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公开(公告)号：CN105006376B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510404605.1
申请日：2015-07-13
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管与氧化镍复合材料的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明首先通过水热法，利用Ni(NO3)2·6H2O和D‑葡萄糖混合溶液制备出了氢氧化镍球形结构。将制得的球形结构氢氧化镍放在硅基板上，在化学气相沉积系统（CVD）中，通氩气，然后加热，使得氢氧化镍转变成氧化镍；再同时通氢气，将氧化镍球部分还原成镍单质，然后通乙烯气体，在部分还原的氧化镍球表面原位催化生长碳纳米管。通过这种方法，可以简单高效地一步制备氧化镍与碳管的复合材料。相比于传统复合方法而言，这种方法还能使氧化镍与碳管结合得更加紧密，导电性更好，更加稳定，从而能更有效地提高该复合材料的性能。该复合材料在制备超级电容器和锂电池等电化学器件上有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105006376A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510404605.1
申请日：2015-07-13
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/46 , C01B32/158 , H01G11/36 , H01G11/86 , H01M4/362 , H01M4/52 , H01M4/583
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管与氧化镍复合材料的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明首先通过水热法，利用Ni(NO3)2· 6H2O和D-葡萄糖混合溶液制备出了氢氧化镍球形结构。将制得的球形结构氢氧化镍放在硅基板上，在化学气相沉积系统（CVD）中，通氩气，然后加热，使得氢氧化镍转变成氧化镍；再同时通氢气，将氧化镍球部分还原成镍单质，然后通乙烯气体，在部分还原的氧化镍球表面原位催化生长碳纳米管。通过这种方法，可以简单高效地一步制备氧化镍与碳管的复合材料。相比于传统复合方法而言，这种方法还能使氧化镍与碳管结合得更加紧密，导电性更好，更加稳定，从而能更有效地提高该复合材料的性能。该复合材料在制备超级电容器和锂电池等电化学器件上有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105439126A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410439978.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于先进碳材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种大面积单晶石墨烯的简便、稳定的制备方法，适用于毫米级单晶石墨烯的制备。本发明在1000℃下以甲烷（CH4）为碳源、氢气为还原性气体利用低压化学气相沉积(LPCVD)法生长单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行丙酮、乙醇等超声处理，无需采用复杂的电化学方法对铜箔进行抛光等预处理过程，也无需长达数小时、高氢气流量的退火过程，只需要在升温之前抽尽反应器中的空气并保证在升温过程中没有气体通入，通过这一简便处理方法可以大幅度降低石墨烯在铜箔上的成核密度，且只需通过2-3小时的生长时间即可以生长出对边距离达到1mm大小的单晶石墨烯。样品经扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱分析（Raman）等手段表征证明为单晶石墨烯且具有较少的缺陷。
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公开(公告)号：CN105439126B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410439978.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明属于先进碳材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种大面积单晶石墨烯的简便、稳定的制备方法，适用于毫米级单晶石墨烯的制备。本发明在1000℃下以甲烷（CH4）为碳源、氢气为还原性气体利用低压化学气相沉积(LPCVD)法生长单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行丙酮、乙醇等超声处理，无需采用复杂的电化学方法对铜箔进行抛光等预处理过程，也无需长达数小时、高氢气流量的退火过程，只需要在升温之前抽尽反应器中的空气并保证在升温过程中没有气体通入，通过这一简便处理方法可以大幅度降低石墨烯在铜箔上的成核密度，且只需通过2‑3小时的生长时间即可以生长出对边距离达到1mm大小的单晶石墨烯。样品经扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱分析（Raman）等手段表征证明为单晶石墨烯且具有较少的缺陷。
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