一种表面修饰的由纳米片层组装的微米银球及其制备方法

    公开(公告)号:CN103014776B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201310009307.3

    申请日:2013-01-09

    IPC分类号: C25C5/02

    摘要: 本发明属于微米材料制备方法技术领域,特别涉及一种表面修饰的由纳米片层组装的微米银球及其制备方法。本发明采用电化学沉积法,在恒定电压下,在酒石酸-硝酸银电解体系下,制备出了纳米片层组装的微米银球结构并有效的对其进行了表面修饰。微米银球由不同取向的纳米片层相互团聚构成;微米银球表面均自带类似枝状薄片结构的表面修饰物。此方法制备的微米银球带有类似枝状薄片结构的表面修饰物,因而具有表面粗糙度高,比表面积大的特性。较高的表面粗糙度及较大的比表面积使得此结构的微米银球有望运用于拉曼增强、过氧化氢检测、超疏水、光催化及气体吸附等领域。

    一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103073194A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201310008117.X

    申请日:2013-01-09

    CPC分类号: Y02E10/542

    摘要: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法。本发明的方法采用一步水热反应法,将氧化铝薄片和FTO衬底同时放入高压反应釜中,在反应体系中使ZnNO3.·6H2O和乌洛托品水溶液进行水热反应。反应一段时间后,冷却至室温,得ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料。此材料兼具了纳米阵列结构的电子直线传输通道功能, 又提高了光阳极的比表面积,保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力;片层结构直接生长于FTO,提高了光阳极材料和FTO之间的接触能力,更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流,在DSSC领域具有广泛的实际应用价值。

    一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103073194B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201310008117.X

    申请日:2013-01-09

    CPC分类号: Y02E10/542

    摘要: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法。本发明的方法采用一步水热反应法,将氧化铝薄片和FTO衬底同时放入高压反应釜中,在反应体系中使ZnNO3.·6H2O和乌洛托品水溶液进行水热反应。反应一段时间后,冷却至室温,得ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料。此材料兼具了纳米阵列结构的电子直线传输通道功能,又提高了光阳极的比表面积,保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力;片层结构直接生长于FTO,提高了光阳极材料和FTO之间的接触能力,更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流,在DSSC领域具有广泛的实际应用价值。

    一种具有表面修饰的ZnO纳米柱材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103101965A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201310064604.8

    申请日:2013-02-28

    IPC分类号: C01G9/02 B82Y30/00

    摘要: 本发明公开了属于纳米材料技术领域的一种具有均匀表面修饰的ZnO纳米柱材料的制备方法,此方法使Zn(CH3COO)2、乌洛托品水溶液进行水热反应,制备的ZnO纳米柱材料结构形貌均一,且具有排列均匀的凹坑进行表面修饰。将此材料与P25进行物理掺杂,得到的复合结构兼具了ZnO纳米柱的电子直线传输通道功能,又因P25的加入提高光阳极的比表面积,P25可很好的填充于氧化锌纳米柱表面的凹坑中,保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力,增强了两种材料的表面接触,降低了两种结构之间的界面复合。相对于单纯的氧化锌纳米柱更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流。

    一种树叶状微米结构氯化银颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN102701266B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201210169982.8

    申请日:2012-05-28

    IPC分类号: C01G5/02 B01J27/10 B01J35/02

    摘要: 本发明属于水热法合成光催化材料的方法技术领域,特别涉及一种树叶状微米结构氯化银颗粒的制备方法。本发明采用水热法还原混合有浓HCl的AgNO3、FeCl3和PVP的EG溶液,反应一定时间后冷却溶液,通过离心提取样品,最终获得具有高含量且轴对称的树叶状微米结构AgCl颗粒。该方法步骤简单,操作简便,由于加入了较大比例的浓HCl,使得产物为AgCl晶体,而非人们常用此反应组成物及方法得到的Ag单质。此外,经扫描电镜观察可知,本发明方法得到的微米结构AgCl晶体颗粒的结构统一为轴对称的三棱树叶状。经过性能测试,这种树叶状微米结构氯化银颗粒具有良好的光催化降解有机污染物的性能。

