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公开(公告)号：CN109888013A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910215307.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法。所述方法包括以下步骤：（1）在AlxGa1-xN势垒层上方光刻出栅电极接触窗口；（2）采用电子束蒸发/热蒸发/磁控溅射的方法在光刻后的表面沉积金属镁；（3）采用剥离工艺对未曝光的光刻胶进行剥离；（4）采用热退火工艺对沉积镁的外延片进行热退火的扩散掺杂；（5）通过配制稀盐酸将退火后的表面金属镁进行去除，得到增强型GaN基HEMT器件。本发明利用金属镁热扩散技术，实现栅电极下方AlxGa1-xN势垒层的P型掺杂，制备出增强型GaN基HEMT器件。该制备方法具有工艺简单、成本低廉的优点，对于实现高性能GaN基HEMT器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117258279A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311248152.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: A63F13/358 , A63F13/837
Abstract: 本发明公开了一种基于车路云通信网络实现真人射击类游戏的裁判系统，包括：车端感知模块，包括实体小车，所述实体小车上安装有传感器单元和车载单元OBU，所述车载单元OBU用于与路侧感知模块和云服务器进行交互；玩家穿戴模块；多个路侧感知模块RSU，用于感知场地上实体小车、障碍物以及各玩家的位置信息，并将感知的位置信息上传云服务器；云服务器，设有虚拟场景和虚拟车辆，用于根据接收到的信息修改虚拟车辆的位置，以及修改虚拟场景的画面。本发明因使用人工智能技术，有效解决裁判不准、鲁棒性低的缺陷，具有裁判准确、系统稳定、性价比高等优点。本发明可广泛应用于定位导航技术领域、智能决策技术领域。
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公开(公告)号：CN109887872B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201910252334.0
申请日：2019-03-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法。本发明提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵；电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；射频源与电感线圈连接；机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。该装置在制备HEMT器件的过程中，当显示电流为零时，二维电子气沟道被关断，达到刻蚀终点，避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道，实现精准刻蚀。本发明仅额外接一个电流检测装置，无需增添额外的操作步骤，即可实现精确刻蚀，操作简便，有利于提高增强型HEMT器件产品良率，具有很高的实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887872A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910252334.0
申请日：2019-03-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法。本发明提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵；电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；射频源与电感线圈连接；机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。该装置在制备HEMT器件的过程中，当显示电流为零时，二维电子气沟道被关断，达到刻蚀终点，避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道，实现精准刻蚀。本发明仅额外接一个电流检测装置，无需增添额外的操作步骤，即可实现精确刻蚀，操作简便，有利于提高增强型HEMT器件产品良率，具有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN109841676A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910215312.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件及其制备方法。该方法包括以下步骤：（1）在AlGaN势垒层上光刻栅电极接触窗口；（2）对栅电极接触窗口进行微刻蚀处理；（3）在光刻区域蒸镀金属镁；（4）剥离未曝光的光刻胶；（5）进行热掺杂处理；（6）沉积SiN钝化保护层；（7）采用光刻技术制备源漏栅电极；（8）制备欧姆接触电极、肖特基接触电极，得到GaN HEMT器件。本发明利用感应耦合等离子体刻蚀机对栅电极接触窗口区域进行微刻蚀处理辅助掺杂来实现常关型GaN HEMT器件。该制备方法有辅助掺杂效率高、器件性能稳定可重复的优点，对于实现高阈值电压大饱和电流常关型GaN HEMT器件有重要意义。
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公开(公告)号：CN210092092U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920359211.2
申请日：2019-03-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型公开了镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件，包括硅衬底、GaN外延层、AlxGa1-xN势垒层、P型AlGaN掺杂层、栅电极、源电极以及漏电极；P型AlGaN掺杂层为金属镁在AlxGa1-xN势垒层的上表面向下扩散形成的；AlxGa1-xN势垒层中的x表示Al元素含量，x的取值范围为0.01-0.5；栅电极与P型AlGaN掺杂层的上表面接触；源电极以及漏电极分别与AlxGa1-xN势垒层上表面的两侧接触。本实用新型利用金属镁热扩散技术，实现栅电极下方AlxGa1-xN势垒层的P型掺杂，该器件结构简单、成本低廉的优点，对于实现高性能GaN基HEMT器件具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210092091U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920359196.1
申请日：2019-03-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型公开一种辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件，包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层、P型AlGaN掺杂层、SiN钝化保护层、源电极、漏电极以及栅电极；硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层依次层叠；P型AlGaN掺杂层为金属镁在AlGaN层的上表面向下扩散形成的；SiN钝化保护层沉积在P型AlGaN掺杂层上表面以及AlGaN势垒层的上表面；所述源电极和漏电极分别与AlGaN势垒层的上表面两端接触；栅电极与沉积在P型AlGaN掺杂层上表面的SiN钝化保护层接触。本实用新型具有器件性能稳定可重复的优点，对于实现高阈值电压大饱和电流常关型GaN HEMT器件有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209929264U
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201920419968.6
申请日：2019-03-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01J37/32
Abstract: 本实用新型公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置。本实用新型提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵；电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；射频源与电感线圈连接；机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。该装置在制备HEMT器件的过程中，当显示电流为零时，二维电子气沟道被关断，达到刻蚀终点，避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道，实现精准刻蚀。本实用新型仅额外接一个电流检测装置，无需增添额外的操作步骤，即可实现精确刻蚀，操作简便，有利于提高增强型HEMT器件产品良率，具有很高的实用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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