公开(公告)号：CN105405768A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510932234.4

申请日：2015-12-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  姚日晖 ,  彭俊彪 ,  王磊 ,  徐苗 ,  邹建华 ,  陶洪 ,  兰林锋 ,  黄福祥

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/324 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域。该制备方法包括如下步骤，在衬底上依次制备栅极、栅极绝缘层和有源层，然后进行前退火处理，再直流磁控溅射铜铬合金电极作为源漏电极，最后进行后退火处理，得到成品薄膜晶体管；所述前退火处理是在空气气氛中进行前退火，前退火温度为100～500℃，前退火时间为1～120min；以重量百分比计，所述铜铬合金电极中铬元素的含量范围为0.4％～10％；所述后退火处理是在氩气气氛中进行后退火，后退火温度为100～500℃，后退火时间为1～120min。本发明能够克服铜氧化、抑制铜扩散、避免电极脱落及易刻蚀的特点，其所构成的薄膜晶体管具有性能良好的特点。