作技术在光刻胶上定义所设计的图形，曝光后，将半导体器件置入显影液中显影、清洗和坚膜后，以光刻胶作为掩蔽，刻蚀介质膜；利用带有设计图形的介质膜作为新的掩蔽刻蚀纳米碳管薄膜，刻蚀完成后去掉残余的介质膜材料；④在纳米管碳薄膜上制备金属电极或合金。本发明利用纳米碳管薄膜改善半导体器件的欧姆接触特性，具有制作工艺简单、成本低和适合大规模应用等优点，可以提高半导体器件的可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN104749706B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510112986.6
申请日：2015-03-13
IPC分类号： G02B6/26
摘要： 本发明公开了一种硅光隔离器，第一目标波导段用于使第二分光信号从第一分支耦合器的第二分支向第一定向耦合器的第二端口传输时产生的非互易相移；第二目标波导段用于使第一分光信号从第一定向耦合器的第四端口向第二定向耦合器的第二端口传输时产生的非互易相移；第三目标波导段用于使第二分光信号从第一定向耦合器的第三端口向第二定向耦合器的第一端口传输时产生的非互易相移；第四目标波导段用于使第一分光信号从第二定向耦合器的第三端口向互易相移器传输时产生的非互易相移；互易相移器用于使经过互易相移器的第一分光信号产生的互易相移。采用该方案，能够有效地减少磁场分布的面积，提高了磁场的利用效率。
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公开(公告)号：CN103107217B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310012874.4
申请日：2013-01-14
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种薄膜太阳能电池及其制作方法，属于太阳能利用技术领域，解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片，由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤；本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤；本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高，适合工业化量产。
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公开(公告)号：CN103929252A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410172677.3
申请日：2014-04-25
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H04B10/61
摘要： 本发明属于光电通信器件技术领域，公开了一种基于雪崩光电二极管APD的相干接收机，包括：多模干涉耦合器MMI、可变光衰减器VOA以及雪崩光电二极管APD；光信号通过入射波导进入所述多模干涉耦合器MMI；所述多模干涉耦合器MMI的输出端与所述可变光衰减器VOA的输入端相连；所述可变光衰减器VOA的输出端与所述雪崩光电二极管APD的输入端相连。本发明提供的基于雪崩光电二极管APD的相干接收机，通过APD的内部增益，与本振光共同作用，实现信号放大，降低了系统对本地激光器的发射光功率的要求，使相干接收机具有高灵敏度，低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN103107217A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310012874.4
申请日：2013-01-14
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种薄膜太阳能电及其制作方法，属于太阳能利用技术领域，解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片，由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤；本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤；本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高，适合工业化量产。
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