公开(公告)号：CN107799608A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201711112822.9

申请日：2017-11-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  彭俊彪 ,  姚日晖 ,  卢宽宽 ,  陶瑞强 ,  蔡炜 ,  刘贤哲 ,  陈建秋 ,  徐苗

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本发明使用电阻率较低的铜来取代传统的铝作为源漏电极材料，所得器件获得了低阻抗延迟的效果，而且通过在器件外表面沉积一层钝化层，会在有源层表面提高载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率。

公开(公告)号：CN107731930A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710947178.0

申请日：2017-10-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  张啸尘 ,  李晓庆 ,  张建东 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/66227

Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法。所述氧化锡基半导体薄膜晶体管由玻璃基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述的有源层为非晶掺硅氧化锡薄膜。本发明以非晶掺硅氧化锡作为有源层，所得TFT器件无需退火即可获得不错的器件性能，有效地节约生产成本。具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN107546262A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710581574.6

申请日：2017-07-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  曾勇 ,  姚日晖 ,  刘贤哲 ,  胡诗犇 ,  郑泽科 ,  章红科 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。本发明采用锶铟氧化物作为有源层，仅需要非常低的退火温度就能够大幅度地提升电子的传输效率。

公开(公告)号：CN104766891A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510119566.0

申请日：2015-03-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  朱峰 ,  兰林锋 ,  彭俊彪 ,  王磊

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管的源漏电极，由依次叠设的钼层和铜层构成，所述铜层设于所述钼层的上方；所述钼层设于薄膜晶体管的有源层的上方；所述钼层和钼层的晶格生长方向垂直；所述钼层的厚度为20～40nm；所述铜层的厚度为150～250nm。本发明还公开了上述源漏电极的制备方法及包含上述源漏电极的薄膜晶体管及其制备方法。本发明克服了现有技术中的铜电极容易氧化、铜电极沉积在金属氧化物有源层上之后铜原子向氧化物扩散的缺陷，具有高电导率的特点，还可以实现两层电极之间的应力平衡，使得电极剥离率降低，结合强度得到提高。

公开(公告)号：CN107369719B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201710739074.0

申请日：2017-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  卢宽宽 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  刘贤哲 ,  郑泽科 ,  章红科 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明属于电子器件制备技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法。所述制备方法为：在有源层上依次沉积刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu薄膜；旋涂光刻胶，曝光显影，保留有源沟道顶部一半的光刻胶；依次刻蚀非有源沟道区的纯Cu薄膜、黏附阻挡层、刻蚀缓冲层和有源层；除去有源沟道顶部保留的光刻胶，使纯Cu薄膜暴露出来；刻蚀纯Cu薄膜层和黏附阻挡层，使其图形化形成TFT的源漏电极；除去有源沟道表面的刻蚀缓冲层；除去源漏电极表面的光刻胶。通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。

公开(公告)号：CN108022828B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201711112966.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  蔡炜 ,  姚日晖 ,  陶瑞强 ,  陈建秋 ,  朱镇南 ,  魏靖林 ,  刘贤哲 ,  胡诗犇 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种UV预处理衬底改善打印氧化物薄膜形貌的方法。所述方法为：将ZrOCl2·8H2O溶于溶剂中，得到前驱体溶液；在无碱玻璃表面沉积一层ITO，然后经清洗、烘干后采用波长为220‑250nm的紫外光照射30～50s，得到UV预处理后的ITO玻璃衬底；以前驱体溶液在UV预处理后的ITO玻璃衬底上喷墨打印制备薄膜，然后将所得薄膜烘干后退火处理，得到氧化锆薄膜。本发明以特定体系的氧化物前驱体溶液通过喷墨打印法制备氧化物绝缘层薄膜，并通过对ITO玻璃衬底进行UV预处理，解决了打印薄膜不连续、不均匀的问题，实现了表面平整且低漏电的溶液法绝缘层制备。

公开(公告)号：CN108022828A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711112966.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  蔡炜 ,  姚日晖 ,  陶瑞强 ,  陈建秋 ,  朱镇南 ,  魏靖林 ,  刘贤哲 ,  胡诗犇 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种UV预处理衬底改善打印氧化物薄膜形貌的方法。所述方法为：将ZrOCl2·8H2O溶于溶剂中，得到前驱体溶液；在无碱玻璃表面沉积一层ITO，然后经清洗、烘干后采用波长为220‑250nm的紫外光照射30～50s，得到UV预处理后的ITO玻璃衬底；以前驱体溶液在UV预处理后的ITO玻璃衬底上喷墨打印制备薄膜，然后将所得薄膜烘干后退火处理，得到氧化锆薄膜。本发明以特定体系的氧化物前驱体溶液通过喷墨打印法制备氧化物绝缘层薄膜，并通过对ITO玻璃衬底进行UV预处理，解决了打印薄膜不连续、不均匀的问题，实现了表面平整且低漏电的溶液法绝缘层制备。

公开(公告)号：CN107369719A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710739074.0

申请日：2017-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  卢宽宽 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  刘贤哲 ,  郑泽科 ,  章红科 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/44 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明属于电子器件制备技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法。所述制备方法为：在有源层上依次沉积刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu薄膜；旋涂光刻胶，曝光显影，保留有源沟道顶部一半的光刻胶；依次刻蚀非有源沟道区的纯Cu薄膜、黏附阻挡层、刻蚀缓冲层和有源层；除去有源沟道顶部保留的光刻胶，使纯Cu薄膜暴露出来；刻蚀纯Cu薄膜层和黏附阻挡层，使其图形化形成TFT的源漏电极；除去有源沟道表面的刻蚀缓冲层；除去源漏电极表面的光刻胶。通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。

公开(公告)号：CN106992120A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710229717.7

申请日：2017-04-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 彭俊彪 ,  卢宽宽 ,  宁洪龙 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  魏靖林 ,  邹建华 ,  陶洪 ,  徐苗 ,  王磊

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)在衬底上沉积5～200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；(2)在铜合金薄膜上沉积5～1000nm厚的纯铜薄膜。步骤(1)和步骤(2)完成后可选择性在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h。所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆。本发明制备的高导电联耦合电极具有高结合强度，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN107749423A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201710947177.6

申请日：2017-10-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  张啸尘 ,  李晓庆 ,  张建东 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、聚酰亚胺柔性基底层、SiO2缓冲层、源/漏电极、非晶掺硅氧化锡有源层、SiO2栅绝缘层，Si3N4栅绝缘层和栅极构成；其中，源/漏电极位于有源层和SiO2栅绝缘层两侧，Si3N4栅绝缘层覆盖于SiO2栅绝缘层上表面并与源/漏电极接触。本发明的TFT器件采用非晶掺硅氧化锡作为有源层，并将器件功能层置于层叠结构的中心面，在弯曲时使得功能层受到最低应力或者无应力，无需退火即可获得不错的器件性能，具有较强的抗弯折特性，可促进柔性电子器件的发展。