公开(公告)号：CN100999388A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610130711.6

申请日：2006-12-30

申请人： 南开大学

发明人： 熊绍珍 ,  吴春亚 ,  李学东 ,  孟志国 ,  李娟 ,  李鹤

IPC分类号： C03C17/22 ,  C04B41/51 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C30B29/06 ,  C30B28/00 ,  C08J7/06

摘要： 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；然后在400℃－600℃下退火，即可获得晶粒尺寸在10微米量级上的大晶粒多晶硅薄膜。通过表面修饰，可增强非晶硅或自然氧化层和溶液的“亲和力”。通过调整溶液浓度、甩胶机转速、气熏时间或喷淋剂量、退火温度等，可以控制晶粒的大小。此方法可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、太阳电池、或半导体集成电路、或微机械系统(MEMS)中器件的有源层或多晶硅栅。

公开(公告)号：CN100999388B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200610130711.6

申请日：2006-12-30

申请人： 南开大学

发明人： 熊绍珍 ,  吴春亚 ,  李娟 ,  李学东 ,  孟志国 ,  李鹤

IPC分类号： C03C17/22 ,  C04B41/51 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C30B29/06 ,  C30B28/00 ,  C08J7/06

摘要： 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；然后在400℃-600℃下退火，即可获得晶粒尺寸在10微米量级上的大晶粒多晶硅薄膜。通过表面修饰，可增强非晶硅或自然氧化层和溶液的“亲和力”。通过调整溶液浓度、甩胶机转速、气熏时间或喷淋剂量、退火温度等，可以控制晶粒的大小。此方法可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、太阳电池、或半导体集成电路、或微机械系统(MEMS)中器件的有源层或多晶硅栅。