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公开(公告)号：CN105439126B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410439978.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明属于先进碳材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种大面积单晶石墨烯的简便、稳定的制备方法，适用于毫米级单晶石墨烯的制备。本发明在1000℃下以甲烷（CH4）为碳源、氢气为还原性气体利用低压化学气相沉积(LPCVD)法生长单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行丙酮、乙醇等超声处理，无需采用复杂的电化学方法对铜箔进行抛光等预处理过程，也无需长达数小时、高氢气流量的退火过程，只需要在升温之前抽尽反应器中的空气并保证在升温过程中没有气体通入，通过这一简便处理方法可以大幅度降低石墨烯在铜箔上的成核密度，且只需通过2‑3小时的生长时间即可以生长出对边距离达到1mm大小的单晶石墨烯。样品经扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱分析（Raman）等手段表征证明为单晶石墨烯且具有较少的缺陷。
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公开(公告)号：CN105126796B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510404601.3
申请日：2015-07-13
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: B01J27/135 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J37/031 , B01J37/06 , B01J37/08 , C01G23/053 , C01P2002/54 , C01P2002/85 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09C1/3653 , H01G9/2031 , Y02E10/542
Abstract: 本发明公开了一种氟掺杂片层状黑色二氧化钛纳米材料的制备方法，属于纳米材料技术领域。包括步骤如下：1）首先配置好钛酸四正丁酯，正丙醇和氢氟酸混合体系，搅拌一段时间；2）将混合溶液转移至高压反应釜中，在一定温度下反应一段时间；3）将反应后的样品进行洗涤、干燥处理，然后在保护气氛下加热一段时间便可得到氟掺杂片层状黑色二氧化钛纳米材料。相比于商业化生产的二氧化钛P25，这种氟掺杂片层状黑色二氧化钛纳米材料具有更优异的光吸收和电子传输性能。
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公开(公告)号：CN105439126A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410439978.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于先进碳材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种大面积单晶石墨烯的简便、稳定的制备方法，适用于毫米级单晶石墨烯的制备。本发明在1000℃下以甲烷（CH4）为碳源、氢气为还原性气体利用低压化学气相沉积(LPCVD)法生长单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行丙酮、乙醇等超声处理，无需采用复杂的电化学方法对铜箔进行抛光等预处理过程，也无需长达数小时、高氢气流量的退火过程，只需要在升温之前抽尽反应器中的空气并保证在升温过程中没有气体通入，通过这一简便处理方法可以大幅度降低石墨烯在铜箔上的成核密度，且只需通过2-3小时的生长时间即可以生长出对边距离达到1mm大小的单晶石墨烯。样品经扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱分析（Raman）等手段表征证明为单晶石墨烯且具有较少的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105126796A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510404601.3
申请日：2015-07-13
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: B01J27/135 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J37/031 , B01J37/06 , B01J37/08 , C01G23/053 , C01P2002/54 , C01P2002/85 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09C1/3653 , H01G9/2031 , Y02E10/542
Abstract: 本发明公开了一种氟掺杂片层状黑色二氧化钛纳米材料的制备方法，属于纳米材料技术领域。包括步骤如下：1）首先配置好钛酸四正丁酯，正丙醇和氢氟酸混合体系，搅拌一段时间；2）将混合溶液转移至高压反应釜中，在一定温度下反应一段时间；3）将反应后的样品进行洗涤、干燥处理，然后在保护气氛下加热一段时间便可得到氟掺杂片层状黑色二氧化钛纳米材料。相比于商业化生产的二氧化钛P25，这种氟掺杂片层状黑色二氧化钛纳米材料具有更优异的光吸收和电子传输性能。
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公开(公告)号：CN105047528B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510219200.0
申请日：2015-05-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N（100）双面抛光单晶硅片，利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面，配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀混合而成的减薄液并放入水浴中预热，然后把用夹具固定好的硅片浸入减薄液，通过控制反应时间和温度可获得所需厚度的超薄硅片。超薄硅片表面光亮平整，呈镜面效果，无明显的减薄缺陷。本发明利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了低温、常压下湿法腐蚀的特征，首次获得了厚度可达10mm以下的超薄硅片，拓宽了湿法硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供了新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN105442049A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410440150.4
申请日：2014-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶硅表面图案化微加工的贵金属催化化学腐蚀法。本发明采用（100）或（111）单晶硅片，常温下利用丙酮、无水乙醇和氢氟酸处理得到清洁的硅表面，然后在清洁的单晶硅表面上做设定图案的光刻掩膜；配制氢氟酸/贵金属盐溶液/氧化剂均匀混合的腐蚀液并放入水浴中预热，把硅片浸入腐蚀液，在一定的溶液配比下通过控制水浴温度与反应时间即可获得表面图案化微加工的单晶硅片。本发明利用特定贵金属催化工艺技术，单步法即可实现硅片表面图案的均匀腐蚀，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得表面图案化微加工的单晶硅片，拓宽了贵金属催化硅腐蚀的应用范畴，为硅片表面图案化微加工提供了新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN105047528A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510219200.0
申请日：2015-05-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N（100）双面抛光单晶硅片，利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面，配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀混合而成的减薄液并放入水浴中预热，然后把用夹具固定好的硅片浸入减薄液，通过控制反应时间和温度可获得所需厚度的超薄硅片。超薄硅片表面光亮平整，呈镜面效果，无明显的减薄缺陷。本发明利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了低温、常压下湿法腐蚀的特征，首次获得了厚度可达10mm以下的超薄硅片，拓宽了湿法硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供了新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN205635775U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201521017456.5
申请日：2015-12-10
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于化学湿法单面减薄单晶硅片的模具，包括主体部分，盖子部分和观测部分，各部分的要求：（a）主体形状为正多棱柱形，内腔室为圆柱体；棱柱一侧封闭，一侧为凹槽形开口结构，凹槽有内螺纹；棱柱顶面开口，有相连的两个边长不同的正方形；小正方形侧面存在对称凹槽，用于嵌合观测部件，大正方形开口为添加溶液位置。（b）盖子部分为凸台圆环形；凸台外侧车有外螺纹，用于结合主体部分凹槽螺纹。（c）观测部件整体大小与主体部分顶部小正方形开口大小一致；侧面对称凸起用于固定观测部件；下部开有孔洞形通道用于固定LED灯头。本实用新型模具具有操作简单，可原位观测硅片，密封性好等优点。
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