公开(公告)号：CN105241910B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510482145.4

申请日：2015-08-07

申请人： 南京大学 ,  华中科技大学

发明人： 彭路明 ,  陈蓉 ,  沈丽 ,  刘潇 ,  陈俊超 ,  曹坤 ,  单斌

IPC分类号： G01N24/08 ,  G01N1/28

摘要： 本发明提供了一种基于原子层沉积和固体核磁共振的固体氧化物表面结构测定方法。本发明采用原子层沉积技术将薄层氧化物沉积在固体表面，然后借助固体核磁共振技术实现针对位于固体表面的氧化物结构进行选择测定，根据测定结果判断固体氧化物表面结构。

公开(公告)号：CN105241910A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510482145.4

申请日：2015-08-07

申请人： 南京大学 ,  华中科技大学

发明人： 彭路明 ,  陈蓉 ,  沈丽 ,  刘潇 ,  陈俊超 ,  曹坤 ,  单斌

IPC分类号： G01N24/08 ,  G01N1/28

摘要： 本发明提供了一种基于原子层沉积和固体核磁共振的固体氧化物表面结构测定方法。本发明采用原子层沉积技术将薄层氧化物沉积在固体表面，然后借助固体核磁共振技术实现针对位于固体表面的氧化物结构进行选择测定，根据测定结果判断固体氧化物表面结构。

公开(公告)号：CN115198252B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202210303352.9

申请日：2022-03-25

申请人： 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

发明人： 陈蓉 ,  曹坤 ,  严谨 ,  单斌 ,  李易诚 ,  胡嘉成

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/04

摘要： 本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。

公开(公告)号：CN117198945A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311327624.X

申请日：2023-10-13

申请人： 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

发明人： 曹坤 ,  洪子晗 ,  陈蓉 ,  单斌 ,  张城睿

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B08B3/08 ,  B08B5/02 ,  B08B13/00

摘要： 本申请涉及一种晶圆加工设备，包括喷气组件、翻转机构和液相浸泡平台，喷气组件位于翻转机构的上方，液相浸泡平台位于翻转机构的下方，且翻转机构用于承接晶圆并对晶圆进行翻转；喷气组件用于对晶圆的待处理面进行喷气清洗；液相浸泡平台用于对晶圆的待处理面进行浸泡处理。本申请的晶圆加工设备，利用翻转机构可以实现对晶圆的0°～180°旋转，使得晶圆的待处理面可以翻转至与喷气组件，也可以翻转至与液相浸泡平台相对。如此，既可以满足喷气组件对晶圆进行清洗的需要，又可以将晶圆倒扣浸泡在液相浸泡平台的化学处理液中。这种集成清洗功能和浸泡功能的方式，不仅优化了晶圆加工设备的功能，而且改善了晶圆加工品质。

公开(公告)号：CN115198252A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210303352.9

申请日：2022-03-25

申请人： 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

发明人： 陈蓉 ,  曹坤 ,  严谨 ,  单斌 ,  李易诚 ,  胡嘉成

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/04

摘要： 本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。

公开(公告)号：CN117587378A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311637258.8

申请日：2023-12-01

申请人： 华中科技大学

发明人： 陈蓉 ,  洪子晗 ,  曹坤 ,  单斌 ,  张城睿

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01S5/028

摘要： 本申请涉及一种半导体激光器的腔面镀膜方法，包括步骤S102，在半导体激光器解理条的电极表面区域选择性生长分子层，以形成具有疏水特性的阻隔层；步骤S104，对形成有阻隔层的半导体激光器解理条进行原子层沉积，以于半导体激光器解理条的除阻隔层覆盖区域以外的区域形成钝化薄膜。本申请的半导体激光器的腔面镀膜方法，实现了在半导体激光器解理条的腔面上沉积钝化薄膜并避免了半导体激光器的电极表面出现钝化薄膜，且不容易出现半导体激光器解理条受应力不均而产生机械损伤的问题。

