一种便于串联使用的大功率IGBT模块

    公开(公告)号:CN107305886B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN201610262592.3

    申请日:2016-04-25

    IPC分类号: H01L25/11 H01L23/528

    摘要: 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块,包括功率子单元、金属电极板和外部管壳;金属电极板设置在外部管壳的底部;外部管壳包括两列方形框架;两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架;功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触,其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片;辅助栅极PCB板设置在条状框架内;金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比,本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块,既有利于功率半导体器件的串联,同时不需要太大的钳位压力,降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。

    一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构

    公开(公告)号:CN107305852A

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201610262775.5

    申请日:2016-04-25

    IPC分类号: H01L21/66

    CPC分类号: H01L22/32

    摘要: 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,包括上端盖、下端盖和发射极金属电极;上端盖和下端盖均为凹形盖,上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架;发射极金属电极设置在长方体框架内,其包括圆盘形金属电极,及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台,凸台上放置IGBT模块;圆盘形金属电极布置在下端盖上,其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比,本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,可以在主回路参数一致的条件下,测量多个并联的IGBT芯片的开关波形,从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。

    一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构

    公开(公告)号:CN107305852B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN201610262775.5

    申请日:2016-04-25

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,包括上端盖、下端盖和发射极金属电极;上端盖和下端盖均为凹形盖,上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架;发射极金属电极设置在长方体框架内,其包括圆盘形金属电极,及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台,凸台上放置IGBT模块;圆盘形金属电极布置在下端盖上,其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比,本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,可以在主回路参数一致的条件下,测量多个并联的IGBT芯片的开关波形,从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。

    一种直流断路器及其控制方法

    公开(公告)号:CN107453335A

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201610371599.9

    申请日:2016-05-30

    IPC分类号: H02H7/26

    CPC分类号: H02H7/268

    摘要: 本发明提供了一种直流断路器,其包括:换流支路和断流支路;换流支路包括依次连接的隔离开关、限流电感、机械开关和换流单元;断流支路包括断流单元;断流单元与机械开关和换流单元组成的支路并联。本发明提供的直流断路器能够有效的降低直流断路器的全控器件数量和控制复杂程度;易于实现,且极极大的降低了直流断路器的体积和制造成本;结构新颖、控制简单,动作迅速,耐受电压等级高,且易于扩展至不同电压等级直流电网;本发明所提供的直流断路器的控制方法,能够安全、有序、可靠的保障断路器正常运行。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G01R31/265 G01R31/27

    摘要: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法

    公开(公告)号:CN110232234A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910481319.3

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法,所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环;所述坡莫合金环为环状结构;所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端,所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端;将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上,通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控,并放置于工业界的IGBT模块中,作为监测模块的辅助装置,在监测时调节线圈电流,以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    IPC分类号: G01R31/265 G01R31/27

    摘要: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种压接型功率器件封装结构和封装方法

    公开(公告)号:CN111081642A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911064150.8

    申请日:2019-11-04

    摘要: 本发明提供一种压接型功率器件封装结构和封装方法,封装结构包括分体式管壳和位于分体式管壳内部的压接型功率器件;分体式管壳包括上封接件(2)和下封接件(1),所述上封接件(2)和下封接件(1)之间形成密闭腔体;压接型功率器件(5)下表面与下封接件(1)的底部固定,其上表面上封接件(2)的底部固定;分体式管壳内充斥绝缘介质。本发明采用绝缘油或者绝缘气体作为绝缘介质,能够通过绝缘介质提高了功率器件的耐压能力;上封接件和下封接件通过冷压焊接形式固定,在管壳内部形成了密封腔体,大大提高了分体式管壳的密封性能和绝缘可靠性;本发明还提高了封装结构的散热性能和散热效率。