公开(公告)号：CN106384708A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610835042.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  李东珂 ,  陆鹏 ,  李伟 ,  翟颖颖 ,  陈坤基

IPC: H01L21/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667

Abstract: 利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下：1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a-Si/SiO2)多层膜材料；控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a-Si/SiO2多层膜的厚度；3)对制备的a-Si/SiO2多层膜进行脱氢处理；4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理，使多晶硅结晶形成纳米硅，并激活杂质原子进入纳米硅内部，实现纳米硅的掺杂；制备成共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。

公开(公告)号：CN106018348A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610395687.2

申请日：2016-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陆鹏 ,  李东珂 ,  季阳 ,  钱明庆 ,  翟颖颖 ,  陈坤基

IPC: G01N21/552

CPC classification number: G01N21/554

Abstract: 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(LSPR)效应的表征：采用傅里叶变换红外光谱仪对不同掺杂浓度的多层膜样品进行测试，得到了在1微米之内短波长范围的红外光谱吸收，对应于样品的局域表面等离激元共振吸收；第二步：利用掺杂纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振峰估算纳米硅量子点中的掺杂浓度与掺杂效率。

公开(公告)号：CN106018348B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201610395687.2

申请日：2016-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陆鹏 ,  李东珂 ,  季阳 ,  钱明庆 ,  翟颖颖 ,  陈坤基

IPC: G01N21/552

Abstract: 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(LSPR)效应的表征：采用傅里叶变换红外光谱仪对不同掺杂浓度的多层膜样品进行测试，得到了在1微米之内短波长范围的红外光谱吸收，对应于样品的局域表面等离激元共振吸收；第二步：利用掺杂纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振峰估算纳米硅量子点中的掺杂浓度与掺杂效率。

公开(公告)号：CN103633212A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310524210.6

申请日：2013-10-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 芮云军 ,  徐骏 ,  曹蕴清 ,  陆鹏 ,  李伟 ,  陈坤基

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/105 ,  H01L33/0058 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0058

Abstract: 一种硅基金属微腔电致发光器件，自上至下为半透明金属反射镜，有源层，ITO电极，2-8个周期底部DBR、每周期厚度为共振光波长的二分之一，金属薄膜，石英基底；以SiC材料作为有源层，厚度为共振波长的1/2，半透明金属反射镜作为微腔的一面反射镜和出光面。制备方法的步骤：利用等离子体增强化学气相沉积技术，在用硅烷和甲烷作为反应起源，在石英衬底上交替生长具有两种不同组分的SiC薄膜，构成全SiC材料的DBR结构；这两种组分的SiC薄膜淀积时的流量比R=CH4/SiH4分别是1和10；在DBR结构上制备有源层，仍采用流量比R=10的SiC薄膜。本发明采用较少周期的DBR达到同样反射效果，增强方法的可操作性，重复性。

公开(公告)号：CN103000742A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。

公开(公告)号：CN103000742B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。