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公开(公告)号：CN115252778B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210715656.6
申请日：2022-06-22
Applicant: 南方医科大学皮肤病医院(广东省皮肤病医院、广东省皮肤性病防治中心、中国麻风防治研究中心) , 佛山市第一人民医院(中山大学附属佛山医院) , 广州市第一人民医院(广州消化疾病中心、广州医科大学附属市一人民医院、华南理工大学附属第二医院)
Abstract: 本发明公开了一种基于预激活巨噬细胞膜的仿生囊泡复合物及其制备方法和应用，所述仿生囊泡复合物是膜包核结构，其核为聚集发光光敏剂复合物，其膜是预激活巨噬细胞膜。其制备步骤包括：特定病原体刺激巨噬细胞，提取表达特定病原体特异性受体的预激活巨噬细胞膜；制备聚集发光光敏剂复合物；提取得到的巨噬细胞膜、聚集发光光敏剂复合物进行水浴超声处理，得到仿生囊泡复合物。仿生囊泡复合物可在制备杀伤特定病原体药物、光动力治疗特定病原体相关疾病药物中应用。本发明优点包括：可实现病灶特定病原体肉芽肿和肉芽肿内病原体的双重靶向，然后在近红外光照射下实现靶向PDT，增加疗效、减少疗程，降低药物的毒副作用，实现综合精准治疗，达到多模态综合治疗的目的。
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公开(公告)号：CN115359384A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210813867.3
申请日：2022-07-11
Applicant: 广州北环智能交通科技有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种新型车辆轨迹提取方法及系统，方法包括构建车辆信息提取模型，依据车辆已有轨迹进行预测，得到车辆预测轨迹，获取车辆实际运动轨迹，并将车辆实际运动轨迹和车辆预测运动轨迹进行匹配，得到最优车辆轨迹，对所述最优车辆轨迹进行降噪处理，得到最终车辆轨迹，从而实现车辆轨迹的提取；通过依据车辆已有轨迹进行预测，得到车辆预测轨迹，然后将车辆实际运动轨迹和车辆预测运动轨迹进行匹配，得到最优车辆轨迹，并对最优车辆轨迹进行降噪处理，能够准确得到车辆轨迹，提高车辆轨迹提取的准确度，此外，通过构建车辆信息提取模型，能够提高车辆轨迹提取的效率。
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公开(公告)号：CN109980342A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910167552.4
申请日：2019-03-06
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种金属边框手机天线，包括矩形金属边框、介质基板、天线辐射体、金属接地板及同轴馈线，所述介质基板的上表面设置天线辐射体，介质基板的下表面设置金属接地板；所述天线辐射体包括垂直微带线及水平微带线，所述垂直微带线与水平微带线的一端及矩形金属边框的一端连接，所述水平微带线的另一端与矩形金属边框的一侧连接；所述金属接地板与矩形金属边框连接；所述矩形金属边框的一侧及一端各开有缝隙，所述一侧为左侧或右侧，所述一端为上端或下端。本发明具有无净空区域、带宽大及结构简单等特点。
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公开(公告)号：CN106706599A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611044814.0
申请日：2016-11-22
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华南理工大学
IPC: G01N21/71
CPC classification number: G01N21/718
Abstract: 本发明公开了一种锅炉受热面老化等级分析方法，包括：获取待测样本的等离子体光谱数据；依据所述等离子体光谱数据获取元素特征光谱强度；根据所述元素特征光谱强度，由不同老化等级与元素特征光谱强度的关系式，确定待测样品的老化等级。应用本发明提供的锅炉受热面老化等级分析方法，通过获取待测样本的元素特征光谱强度，根据元素特征光谱强度与不同老化等级的关系式，确定待测样品的老化等级。综合利用了对分析受热面老化等级具有显著贡献的谱线信息，简化了受热面老化等级的分析过程，提高了受热面老化等级的分析速度，从而缩短了受热面停炉检修的时间。
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公开(公告)号：CN104451074A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410782833.8
申请日：2014-12-15
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华南理工大学
Abstract: 一种降低Super304H耐热钢的晶间腐蚀敏感性的方法：S1：把一段Super304H钢在电阻式热处理炉中进行均匀化固溶预处理得预处理试样；S2：将S1所得预处理试样放入电阻式热处理炉中进行软化处理，软化温度为1250℃～1300℃之间，保温20min～60min后进行水冷，得到软化试样；S3：将S2所得软化试样在电阻式热处理炉中进行固溶处理，并进行水冷，得到软化+固溶试样；所述的固溶预处理和固溶处理工艺均为在空气中加热1150℃×30min，然后水冷至室温。本发明既提高了Super304H的耐晶间腐蚀性能，又可以保证不降低其高温强度，大大减少因晶间腐蚀导致的泄露或爆管事故，提高火力发电的安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103642335A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310628825.3