    一种表面修饰的由纳米片层组装的微米银球及其制备方法

    公开(公告)号:CN103014776A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201310009307.3

    申请日:2013-01-09

    IPC分类号: C25C5/02

    摘要: 本发明属于微米材料制备方法技术领域,特别涉及一种表面修饰的由纳米片层组装的微米银球及其制备方法。本发明采用电化学沉积法,在恒定电压下,在酒石酸-硝酸银电解体系下,制备出了纳米片层组装的微米银球结构并有效的对其进行了表面修饰。微米银球由不同取向的纳米片层相互团聚构成;微米银球表面均自带类似枝状薄片结构的表面修饰物。此方法制备的微米银球带有类似枝状薄片结构的表面修饰物,因而具有表面粗糙度高,比表面积大的特性。较高的表面粗糙度及较大的比表面积使得此结构的微米银球有望运用于拉曼增强、过氧化氢检测、超疏水、光催化及气体吸附等领域。

    一种树叶状微米结构氯化银颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN102701266A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210169982.8

    申请日:2012-05-28

    IPC分类号: C01G5/02 B01J27/10 B01J35/02

    摘要: 本发明属于水热法合成光催化材料的方法技术领域,特别涉及一种树叶状微米结构氯化银颗粒的制备方法。本发明采用水热法还原混合有浓HCl的AgNO3、FeCl3和PVP的EG溶液,反应一定时间后冷却溶液,通过离心提取样品,最终获得具有高含量且轴对称的树叶状微米结构AgCl颗粒。该方法步骤简单,操作简便,由于加入了较大比例的浓HCl,使得产物为AgCl晶体,而非人们常用此反应组成物及方法得到的Ag单质。此外,经扫描电镜观察可知,本发明方法得到的微米结构AgCl晶体颗粒的结构统一为轴对称的三棱树叶状。经过性能测试,这种树叶状微米结构氯化银颗粒具有良好的光催化降解有机污染物的性能。

    一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法

    公开(公告)号:CN103258718B

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201310182159.5

    申请日:2013-05-16

    IPC分类号: H01L21/02

    摘要: 本发明属于硅基LED与太阳能电池技术领域,特别涉及一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法。本发明采用单面抛光的P(111)单晶硅片,先通过溅射-退火手段在表面形成一层非连续的Ag纳米颗粒,然后利用一定波长激光照射酸刻蚀硅过程,在表面制备出“弹坑状”多孔硅结构方法。本发明首次把激光照射Ag纳米颗粒表面激发的局域表面等离子激元效应与传统的酸刻蚀技术相结合,采用了完备、简单、实用的硅片清洗与溅射-退火银纳米颗粒沉积的工艺过程,这种全新的制备方法为研发新型多孔硅材料提供了一种有效的技术手段,同时也为硅基LED及太阳能电池的开发提出了新思路。

    一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法

    公开(公告)号:CN103258718A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310182159.5

    申请日:2013-05-16

    IPC分类号: H01L21/02

    摘要: 本发明属于硅基LED与太阳能电池技术领域,特别涉及一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法。本发明采用单面抛光的P(111)单晶硅片,先通过溅射-退火手段在表面形成一层非连续的Ag纳米颗粒,然后利用一定波长激光照射酸刻蚀硅过程,在表面制备出“弹坑状”多孔硅结构方法。本发明首次把激光照射Ag纳米颗粒表面激发的局域表面等离子激元效应与传统的酸刻蚀技术相结合,采用了完备、简单、实用的硅片清洗与溅射-退火银纳米颗粒沉积的工艺过程,这种全新的制备方法为研发新型多孔硅材料提供了一种有效的技术手段,同时也为硅基LED及太阳能电池的开发提出了新思路。