公开(公告)号：CN103633212A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310524210.6

申请日：2013-10-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 芮云军 ,  徐骏 ,  曹蕴清 ,  陆鹏 ,  李伟 ,  陈坤基

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/105 ,  H01L33/0058 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0058

Abstract: 一种硅基金属微腔电致发光器件，自上至下为半透明金属反射镜，有源层，ITO电极，2-8个周期底部DBR、每周期厚度为共振光波长的二分之一，金属薄膜，石英基底；以SiC材料作为有源层，厚度为共振波长的1/2，半透明金属反射镜作为微腔的一面反射镜和出光面。制备方法的步骤：利用等离子体增强化学气相沉积技术，在用硅烷和甲烷作为反应起源，在石英衬底上交替生长具有两种不同组分的SiC薄膜，构成全SiC材料的DBR结构；这两种组分的SiC薄膜淀积时的流量比R=CH4/SiH4分别是1和10；在DBR结构上制备有源层，仍采用流量比R=10的SiC薄膜。本发明采用较少周期的DBR达到同样反射效果，增强方法的可操作性，重复性。

公开(公告)号：CN103000742A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。

公开(公告)号：CN103000742B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。