一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN117374100A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311201290.1

    申请日:2023-09-15

    摘要: 本发明公开了一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构及其制备方法。所述氮化镓材料外延结构的制备方法包括:提供一硅衬底,在硅衬底上形成氮化铝成核层;在氮化铝成核层上生长AlGaN缓冲层;在生长AlGaN缓冲层之前,在氮化铝成核层上预先单独通入5s‑30s镓源,形成镓涂层;在AlGaN缓冲层上生长氮化镓薄膜。本发明实施例中,在氮化铝和AlGaN缓冲层之间插入了一层镓涂层,有效调整了AlGaN层生长初始阶段的三维岛状密度和尺寸,提高了AlGaN薄膜的生长质量,能够增加AlGaN薄膜对氮化镓薄膜提供的预压应力,使外延生长的氮化镓薄膜表面无裂纹。本工艺步骤简单,引入的额外成本小,且能有效的改善由于晶格失配导致的硅衬底上氮化镓薄膜的裂纹问题。

    高效率宽频多模式Doherty功率放大器及构建方法

    公开(公告)号:CN113746433B

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202110825525.9

    申请日:2021-07-21

    发明人: 王洪 熊胗婷

    摘要: 本发明提供一种高效率宽频多模式Doherty功率放大器及构建方法。所述Doherty功率放大器包括宽频功率分配器、相移器、载波放大器、峰值放大器、峰值补偿线和阶跃阻抗合路器;载波放大器包括顺次连接的载波输入匹配网络、载波晶体管和宽频多模式匹配网络;峰值放大器包括顺次连接的峰值输入匹配网络、峰值晶体管和宽频单模式匹配网络;其中,宽频功率分配器接收输入的功率并分别连接相移器和峰值输入匹配网络;相移器连接载波输入匹配网络;宽频单模式匹配网络连接峰值补偿线;阶跃阻抗合路器分别连接宽频多模式匹配网络和峰值补偿线进行功率输出。本发明能克服四分之一波长线带来的带宽限制问题,从而保证合路输出的稳定性。

    混合连续类的双频宽带高效率功率放大器及其构建方法

    公开(公告)号:CN114978058A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210178568.7

    申请日:2022-02-24

    摘要: 本发明公开了混合连续类的双频宽带高效率功率放大器及其构建方法。所述放大器包括双频输入匹配网络、晶体管、高频带谐波控制网络、低频带谐波控制网络及双频输出匹配网络、栅极偏置网络和漏极偏置网络;其中,双频输入匹配网络的输入端作为功率输入端,其输出端接晶体管的栅极;栅极偏置网络并联在双频输入匹配网络中;晶体管的漏极与高频带谐波控制网络相连,漏极偏置网络并联在高频带谐波控制网络中;高频带谐波控制网络的输出端连接低频带谐波控制网络及双频输出匹配网络进行功率输出。本发明在两个宽带频段上实现了较高的漏极效率及附加功率效率。

    用于LED面光源近距离照明的双自由曲面透镜设计方法

    公开(公告)号:CN110543014B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN201910750922.7

    申请日:2019-08-15

    发明人: 王洪 赖军 张辉

    摘要: 本发明公开了一种用于LED面光源近距离照明的双自由曲面透镜设计方法。所述双自由曲面透镜包括内曲面和外曲面,内外曲面均为自由曲面,内外曲面的轮廓线分别为透镜内轮廓曲线和透镜外轮廓曲线。所述设计方法包括以下步骤:确定照明面照度分布与LED面光源参数的关系;双自由曲面透镜内外轮廓曲线的确定。所述双自由曲面透镜的轮廓线的确定包括以下步骤:用抛物线拟合入射面和出射面的初始透镜内外轮廓曲线;迭代计算双自由曲面的其他部分。本发明结合边缘光线法和逆向推导法,解决了LED面光源近距离照明的难点问题。本发明中设计的透镜为双自由曲面透镜,相较于单自由曲面透镜,在设计过程中提供了更大的设计自由度。

    具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS-HEMT器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN109004029B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN201810783099.5

    申请日:2018-07-17

    摘要: 本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法;该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极;第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO2薄膜,第一栅介质层的厚度为5‐15nm;第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜,第二栅介质层的厚度为5‐15nm;本发明采用金属氧化物/SiO2的叠层介质结构,减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤,使其适用于GaN基HEMT器件的制备;同时弥补了SiO2介电常数低的缺陷,使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电。

    纵列堆叠的高压Micro LED芯片及其制作方法

    公开(公告)号:CN117542845A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311242520.9

    申请日:2023-09-25

    发明人: 王洪 张威 谢军

    摘要: 本发明公开了纵列堆叠的高压Micro LED芯片及其制作方法。所述芯片从下到上依次包括第二芯片、胶键合层、第一芯片和钝化层;第一芯片和第二芯片包括衬底、LED发光层和透明导电层;LED发光层包括N型GaN层、多量子阱和P型GaN层。刻蚀表面至第二芯片透明导电层,再次刻蚀表面至第一芯片的N型GaN层,形成阶梯状台面结构,沉积钝化层并开孔,沉积金属电极将第一芯片N型GaN层和第二芯片透明导电层相连,实现两个芯片电气连接。刻蚀另一侧表面至第二芯片N型GaN层,沉积钝化层并开孔,沉积金属形成N电极。本发明将两个Micro LED芯片通过纵列堆叠的方式,使其能够承受更高的工作电压。