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    一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构
    1.
    发明授权
    一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构 有权

    公开(公告)号：CN107305852B

    公开(公告)日：2024-05-10

    申请号：CN201610262775.5

    申请日：2016-04-25

    申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

    发明人： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

    IPC分类号： H01L21/66

    摘要： 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。

    一种便于串联使用的大功率IGBT模块
    2.
    发明授权
    一种便于串联使用的大功率IGBT模块 有权

    公开(公告)号：CN107305886B

    公开(公告)日：2024-04-05

    申请号：CN201610262592.3

    申请日：2016-04-25

    申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

    发明人： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

    IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/528

    摘要： 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触，其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片；辅助栅极PCB板设置在条状框架内；金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比，本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块，既有利于功率半导体器件的串联，同时不需要太大的钳位压力，降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。

    一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构
    3.
    发明公开
    一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构 有权

    公开(公告)号：CN107305852A

    公开(公告)日：2017-10-31

    申请号：CN201610262775.5

    申请日：2016-04-25

    申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

    发明人： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

    IPC分类号： H01L21/66

    CPC分类号： H01L22/32

    摘要： 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。

    压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法
    5.
    发明公开
    压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114545184A

    公开(公告)日：2022-05-27

    申请号：CN202210159329.7

    申请日：2022-02-22

    申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 詹雍凡 ,  傅实 ,  李学宝 ,  赵志斌 ,  崔翔 ,  唐新灵 ,  代安琪 ,  王亮 ,  韩荣刚

    IPC分类号： G01R31/26

    摘要： 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法，属于压接型IGBT器件领域，罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号，模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号，通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号，模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号，从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量，减少硬件资源占用，降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性，实现了多芯片电流的跨周期分时测量，同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠，降低了系统运行成本。

    一种压接式功率器件静态特性测量系统
    7.
    发明授权
    一种压接式功率器件静态特性测量系统 有权

    公开(公告)号：CN111487515B

    公开(公告)日：2021-03-16

    申请号：CN202010315877.5

    申请日：2020-04-21

    申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 杨艺烜 ,  闫音蓓 ,  彭程 ,  李学宝 ,  赵志斌 ,  崔翔 ,  唐新灵

    IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/04

    摘要： 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法
    8.
    发明授权
    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法 有权

    公开(公告)号：CN110133472B

    公开(公告)日：2020-05-19

    申请号：CN201910481839.4

    申请日：2019-06-04

    申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 顾妙松 ,  范迦羽 ,  崔翔 ,  唐新灵 ,  彭程 ,  李学宝 ,  李金元 ,  赵志斌

    IPC分类号： G01R31/265 ,  G01R31/27

    摘要： 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。