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公开(公告)号：CN110813270B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810905191.4
申请日：2018-08-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种分级孔固体碱材料的合成方法，以面粉作为模板和碳的前驱体与固体碱前驱物，采用了“发面”的技术，使发酵面粉在发制过程中受热膨胀成型，再经高温焙烧原位形成成型固体强碱催化剂，同时形成了微孔、介孔和大孔分级孔结构，可作为催化剂用于新能源、石油化工等领域。
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公开(公告)号：CN108584912A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810718418.4
申请日：2018-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/05 , C01B32/348
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂有序介孔碳材料的制备方法，以SBA-15为硅模板及乙二胺四乙酸为碳氮前驱物，乙二胺等为助剂，通过二次浸渍和焙烧获得氮掺杂高度有序介孔碳材料。该材料中乙二胺四乙酸和助剂作用后很好地复制了SBA-15的孔道结构并形成高度有序的介孔结构，而且乙二胺四乙酸和乙二胺的相互作用大大提高了氮掺杂的含量，氮的掺杂使得其电化学性能相比传统的介孔碳材料得到了较大的提升。
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公开(公告)号：CN108550518A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810440768.9
申请日：2018-05-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延超晶格插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在超晶格插入层上外延一层AlxGa(1-x)N薄膜。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1-x)N薄膜层之间生长超晶格插入层，能够缓解/消除AlxGa(1-x)N薄膜表面裂纹的问题。本发明还通过设计程序，能够方便、快速和精确地控制Ga源和Al源挡板的开闭状态和氮气的流量，可以解决手动控制带来的不便和误差等问题，进而实现高质量的超晶格插入层的外延生长。
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公开(公告)号：CN108330536A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810228701.9
申请日：2018-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N2plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质量，高电子迁移率的单晶GaN薄膜。生长过程中，通过固定金属源束流，设定较低的生长速率；通过调节反射高能电子衍射(RHEED)的恢复时间，判定生长过程中的富Ga状态；通过调节衬底温度使得材料的生长模式从二维台阶生长模式+三维岛状生长模式转变为二维台阶生长模式。
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公开(公告)号：CN110112061A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910428331.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延AlN插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlN插入层上外延一层AlxGa(1-x)N层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlxGa(1-x)N层上外延一层GaN盖帽层。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1-x)N薄膜层之间生长不同厚度AlN插入层，能够优化AlxGa(1-x)N/AlN/GaN异质结中二维电子气低温输运的特性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100508491C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710135027.1
申请日：2007-11-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种能有效预防无结构对等网络覆盖网分割问题的方法，包括以下步骤：1、启动检测，即网络中每个结点向其邻居发送启动检测消息；2、探测可达性，即让每个结点的邻居可达性消息在整个网络中不断更新和扩散；3、划分子集，即每个结点收集其邻居可达性消息并据此将其邻居划分到若干个子集中；4、判定分点，即每个结点根据其邻居划分子集的结果判定自身是否为分点，分点是易导致覆盖网分割的结点；5、分点避免，即每个分点通过适当加边的方法合并邻居子集从而使自身成为非分点结点；6、适当减边；7、结束。本发明是纯分布式的方法，实现起来十分简单并且可方便地嵌入到现有无结构对等网络中。
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公开(公告)号：CN101321192A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810122906.5
申请日：2008-06-20
Applicant: 南京大学
IPC: H04L29/08
Abstract: 一种能使P2P流媒体系统中数据发布源快速切换的方法，包括步骤：1.过程建模，通过对本质特性与关键参数的分析给数据源切换过程建立数学模型，从而将源切换问题形式化为一个数学优化问题，然后推导出此数学优化问题的最优解；2.环境分析，分析实际网络环境与理论模型之间的差异，调整最优解；3.数据调度，每个结点获取其邻居结点的数据可用性信息，从相应邻居结点获取数据分片；4.结束，当结点的源切换过程完成后，终止整个过程。本发明与现有技术相比，该方法是低开销与纯分布式的，每个结点独立地启动并执行该方法，并且执行所依赖的仅仅是本地信息；它能显著地加快源切换过程、减少源切换时间，并且对于规模越大的系统其优势越明显。
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公开(公告)号：CN101321192B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810122906.5
申请日：2008-06-20
Applicant: 南京大学
IPC: H04L29/08
Abstract: 一种能使P2P流媒体系统中数据发布源快速切换的方法，包括步骤：1、过程建模，通过对本质特性与关键参数的分析给数据源切换过程建立数学模型，从而将源切换问题形式化为一个数学优化问题，然后推导出此数学优化问题的最优解；2、环境分析，分析实际网络环境与理论模型之间的差异，调整最优解；3、数据调度，每个结点获取其邻居结点的数据可用性信息，从相应邻居结点获取数据分片；4、结束，当结点的源切换过程完成后，终止整个过程。本发明与现有技术相比，该方法是低开销与纯分布式的，每个结点独立地启动并执行该方法，并且执行所依赖的仅仅是本地信息；它能显著地加快源切换过程、减少源切换时间，并且对于规模越大的系统其优势越明显。
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公开(公告)号：CN108550518B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201810440768.9
申请日：2018-05-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延超晶格插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在超晶格插入层上外延一层AlxGa(1‑x)N薄膜。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1‑x)N薄膜层之间生长超晶格插入层，能够缓解/消除AlxGa(1‑x)N薄膜表面裂纹的问题。本发明还通过设计程序，能够方便、快速和精确地控制Ga源和Al源挡板的开闭状态和氮气的流量，可以解决手动控制带来的不便和误差等问题，进而实现高质量的超晶格插入层的外延生长。
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公开(公告)号：CN108584912B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810718418.4
申请日：2018-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/05 , C01B32/348
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂有序介孔碳材料的制备方法，以SBA‑15为硅模板及乙二胺四乙酸为碳氮前驱物，乙二胺等为助剂，通过二次浸渍和焙烧获得氮掺杂高度有序介孔碳材料。该材料中乙二胺四乙酸和助剂作用后很好地复制了SBA‑15的孔道结构并形成高度有序的介孔结构，而且乙二胺四乙酸和乙二胺的相互作用大大提高了氮掺杂的含量，氮的掺杂使得其电化学性能相比传统的介孔碳材料得到了较大的提升。
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