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    SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法
    1.
    发明授权
    SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法 有权

    公开(公告)号：CN117849565B

    公开(公告)日：2024-10-25

    申请号：CN202311720609.1

    申请日：2023-12-13

    申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 ,  华中科技大学

    发明人： 马凯 ,  李巍巍 ,  李盈 ,  谭令其 ,  于圣旭 ,  时晓洁 ,  王智强 ,  李歆蔚 ,  杨柳 ,  马燕君

    IPC分类号： G01R31/26

    摘要： 本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，Vdif(dVgs/dt)增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFET S2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。

    一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统
    3.
    发明公开
    一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统 有权

    公开(公告)号：CN117849566A

    公开(公告)日：2024-04-09

    申请号：CN202311720624.6

    申请日：2023-12-13

    申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 ,  华中科技大学

    发明人： 谭令其 ,  李盈 ,  马凯 ,  李巍巍 ,  杨柳 ,  于圣旭 ,  时晓洁 ,  王智强

    IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/54

    摘要： 本发明属于故障检测技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统，包括：S1：提取开通脉冲和关断脉冲；S2：提取实际内部栅极状态信号；S3：检查驱动信号与实际内部栅极状态的不一致性；S4：对信号进行低通滤波；S5：锁存故障信号；S6：生成最终驱动信号。本发明结构简单、成本低，只需要通用运算放大器、二极管、逻辑器件等成本低廉的元器件，无需高性能的微控制器，大大降低了总体成本。本发明设计步骤简单、使用方便、原理巧妙，设计过程简单，无需复杂的电路参数设计过程。本发明检测速度快，由于使用的都是模拟电路器件和逻辑电路器件，无需微控制器等复杂的检测或控制单元，所以检测速度很快。

    SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法
    5.
    发明公开
    SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法 有权

    公开(公告)号：CN117849565A

    公开(公告)日：2024-04-09

    申请号：CN202311720609.1

    申请日：2023-12-13

    申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 ,  华中科技大学

    发明人： 马凯 ,  李巍巍 ,  李盈 ,  谭令其 ,  于圣旭 ,  时晓洁 ,  王智强 ,  李歆蔚 ,  杨柳 ,  马燕君

    IPC分类号： G01R31/26

    摘要： 本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，Vdif(dVgs/dt)增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFET S2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。

    一种带有二次流道的波浪形SiC器件直接液冷散热结构
    6.
    发明公开
    一种带有二次流道的波浪形SiC器件直接液冷散热结构 审中-实审

    公开(公告)号：CN117855162A

    公开(公告)日：2024-04-09

    申请号：CN202311729662.8

    申请日：2023-12-15

    申请人： 华中科技大学 ,  广东电网有限责任公司电力科学研究院

    发明人： 王智强 ,  马凯 ,  廖宇 ,  谭令其 ,  杨柳 ,  李巍巍 ,  时晓洁 ,  李歆蔚

    IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/473

    摘要： 本发明属于散热结构技术领域，公开了一种带有二次流道的波浪形SiC器件直接液冷散热结构，包括：基板、翅片结构、下冷板、功率半导体模块；基板上方与功率半导体模块焊接，翅片结构位于基板下方，下冷板与基板密封连接。本发明着重于散热结构的创新，在保证简单、高效、易加工的商业应用前提下以更低的泵送功率实现液冷换热性能的提升。本发明的翅片结构沿流动方向呈波浪形形式，并采用交错不连续的布置方式引入二次流动通道，促进主流道间流动工质的流动混合，在翅片之间形成迪恩涡破坏流动边界层，进而提高换热效率。相对于传统散热结构，本发明在增强流体内部扰动的同时并未显著增加流体的压降损耗，能够在整个流动区域内保持较高的换热系数。