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公开(公告)号：CN103050378B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210470483.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理，得到表面清洁光滑的硅片；然后将硅片放在两个电极之间，并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应，得到不同长度的硅纳米线阵列；在刻蚀结束前的10~15min时，加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束；最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低；首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列，解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN103073194B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310008117.X
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法。本发明的方法采用一步水热反应法，将氧化铝薄片和FTO衬底同时放入高压反应釜中，在反应体系中使ZnNO3.·6H2O和乌洛托品水溶液进行水热反应。反应一段时间后，冷却至室温，得ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料。此材料兼具了纳米阵列结构的电子直线传输通道功能,又提高了光阳极的比表面积，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力；片层结构直接生长于FTO，提高了光阳极材料和FTO之间的接触能力，更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流，在DSSC领域具有广泛的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN103103511B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310064543.5
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池纳米结构技术领域，特别涉及一种利用银镜反应制备硅表面形貌可控纳米银粒子的方法。本发明采用不同温度下的、无添加剂的银镜反应在（100）硅片表面制备了尺寸、形状、均匀性可控的纳米银粒子，采用不同形貌的纳米银粒子催化刻蚀，获得了不同形貌的硅表面纳米结构。本发明在保持催化刻蚀特征的基础上，通过银镜反应简化了纳米银粒子镀覆的工艺过程，制备出长米状、短棒状、多面体状银粒子以及絮状银，为硅表面催化银粒子的形貌可控制备工艺提供了新的方法。纳米银粒子可直接应用于催化刻蚀工艺，制备出圆孔、密集小孔、凹凸孔和方孔硅表面纳米结构，实现了太阳能电池中纳米陷光结构的可控制备。
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公开(公告)号：CN103103511A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310064543.5
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池纳米结构技术领域，特别涉及一种利用银镜反应制备硅表面形貌可控纳米银粒子的方法。本发明采用不同温度下的、无添加剂的银镜反应在（100）硅片表面制备了尺寸、形状、均匀性可控的纳米银粒子，采用不同形貌的纳米银粒子催化刻蚀，获得了不同形貌的硅表面纳米结构。本发明在保持催化刻蚀特征的基础上，通过银镜反应简化了纳米银粒子镀覆的工艺过程，制备出长米状、短棒状、多面体状银粒子以及絮状银，为硅表面催化银粒子的形貌可控制备工艺提供了新的方法。纳米银粒子可直接应用于催化刻蚀工艺，制备出圆孔、密集小孔、凹凸孔和方孔硅表面纳米结构，实现了太阳能电池中纳米陷光结构的可控制备。
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公开(公告)号：CN103101965A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310064604.8
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料技术领域的一种具有均匀表面修饰的ZnO纳米柱材料的制备方法，此方法使Zn(CH3COO)2、乌洛托品水溶液进行水热反应，制备的ZnO纳米柱材料结构形貌均一，且具有排列均匀的凹坑进行表面修饰。将此材料与P25进行物理掺杂，得到的复合结构兼具了ZnO纳米柱的电子直线传输通道功能，又因P25的加入提高光阳极的比表面积，P25可很好的填充于氧化锌纳米柱表面的凹坑中，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力，增强了两种材料的表面接触，降低了两种结构之间的界面复合。相对于单纯的氧化锌纳米柱更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103050378A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210470483.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理，得到表面清洁光滑的硅片；然后将硅片放在两个电极之间，并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应，得到不同长度的硅纳米线阵列；在刻蚀结束前的10~15min时，加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束；最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低；首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列，解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN102815689A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210300689.0
申请日：2012-08-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明属于无机非金属材料制备方法技术领域，特别涉及一种粒径均匀的碳微米球材料的制备方法。本发明采用水热还原法，用EG作为碳源和溶剂，溶解FeCl3、PVP和AgNO3，最后加入浓HCl，在内衬为聚四氟乙烯的反应釜和恒温干燥箱中，保持高温高压条件，制备出碳微米球材料。经扫描电镜观察和EDS检测，本发明能够制备出高产量、粒径均匀的碳微米球材料。本发明采用水热法相比于以往常用的制备方法所需温度低、时间短，同时以此方法制备出的碳微米球材料粒径分布范围窄，产量高。
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公开(公告)号：CN102701266A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210169982.8
申请日：2012-05-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于水热法合成光催化材料的方法技术领域，特别涉及一种树叶状微米结构氯化银颗粒的制备方法。本发明采用水热法还原混合有浓HCl的AgNO3、FeCl3和PVP的EG溶液，反应一定时间后冷却溶液，通过离心提取样品，最终获得具有高含量且轴对称的树叶状微米结构AgCl颗粒。该方法步骤简单，操作简便，由于加入了较大比例的浓HCl，使得产物为AgCl晶体，而非人们常用此反应组成物及方法得到的Ag单质。此外，经扫描电镜观察可知，本发明方法得到的微米结构AgCl晶体颗粒的结构统一为轴对称的三棱树叶状。经过性能测试，这种树叶状微米结构氯化银颗粒具有良好的光催化降解有机污染物的性能。
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公开(公告)号：CN102354661A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110251150.6
申请日：2011-08-29
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN102299207A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110252280.1
申请日：2011-08-30
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法，清洗硅片后，采用碱刻蚀制备金字塔结构表面，然后再结合贵金属纳米粒子催化刻蚀的方法制得多孔金字塔表面陷光结构，采用本发明的方法制备出的硅表面多孔金字塔型陷光结构，在300nm到1000nm的光谱范围内其平均反射率降到了3.3％的水平，为提高硅太阳能电池的效率提供了新的技术手段。本发明综合利用传统碱刻蚀与贵金属纳米粒子辅助刻蚀的工艺方法、保持湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果。
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