公开(公告)号：CN113054096B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202110234054.4

申请日：2021-03-03

申请人： 南京大学 ,  浙江驰拓科技有限公司

发明人： 阮学忠 ,  杨龙 ,  马眉扬 ,  陆佳华 ,  徐永兵 ,  孟皓 ,  刘波

IPC分类号： H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/20 ,  H10N50/85 ,  G01R33/12 ,  G01R33/032

摘要： 一种调控NiFe薄膜磁性本征阻尼因子的方法，使用电子束蒸发生长方法在Si基片上沉积出20±10nm厚的带状长条NiFe薄膜；带状长条的长度为宽度的20‑200倍。对于生长后的样品，在NiFe薄膜带状长条两端引出电极A和B，通过电极A和B向NiFe带状长条中注入电流，所述的外加注入电流密度为1‑6×105A/cm2。本发明基于NiFe带状长条结构。可实现通过A和B电极间的电流密度，控制改变NiFe薄膜的本征阻尼因子。

公开(公告)号：CN113054096A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110234054.4

申请日：2021-03-03

申请人： 南京大学 ,  浙江驰拓科技有限公司

发明人： 阮学忠 ,  杨龙 ,  马眉扬 ,  陆佳华 ,  徐永兵 ,  孟皓 ,  刘波

IPC分类号： H01L43/14 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  G01R33/12 ,  G01R33/032

摘要： 一种调控NiFe薄膜磁性本征阻尼因子的方法，使用电子束蒸发生长方法在Si基片上沉积出20±10nm厚的带状长条NiFe薄膜；带状长条的长度为宽度的20‑200倍。对于生长后的样品，在NiFe薄膜带状长条两端引出电极A和B，通过电极A和B向NiFe带状长条中注入电流，所述的外加注入电流密度为1‑6×105A/cm2。本发明基于NiFe带状长条结构。可实现通过A和B电极间的电流密度，控制改变NiFe薄膜的本征阻尼因子。

公开(公告)号：CN118910566A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410961154.0

申请日：2024-07-17

申请人： 南京大学

发明人： 徐永兵 ,  马眉扬 ,  何亮 ,  陆显扬 ,  刘波 ,  黎遥

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/54

摘要： 本发明涉及一种高灵敏度VLEED自旋分析器靶材的原位制备方法，包括：使用分子束外延或磁控溅射技术原位真空制备表面原子级平整的高自旋极化率半金属磁性薄膜靶材，如Co2FeAl和Fe3O4，同时表面具有长时间的稳定性，从而增大电子在+Z及‑Z方向磁化的铁磁性靶上反射率的相对差异以及电子在薄膜上的反射率，提高VLEED电子自旋分析器的灵敏度以及稳定性。