申请日：2013-11-29
Applicant: 华南理工大学 , 中山市鸿宝电业有限公司
Abstract: 本发明公开了聚乙烯醇缩丁醛导热涂料及其制备方法，按质量百分比计，该导热涂料原料配方组成为：PVB5～10%，导热填料15～35%，溶剂50～75%，助剂1～4%；制备时，将PVB加入到溶剂中，充分溶解得到PVB溶液；将助剂加到PVB溶液中，并搅拌均匀；将导热填料加入到步骤2）所得溶液中，用均质分散机分散、细化；过滤，真空脱泡。本发明在复合之前，用硅烷偶联剂对填料进行处理以提高它和PVB的相容性。本发明所得的导热涂层的导热率相对较高，最低都达到了2.581W/m K；本发明得到的导热涂层对铝、铝合金、铁等金属有较强的附着力，在填充量达到80%时，与金属基材仍能有较好的附着力。
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公开(公告)号：CN102701154A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210112154.0
申请日：2012-04-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超临界干燥制备超细氧化铝的方法，本发明以勃姆石为原料，将勃姆石粉末加入到去离子水中，以500rpm速度搅拌，调节体系pH在3.0-6.0；再以一定速度搅拌5min～5hr，期间保持反应体系pH值在3.0-6.0；分散完成后，使用滤布过滤得到勃姆石溶胶，将勃姆石溶胶装入高压釜，加入二氧化碳，在温度70-200℃,压力7.5-25.0MPa下混合均匀，并在超临界条件干燥一定时间，然后放空二氧化碳，同时用膜材料收集固体，在500-1800℃下焙烧后得到超细氧化铝。本方法制备得到的超细氧化铝具有比表面积大，密度低、粒径小、纯度高、粒径分布均匀等优点。
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公开(公告)号：CN118698541A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410617061.6
申请日：2024-05-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J23/72 , B01J37/08 , C07C51/09 , C07C63/26
Abstract: 本发明公开了基于第一过渡系金属的负载型催化剂及其氢解含氧聚合物的方法。该制备方法包括如下步骤：(1)将富氮、富氧原料和金属盐加入水中，搅拌均匀然后烘干；所述金属盐中的金属为第一过渡系金属；(2)置于惰气氛围程序升温至目标温度T1并保持，冷却至室温后再程序升温至目标温度T2并保持，得到负载型催化剂。与本领域现有技术相比，本发明制备方法简单高效，原料设备成本低，可实现大规模产业化应用。此外，本发明首次公开基于过渡系金属的炭负载型催化剂用于高效无溶剂解聚含氧聚合物方法，与现有技术相比显著降低催化剂成本，为含氧聚合物工业材料的全生命周期高值循环利用和废弃聚合物管理的可持续发展提供技术基础。
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公开(公告)号：CN109860997B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910183996.7
申请日：2019-03-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种光控极化可重构单极子天线，包括反射板及介质基板，所述介质基板通过支撑结构固定在反射板的上方，所述介质基板的上表面印制天线辐射单元、寄生单元、微带线馈电单元及光开关，所述介质基板的下表面印制接地板单元；所述天线辐射单元包括一个C型单极子，所述C型单极子开有凹槽及L型槽；所述寄生辐射单元位于凹槽内，所述光开关位于微带线馈电单元与天线辐射单元的连接处；还包括同轴馈线单元，所述同轴馈线单元通过介质基板向微带线馈电单元馈电。本发明采用平面结构，使用反射板，使得天线定向辐射，具备良好的方向性，能实现三个模式的极化可重构。
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公开(公告)号：CN113219216A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110440078.5
申请日：2021-04-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓微波晶体管测试夹具及其工作方法，其中夹具包括：PCB板，设有用于安放待测晶体管的切槽，PCB板上还设有微带电路，所述微带电路包括射频主线电路和偏置电路；所述射频主线电路用于为待测晶体管通入射频信号，以及将待测晶体管端的阻抗转换到测试仪器端口的50欧姆；所述偏置电路为所述待测晶体管进行直流偏置，偏置电路上设有防自激电路。本发明通过射频主线电路进行阻抗匹配，根据待测器件自身的阻抗，将50欧姆转换到对应的欧姆，避免阻抗失配，导致晶体管产生自激振荡；另外，在偏置电路上设有防自激电路，抑制晶体管自激振荡，防止对测试仪器造成损伤，可广泛应用于半导体器件测试技术领域。
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