-
公开(公告)号：CN118198221A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410288016.0
申请日：2024-03-14
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述第一半导体层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层、所述第四子层和所述第五子层为掺杂Si的GaN层，所述第二子层为掺杂Mg的SiN层，所述第三子层为掺杂Si的MgN层，所述第一子层中的Si的掺杂浓度的取值范围为1019～1021cm‑3，所述第四子层和所述第五子层中的Si的掺杂浓度低于所述第一子层。
-
公开(公告)号：CN114540946B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111638656.2
申请日：2021-12-29
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： C30B25/02 , C30B33/04 , H01L21/205
摘要： 本公开提供了一种提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法，属于外延生长技术领域。在MOCVD外延设备的安装壳体内包括第一生长反应腔与第一外延托盘的反应腔部件可以保证衬底上外延材料的正常生长。增加的处理腔部件、第一隔离部件与第一转移部件，衬底的处理位于同一MOCVD外延设备，不用在设备与设备之间转移，也不用长距离移动衬底。提高衬底上生长得到的外延层的质量以及外延片整体的制备效率。并且控制第一生长反应腔的最大高度小于外延材料处理腔的最大高度，避免第一生长反应腔内的材料进入外延材料处理腔内污染衬底与外延材料，有效提高得到的外延片的质量。
-
公开(公告)号：CN117038808A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310877440.4
申请日：2023-07-17
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的衬底、n型层、多量子阱层、p型层和p型欧姆接触层；所述p型欧姆接触层包括依次层叠在所述p型层上的至少两层子接触层，在所述至少两层子接触层的生长方向上，各所述子接触层的势垒高度逐渐降低。本公开实施例能让电流迅速扩展，使电流在多量子阱层均匀分布，提升发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN115566119A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211095304.1
申请日：2022-09-05
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型层、发光层和p型层，所述发光层包括多个层叠的有源层，每个所述有源层包括依次层叠的InGaN量子阱层、Mg金属层、p型GaN层和GaN量子垒层，在形成所述p型GaN层之前，向反应腔内通入Mg源，对所述InGaN量子阱层进行表面处理，在所述InGaN量子阱层的表面的凹坑内形成所述Mg金属层。本公开实施例能改善量子阱与量子垒界面处晶体质量和发光二极管的内量子效率，以提升发光效率。
-
公开(公告)号：CN112366258B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011055212.1
申请日：2020-09-29
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层、有源层和P型层，所述有源层包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为掺Si的AlxGa1‑xN层，0＜x＜0.4，所述量子垒层为掺Mg的AlyGa1‑yN层，0.5＜y＜0.7。该紫外发光二极管外延片可以效屏蔽量子阱层中由于极化效应产生的内建电场，从而可以提高电子和空穴的波函数重叠率，进而可以提高电子和空穴的辐射复合效率，最终提高紫外发光二极管的内量子效率。
-
公开(公告)号：CN114156380A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111442421.6
申请日：2021-11-30
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本发明公开了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在非掺杂GaN层与n型GaN层之间增加低温InAlGaN/InGaN/GaN超晶格优化层，以较低的温度生长，N空隙在较低的温度下较难形成，减少N空隙生成，超晶格优化层中所携带的In原子可以与N空隙提前反应，减小N空隙延伸至多量子阱层中形成光子湮灭点的可能，提高发光二极管外延片的内量子效率。超晶格优化层中GaN过渡层掺杂有Si，可以促进电子的增加与流动，配合InAlGaN过渡层的势垒，可以使得电子更均匀进入InGaN/GaN多量子阱层中，提高内量子效率的同时提高出光均匀度。
-
公开(公告)号：CN113652743A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110710611.5
申请日：2021-06-25
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈凹槽，每圈所述凹槽均包括沿所述石墨基板的周向布置的多个凹槽，所述石墨基板的上表面层叠铺设有至少一层凸起，每层所述凸起均为圆形，且每层所述凸起的外周壁均呈波纹状，所述至少一层凸起与所述石墨基板同轴，且所述至少一层凸起的直径小于所述石墨基板的直径，所述至少一层凸起铺设在所述石墨基板的上表面以及所述多个凹槽的槽底和槽壁上。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以使得外延片各个区域的发光波长一致，从而可以提高外延片的片内均匀性，保证边缘良率。
-
公开(公告)号：CN112366258A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011055212.1
申请日：2020-09-29
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层、有源层和P型层，所述有源层包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为掺Si的AlxGa1‑xN层，0＜x＜0.4，所述量子垒层为掺Mg的AlyGa1‑yN层，0.5＜y＜0.7。该紫外发光二极管外延片可以效屏蔽量子阱层中由于极化效应产生的内建电场，从而可以提高电子和空穴的波函数重叠率，进而可以提高电子和空穴的辐射复合效率，最终提高紫外发光二极管的内量子效率。
-
公开(公告)号：CN109192829B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810746992.0
申请日：2018-07-09
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和高温P型层，所述缓冲层、所述N型层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述高温P型层依次层叠在所述衬底上，所述高温P型层的材料采用P型掺杂的氮化镓，所述低温P型层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓，所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层的材料采用铝铟镓氮，所述第二子层的材料采用氮化铝镓，所述第三子层的材料采用氮化铝，所述第四子层的材料采用氮化铟镓。本发明可以有效避免由于晶格失配而产生极化。
-
公开(公告)号：CN109192829A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810746992.0
申请日：2018-07-09
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/007
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和高温P型层，所述缓冲层、所述N型层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述高温P型层依次层叠在所述衬底上，所述高温P型层的材料采用P型掺杂的氮化镓，所述低温P型层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓，所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层的材料采用铝铟镓氮，所述第二子层的材料采用氮化铝镓，所述第三子层的材料采用氮化铝，所述第四子层的材料采用氮化铟镓。本发明可以有效避免由于晶格失配而产生极化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
63 条记录 (耗时 0.036 秒)
