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公开(公告)号:CN117182225A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202311171272.3
申请日:2023-09-11
申请人: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC分类号: B23K1/00 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/19 , B23K103/00
摘要: 本发明属于石墨活性钎焊技术领域,尤其涉及一种焊接石墨的铜框架活性钎焊的焊接方法及系统,包括以下步骤:S1,将铜箔经过酸、丙酮、乙醇清洗后,在铜箔两侧均匀附着一层极薄的含有活性元素锡基钎料并迅速烘干;S2,将两侧附着活性元素的铜箔两面贴合石墨,依次将石墨母材、铜箔摆放至所需厚度后固定并放入真空钎焊炉中;S3,抽真空低至10‑3Pa时,开始随炉升温,在200‑350℃时,保温10‑30min后进行排胶,将炉升温至钎焊连接温度900‑1050℃后,保温10‑30min并施加500‑1500kg压力,冷却后即可得到石墨块材。本发明采用铜为钎焊焊料的框架,制备的钎焊石墨可实现较好的钎焊连接,接头无裂纹、气孔等缺陷,具有节省焊料,生产效率高,制备过程简单等优点。
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公开(公告)号:CN118571850A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410633934.2
申请日:2024-05-21
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: H01L23/473 , H01L23/373 , H01L21/50
摘要: 本发明属于电力电子技术领域,公开了一种具备金刚石/铜垫片的双面水冷功率模块及其制备方法,双面水冷功率模块,由金刚石/铜垫片,功率芯片,基板,金属焊料,散热器,功率端子等组装制备而成。金刚石/铜垫片可通过高温高压或气压烧结工艺制备而成。对垫片进行打磨和表面修饰增强其与DBC基板的可焊性。基于该金刚石/铜垫片的双面水冷功率模块,预期在同等条件下相对常规钼片、钼铜等金属垫片的双面水冷功率模块,最大减少20%热阻,温度循环能力提升8倍。本发明公开的具有金刚石/铜垫片的双面水冷功率模块具有低热阻、强散热、高可靠的特点,工艺简单,成本可控,适用于电力电子领域的批量生产,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN117238860A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311274780.4
申请日:2023-09-28
申请人: 华中科技大学
摘要: 本发明属于功率器件封装技术领域,公开了一种多层多组分高温封装结构、制备方法及应用,由多层多组分薄膜交替堆叠而成,封装方式为ABABABABAB···。其中,A为有机层,包括Parylene薄膜,硅凝胶,环氧树脂等,B为无机层,包括Al2O3,SiO2,SiN等;Parylene包括Parylene N、C、D、F、HT,通过化学气相沉积工艺实现低温均匀致密沉积;硅凝胶,环氧树脂为双组分有机物,通过混合,除气,固化等步骤制备。Al2O3,SiO2,SiN等采用原子层沉积或磁控溅射等真空镀膜法制备。本发明的高温封装方案可保护DBC基板/芯片在250℃长期可靠,可使功率器件稳定运行于高温高湿环境下。
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