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公开(公告)号:CN110581169B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN201910746312.X
申请日:2019-08-13
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC分类号: H01L29/12 , H01L29/417 , H01L21/335 , H01L29/778
摘要: 本发明公开了有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极及制备方法,所述源漏电极为Ti/Al/Ni/Au/X 五层金属叠层结构,Ti/Al/Ni/Au/X 五层金属叠层结构为在GaN基HEMT器件的外延层上从下到上依次排布的Ti、Al、Ni、Au和X金属层,其中X为TiN、Ti、W或TiW中的一种以上。该制备方法无需额外的光刻步骤,利用磁控溅射中沉积的金属X在剥离后会向两边扩散0.5 μm~1 μm,从而能够实现将下方的Ti/Al/Ni/Au完全包裹住,改善了退火后金属的形貌,提高了器件击穿电压。
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公开(公告)号:CN111916536B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202010746592.7
申请日:2020-07-29
申请人: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
摘要: 本发明公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件及其制备方法。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成,包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层;GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N‑GaN层、量子阱层(MQW)、P型GaN层即P‑GaN层;所述N‑GaN层包括刻蚀露出的N‑GaN层和刻蚀形成的N‑GaN层。本发明保证器件调制带宽的同时提高了发光效率,同时ICP刻蚀微米孔阵列后,继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品,预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。
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公开(公告)号:CN117374100A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311201290.1
申请日:2023-09-15
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/02 , H01L29/778
摘要: 本发明公开了一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构及其制备方法。所述氮化镓材料外延结构的制备方法包括:提供一硅衬底,在硅衬底上形成氮化铝成核层;在氮化铝成核层上生长AlGaN缓冲层;在生长AlGaN缓冲层之前,在氮化铝成核层上预先单独通入5s‑30s镓源,形成镓涂层;在AlGaN缓冲层上生长氮化镓薄膜。本发明实施例中,在氮化铝和AlGaN缓冲层之间插入了一层镓涂层,有效调整了AlGaN层生长初始阶段的三维岛状密度和尺寸,提高了AlGaN薄膜的生长质量,能够增加AlGaN薄膜对氮化镓薄膜提供的预压应力,使外延生长的氮化镓薄膜表面无裂纹。本工艺步骤简单,引入的额外成本小,且能有效的改善由于晶格失配导致的硅衬底上氮化镓薄膜的裂纹问题。
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公开(公告)号:CN113746433B
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202110825525.9
申请日:2021-07-21
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
摘要: 本发明提供一种高效率宽频多模式Doherty功率放大器及构建方法。所述Doherty功率放大器包括宽频功率分配器、相移器、载波放大器、峰值放大器、峰值补偿线和阶跃阻抗合路器;载波放大器包括顺次连接的载波输入匹配网络、载波晶体管和宽频多模式匹配网络;峰值放大器包括顺次连接的峰值输入匹配网络、峰值晶体管和宽频单模式匹配网络;其中,宽频功率分配器接收输入的功率并分别连接相移器和峰值输入匹配网络;相移器连接载波输入匹配网络;宽频单模式匹配网络连接峰值补偿线;阶跃阻抗合路器分别连接宽频多模式匹配网络和峰值补偿线进行功率输出。本发明能克服四分之一波长线带来的带宽限制问题,从而保证合路输出的稳定性。
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公开(公告)号:CN114978058A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210178568.7
申请日:2022-02-24
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
摘要: 本发明公开了混合连续类的双频宽带高效率功率放大器及其构建方法。所述放大器包括双频输入匹配网络、晶体管、高频带谐波控制网络、低频带谐波控制网络及双频输出匹配网络、栅极偏置网络和漏极偏置网络;其中,双频输入匹配网络的输入端作为功率输入端,其输出端接晶体管的栅极;栅极偏置网络并联在双频输入匹配网络中;晶体管的漏极与高频带谐波控制网络相连,漏极偏置网络并联在高频带谐波控制网络中;高频带谐波控制网络的输出端连接低频带谐波控制网络及双频输出匹配网络进行功率输出。本发明在两个宽带频段上实现了较高的漏极效率及附加功率效率。
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公开(公告)号:CN108695385A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810784434.3
申请日:2018-07-17
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC分类号: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC分类号: H01L29/7783 , H01L29/0615 , H01L29/0634 , H01L29/66462
