公开(公告)号：CN103000742A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。

公开(公告)号：CN103000742B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。