公开(公告)号：CN113466101A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110706803.9

申请日：2021-06-24

申请人： 华中科技大学

发明人： 陈蓉 ,  吴润卿 ,  单斌 ,  曹坤 ,  陈志平 ,  刘晨曦

IPC分类号： G01N15/08

摘要： 本发明涉及一种渗透率检测设备与检测方法。渗透率检测设备包括：进气腔体；渗透腔体，多组渗透腔体均与进气腔体连接，渗透腔体与进气腔体间设有进气阀门，进气阀门打开时，进气腔体与对应的渗透腔体连通，渗透腔体内设有第一样品安装区；检测腔体，多组渗透腔体均与检测腔体连接，渗透腔体与检测腔体间设有积累阀门，积累阀门打开时，检测腔体与对应的渗透腔体连通；质谱仪，质谱仪与检测腔体连通。该设备可以对高阻隔率薄膜的渗透率进行检测，能加深对于薄膜渗透性能的了解，有利于后续对于高阻隔率薄膜的研究。

公开(公告)号：CN110922959B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201911086601.8

申请日：2019-11-08

申请人： 华中科技大学

发明人： 陈蓉 ,  刘梦佳 ,  单斌 ,  曹坤 ,  文艳伟

IPC分类号： C09K11/02 ,  H01L51/56

摘要： 本发明属于光学膜和封装领域，并具体公开了一种量子点薄膜及其制备方法，包括如下步骤：S1对量子点进行包覆得到量子点微球；S2将量子点微球混合在有机聚合物溶液中并固化成形，得到初始量子点薄膜；S3在初始量子点薄膜表面沉积氧化物层，得到量子点薄膜，完成量子点薄膜制备。本发明采用有机或无机物、有机聚合物、氧化物对量子点进行了三重包覆，制备得到的量子点薄膜均匀性好，且有效提高了量子点的稳定性，提高量子点的使用寿命。

公开(公告)号：CN110922959A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201911086601.8

申请日：2019-11-08

申请人： 华中科技大学

发明人： 陈蓉 ,  刘梦佳 ,  单斌 ,  曹坤 ,  文艳伟

IPC分类号： C09K11/02 ,  H01L51/56

摘要： 本发明属于光学膜和封装领域，并具体公开了一种量子点薄膜及其制备方法，包括如下步骤：S1对量子点进行包覆得到量子点微球；S2将量子点微球混合在有机聚合物溶液中并固化成形，得到初始量子点薄膜；S3在初始量子点薄膜表面沉积氧化物层，得到量子点薄膜，完成量子点薄膜制备。本发明采用有机或无机物、有机聚合物、氧化物对量子点进行了三重包覆，制备得到的量子点薄膜均匀性好，且有效提高了量子点的稳定性，提高量子点的使用寿命。

公开(公告)号：CN108550706B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810326767.1

申请日：2018-04-12

申请人： 华中科技大学

发明人： 陈蓉 ,  向勤勇 ,  单斌 ,  曹坤 ,  周彬泽 ,  姜晨晨

IPC分类号： H01L51/48 ,  H01L51/42

摘要： 本发明属于光学材料制备领域，并具体公开了一种量子点光电探测器的制备方法，包括如下步骤：S1制备配体气氛：将有机物配体溶于溶剂中以形成配体溶液，使配体溶液以气体的形式充满整个密闭空间，进而制备获得配体气氛；S2制备量子点气体钝化薄膜：在基底上制备量子点薄膜，并将制备有量子点薄膜的基底放置在步骤S1制备的配体气氛中，以使配体气氛中的有机物配体钝化量子点表面；S3制备量子点光电探测器电极：最后在已钝化的量子点薄膜表面制备电极以制备获得量子点光电探测器。本发明能够大大减少暗电流的产生，且有机配体的钝化更加均匀，有利于光电探测器的大规模生产，节省有机配体。