摘要: 本发明公开了一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法。该外延结构从下至上由依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN:Fe/GaN高阻层、GaN超晶格层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层组成;GaN:Fe/GaN高阻层由故意铁掺杂GaN层和非故意掺杂GaN层交替连接组成;GaN超晶格层由低压/低V/III比GaN层和高压/高V/III比GaN层周期性交替连接组成。本发明外延结构晶体质量高、缓冲层背景载流子浓度低、沟道载流子限域性好、泄漏电流小,制备的器件具有高击穿电压、高电流密度、低关态漏电、以及优良的夹断特性,且高温、高频下性能退化小,制造成本低。
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公开(公告)号:CN110543014B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN201910750922.7
申请日:2019-08-15
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC分类号: G02B27/00 , G02B3/02 , F21V5/04 , F21Y115/10
摘要: 本发明公开了一种用于LED面光源近距离照明的双自由曲面透镜设计方法。所述双自由曲面透镜包括内曲面和外曲面,内外曲面均为自由曲面,内外曲面的轮廓线分别为透镜内轮廓曲线和透镜外轮廓曲线。所述设计方法包括以下步骤:确定照明面照度分布与LED面光源参数的关系;双自由曲面透镜内外轮廓曲线的确定。所述双自由曲面透镜的轮廓线的确定包括以下步骤:用抛物线拟合入射面和出射面的初始透镜内外轮廓曲线;迭代计算双自由曲面的其他部分。本发明结合边缘光线法和逆向推导法,解决了LED面光源近距离照明的难点问题。本发明中设计的透镜为双自由曲面透镜,相较于单自由曲面透镜,在设计过程中提供了更大的设计自由度。
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公开(公告)号:CN117646879A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202311233472.7
申请日:2023-09-22
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC分类号: F21S41/16 , F21S41/25 , G02B3/00 , F21V5/04 , F21V9/00 , F21V7/04 , F21V7/00 , F21S41/30 , F21S41/24 , F21V8/00 , F21V29/50 , F21S45/40 , F21S41/60 , F21W102/13 , F21W107/10
摘要: 本发明公开了一种基于激光光源的远近光照明一体化前照灯及照明方法,所述照明灯包括主激光光源、副激光光源、控制光线反射结构及远近光照明结构,激光光源包括蓝色激光二极管、激光聚焦透镜、导光管和嵌有黄色荧光粉的曲面反射器,控制光线反射结构包括自由曲面反射器和聚焦反射器,远近光照明结构包括非对称的双自由曲面透镜,非对称的双自由曲面透镜从中部划界分为上部用于远光照明的双自由曲面透镜和下部配合遮光板产生近光照明的双自由曲面透镜。分别打开主副激光光源实现远近光的切换,用一个透镜实现远近光照明以减少前照灯的尺寸和重量,同时透镜采用双自由曲面的结构可以减少照明面处的色散,提高色温均匀性,进而提高前照灯的照明效果。
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公开(公告)号:CN109004029B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN201810783099.5
申请日:2018-07-17
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC分类号: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
摘要: 本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法;该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极;第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO2薄膜,第一栅介质层的厚度为5‐15nm;第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜,第二栅介质层的厚度为5‐15nm;本发明采用金属氧化物/SiO2的叠层介质结构,减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤,使其适用于GaN基HEMT器件的制备;同时弥补了SiO2介电常数低的缺陷,使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电。
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公开(公告)号:CN117542845A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202311242520.9
申请日:2023-09-25
申请人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC分类号: H01L25/075 , H01L25/00 , H01L33/00
摘要: 本发明公开了纵列堆叠的高压Micro LED芯片及其制作方法。所述芯片从下到上依次包括第二芯片、胶键合层、第一芯片和钝化层;第一芯片和第二芯片包括衬底、LED发光层和透明导电层;LED发光层包括N型GaN层、多量子阱和P型GaN层。刻蚀表面至第二芯片透明导电层,再次刻蚀表面至第一芯片的N型GaN层,形成阶梯状台面结构,沉积钝化层并开孔,沉积金属电极将第一芯片N型GaN层和第二芯片透明导电层相连,实现两个芯片电气连接。刻蚀另一侧表面至第二芯片N型GaN层,沉积钝化层并开孔,沉积金属形成N电极。本发明将两个Micro LED芯片通过纵列堆叠的方式,使其能够承受更高的工作电压。
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